透明導電膜印刷圖案化技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文透明導電膜印刷圖案化技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是103, 計畫名稱是金屬中心創新前瞻技術研究計畫, 領域是製造精進, 技術規格是圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps, 潛力預估是預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。.

序號	7076
產出年度	103
技術名稱-中文	透明導電膜印刷圖案化技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬中心創新前瞻技術研究計畫
領域	製造精進
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	無
技術現況敘述-中文	本技術主要以導電高分子為材料製作精細線路之透明導電薄膜，其圖案可為一般可視或隱形化，隱形化技術包括降低導電與非導電區的顏色對比，來達到隱形化之效果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps
技術成熟度	試量產
可應用範圍	本技術可應用於觸控面板、電致變色薄膜、OLED、OPV..等產品
潛力預估	預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。
聯絡人員	劉冠志
電話	07-3513121#2623
傳真	07-3516597
電子信箱	kenny-liu@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	精密網印機、恆溫烤箱、
需具備之專業人才	機械相關科系、高分子化學學系、熱力流力…等相關專業
同步更新日期	2024-09-03

序號

7076

產出年度

103

技術名稱-中文

透明導電膜印刷圖案化技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬中心創新前瞻技術研究計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

中華民國

已獲得專利之國家

無

技術現況敘述-中文

本技術主要以導電高分子為材料製作精細線路之透明導電薄膜，其圖案可為一般可視或隱形化，隱形化技術包括降低導電與非導電區的顏色對比，來達到隱形化之效果。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps

技術成熟度

試量產

可應用範圍

本技術可應用於觸控面板、電致變色薄膜、OLED、OPV..等產品

潛力預估

預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。

聯絡人員

劉冠志

電話

07-3513121#2623

傳真

07-3516597

電子信箱

kenny-liu@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

精密網印機、恆溫烤箱、

需具備之專業人才

機械相關科系、高分子化學學系、熱力流力…等相關專業

同步更新日期

2024-09-03

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電控化底盤整合網路通訊技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛底盤次系統關鍵技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1).具有兩個CAN bus通訊介面。(2).訊號傳輸速度最高達1 Mbps。(3).網路通訊符合ISO 11898標準。(4).系統整合通訊負載<5%。 \| 潛力預估: '應用於車輛電控化底盤次系統控制器開發，因應新世代運輸工具電子控制系統設計改型趨勢。' @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
電控化底盤整合網路通訊技術	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛智慧化關鍵技術研發及驗證三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1).具有兩個CAN bus通訊介面。(2).訊號傳輸速度最高達1 Mbps。(3).網路通訊符合ISO 11898標準。(4).系統整合通訊負載 \| 潛力預估: 應用於車輛電控化底盤次系統控制器開發，因應新世代運輸工具電子控制系統設計改型趨勢。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
限滑差速器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 車輛底盤次系統關鍵技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李國銘,謝幼安,劉進展,林佳賓 \| 證書號碼: M334231 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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壓力回饋式刮刀模組	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 劉冠志,洪國凱 \| 證書號碼: I408055 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
定張力捲繞裝置及其調控模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志 \| 證書號碼: US8,720,812 B2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
定張力捲繞裝置及其調控模組	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志.林崇田 \| 證書號碼: ZL201010582539.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
共平面三軸定位裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志.洪國凱 \| 證書號碼: I455789 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
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光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% <2% R/I=1.4598, U<+-0.0005 PSG, SiOxNy,GSG R/I =1.4645, U<+-0.0005 BPSG R/I =1.4598, U<... \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**

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