透明導電膜印刷圖案化技術
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技術名稱-中文透明導電膜印刷圖案化技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是103, 計畫名稱是金屬中心創新前瞻技術研究計畫, 領域是製造精進, 技術規格是圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps, 潛力預估是預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。.

序號	7076
產出年度	103
技術名稱-中文	透明導電膜印刷圖案化技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	金屬中心創新前瞻技術研究計畫
領域	製造精進
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	無
技術現況敘述-中文	本技術主要以導電高分子為材料製作精細線路之透明導電薄膜，其圖案可為一般可視或隱形化，隱形化技術包括降低導電與非導電區的顏色對比，來達到隱形化之效果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps
技術成熟度	試量產
可應用範圍	本技術可應用於觸控面板、電致變色薄膜、OLED、OPV..等產品
潛力預估	預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。
聯絡人員	劉冠志
電話	07-3513121#2623
傳真	07-3516597
電子信箱	kenny-liu@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw
所須軟硬體設備	精密網印機、恆溫烤箱、
需具備之專業人才	機械相關科系、高分子化學學系、熱力流力…等相關專業

序號

7076

產出年度

103

技術名稱-中文

透明導電膜印刷圖案化技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬中心創新前瞻技術研究計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

中華民國

已獲得專利之國家

無

技術現況敘述-中文

本技術主要以導電高分子為材料製作精細線路之透明導電薄膜，其圖案可為一般可視或隱形化，隱形化技術包括降低導電與非導電區的顏色對比，來達到隱形化之效果。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

圖案解析度:線寬100μm/線距100μm、印刷材料黏度:35000~65000cps

技術成熟度

試量產

可應用範圍

本技術可應用於觸控面板、電致變色薄膜、OLED、OPV..等產品

潛力預估

預期可以應用在薄膜型之觸控面板，其成本與ITO相較更可以降低30%，還有因其獨特之彎曲特性，成為未來軟性電子不可或缺之技術。

聯絡人員

劉冠志

電話

07-3513121#2623

傳真

07-3516597

電子信箱

kenny-liu@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

所須軟硬體設備

精密網印機、恆溫烤箱、

需具備之專業人才

機械相關科系、高分子化學學系、熱力流力…等相關專業

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電控化底盤整合網路通訊技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛底盤次系統關鍵技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1).具有兩個CAN bus通訊介面。(2).訊號傳輸速度最高達1 Mbps。(3).網路通訊符合ISO 11898標準。(4).系統整合通訊負載 \| 潛力預估: '應用於車輛電控化底盤次系統控制器開發，因應新世代運輸工具電子控制系統設計改型趨勢。' @ 技術司可移轉技術資料集
電控化底盤整合網路通訊技術	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛智慧化關鍵技術研發及驗證三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1).具有兩個CAN bus通訊介面。(2).訊號傳輸速度最高達1 Mbps。(3).網路通訊符合ISO 11898標準。(4).系統整合通訊負載 \| 潛力預估: 應用於車輛電控化底盤次系統控制器開發，因應新世代運輸工具電子控制系統設計改型趨勢。 @ 技術司可移轉技術資料集
限滑差速器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M334231 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 車輛底盤次系統關鍵技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李國銘 \| 謝幼安 \| 劉進展 \| 林佳賓 @ 技術司專利資料集
定張力捲繞裝置及其調控模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I409207 \| 專利期間起: 102/09/21 \| 專利期間訖: 119/11/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 劉冠志 \| 林崇田 @ 技術司專利資料集
壓力回饋式刮刀模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I408055 \| 專利期間起: 102/09/11 \| 專利期間訖: 118/06/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 劉冠志 \| 洪國凱 @ 技術司專利資料集
定張力捲繞裝置及其調控模組	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US8,720,812 B2 \| 專利期間起: 120/10/03 \| 專利期間訖: 捲繞系統在紡織、印染、造紙、冶金、軟性電子等行業應用很廣泛。多數情況下，會要求加工過程中保持張力恆定。但是捲繞過程則不同，隨著卷徑的增大，張力逐漸變小，如果伺服控制（變頻）器無法得知目前正確捲徑就會造... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志 @ 技術司專利資料集
定張力捲繞裝置及其調控模組	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL201010582539.4 \| 專利期間起: 119/12/09 \| 專利期間訖: 捲繞系統在紡織、印染、造紙、冶金、軟性電子等行業應用很廣泛。多數情況下，會要求加工過程中保持張力恆定。但是捲繞過程則不同，隨著卷徑的增大，張力逐漸變小，如果伺服控制（變頻）器無法得知目前正確捲徑就會造... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志.林崇田 @ 技術司專利資料集
共平面三軸定位裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I455789 \| 專利期間起: 120/11/21 \| 專利期間訖: 本發明係有關於一種共平面三軸定位裝置，其包含一固定平台、一第一驅動模組、二第二驅動模組及一定位模組，定位模組包含一定位平台、一第一驅動軸及二第二驅動軸。第一驅動模組及二第二驅動模組驅動第一驅動軸及二第... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 專利發明人: 劉冠志.洪國凱 @ 技術司專利資料集

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術