水下液壓機械手臂系統
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文水下液壓機械手臂系統的執行單位是船舶中心, 產出年度是103, 計畫名稱是離岸風電關聯船機技術開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是使用水深至少可達100公尺，手臂具6軸自由度(functions)含4組線性水下液壓缸、1組360度旋轉液壓馬達 (旋轉扭力16 Nm)、1組夾具(夾取水下濕式接頭)，運動角度以電位計控制回饋，控制通訊方式RS-232，伸直長度約900 mm，水平舉升(lift)力10 kg，最大拉力60 kg(插..., 潛力預估是水下液壓機械手臂可客製化產品，國際上的標準可分為採樣用的5軸以上或工作級7軸以上的機械手臂，每套約在100萬元至1000萬元之間，在國際市場上以海上油氣產業、離岸工程、軍事用途、科研用途為主，產值包含產品銷售及售後的維護服務，非常適合國內產業切入。.

序號7179
產出年度103
技術名稱-中文水下液壓機械手臂系統
執行單位船舶中心
產出單位(空)
計畫名稱離岸風電關聯船機技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文國際上使用於離岸風場及海事工程的工作級水下遙控載具皆須配備水下液壓機械手臂，以安裝水下設備、水下工程等。國內尚無產出水下液壓機械手臂之實績，缺乏水下液壓零件及產品整合技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格使用水深至少可達100公尺，手臂具6軸自由度(functions)含4組線性水下液壓缸、1組360度旋轉液壓馬達 (旋轉扭力16 Nm)、1組夾具(夾取水下濕式接頭)，運動角度以電位計控制回饋，控制通訊方式RS-232，伸直長度約900 mm，水平舉升(lift)力10 kg，最大拉力60 kg(插拔水下濕式接頭)。水下液壓動力單元輸出約2匹馬力，共12組電磁閥，1組控制器。操控系統可使用電腦鍵盤控制單軸運動，或使用多連桿遙控器多軸同動。配合水下液壓機械手臂操作訓練需求，備有一套操作模擬器，與此雛形外觀與性能皆一致。
技術成熟度雛型
可應用範圍搭配水下遙控載具(remotely operated vehicle, ROV)
潛力預估水下液壓機械手臂可客製化產品，國際上的標準可分為採樣用的5軸以上或工作級7軸以上的機械手臂，每套約在100萬元至1000萬元之間，在國際市場上以海上油氣產業、離岸工程、軍事用途、科研用途為主，產值包含產品銷售及售後的維護服務，非常適合國內產業切入。
聯絡人員湛翔智
電話02-28085899#408
傳真02-28085866
電子信箱hcchan@mail.soic.org.tw
參考網址http://www.soic.org.tw
所須軟硬體設備控制電腦、水下液壓動力單元、水下液壓機械手臂、水下液壓油路閥件整合系統、油壓管路、水下接頭、水下電纜、多連桿遙控器等。
需具備之專業人才水下技術、機構設計、電機工程、資訊工程、材料工程。
同步更新日期2023-07-22

序號

7179

產出年度

103

技術名稱-中文

水下液壓機械手臂系統

執行單位

船舶中心

產出單位

(空)

計畫名稱

離岸風電關聯船機技術開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

國際上使用於離岸風場及海事工程的工作級水下遙控載具皆須配備水下液壓機械手臂，以安裝水下設備、水下工程等。國內尚無產出水下液壓機械手臂之實績，缺乏水下液壓零件及產品整合技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

使用水深至少可達100公尺，手臂具6軸自由度(functions)含4組線性水下液壓缸、1組360度旋轉液壓馬達 (旋轉扭力16 Nm)、1組夾具(夾取水下濕式接頭)，運動角度以電位計控制回饋，控制通訊方式RS-232，伸直長度約900 mm，水平舉升(lift)力10 kg，最大拉力60 kg(插拔水下濕式接頭)。水下液壓動力單元輸出約2匹馬力，共12組電磁閥，1組控制器。操控系統可使用電腦鍵盤控制單軸運動，或使用多連桿遙控器多軸同動。配合水下液壓機械手臂操作訓練需求，備有一套操作模擬器，與此雛形外觀與性能皆一致。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

搭配水下遙控載具(remotely operated vehicle, ROV)

潛力預估

水下液壓機械手臂可客製化產品，國際上的標準可分為採樣用的5軸以上或工作級7軸以上的機械手臂，每套約在100萬元至1000萬元之間，在國際市場上以海上油氣產業、離岸工程、軍事用途、科研用途為主，產值包含產品銷售及售後的維護服務，非常適合國內產業切入。

聯絡人員

湛翔智

電話

02-28085899#408

傳真

02-28085866

電子信箱

hcchan@mail.soic.org.tw

參考網址

http://www.soic.org.tw

所須軟硬體設備

控制電腦、水下液壓動力單元、水下液壓機械手臂、水下液壓油路閥件整合系統、油壓管路、水下接頭、水下電纜、多連桿遙控器等。

需具備之專業人才

水下技術、機構設計、電機工程、資訊工程、材料工程。

同步更新日期

2023-07-22

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序號7180
產出年度103
技術名稱-中文海氣象觀測塔水下環境監控整合系統
執行單位船舶中心
產出單位(空)
計畫名稱離岸風電關聯船機技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文適用於經濟部「風力發電離岸系統示範獎勵辦法」的海氣象觀測塔之海洋環境(波浪、海流、海水鹽溫深度、潮位)測量規格，可整合水下噪音計、海底地震儀、其他水下儀器，技術突破在於可利用水下連接器之節點技術，整合跨廠牌的水下儀器，並可即時傳送測量資料。採用光纖與電力的水下複合電纜，可實現超長距離傳輸電力與資料之能力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格設計佈放海床水深50公尺，水密安全測試100公尺，水下波紋鎧裝複合光纖電纜線長度100公尺、銅導線6條(16 AWG)、單模光纖線6條(9/125 um)，電源供應24 VDC，水下系統含儀器在空氣中總重約40公斤，水下額定功率40 W，通訊介面(含各儀器)有RS-232、Ethenet、光纖SDH，海流儀採用Teledyne RDI Sentinel ADCP 600 kHz，波浪計為RDI Wave processing module，鹽溫深度計為SBE 37-SMP，水下噪音計為自行開發設計，搭配水下麥克風Teledyne Reson TC-4037，靈敏度約-193 dB re. 1V/uPa，資料處理器取樣頻率50 kHz，位元數16 bit。
技術成熟度試量產
可應用範圍離岸風場海氣象觀測塔之海象與水下測量、港灣監測海象、離岸工程水下監測、反潛作戰軍事應用、海洋防災監測等。
潛力預估水下環境監控整合系統之水下連接器以離岸風場海氣象觀測塔之用途來推估，每套約200萬元，水下波紋鎧裝複合光纖電纜每100公尺約20萬元，觀測塔上控制系統及資料儲存裝置每套約60萬元。系統海上安裝費用依照水深、儀器數量及觀測塔水下結構複雜度而調整，約需4-7工作天，費用約在200至400萬元之間。國內市場預估每年需求在1-2套，客戶包括離岸風場、中央氣象局、港務公司、海軍等。
聯絡人員湛翔智
電話02-28085899#408
傳真02-28085866
電子信箱hcchan@mail.soic.org.tw
參考網址www.soic.org.tw
所須軟硬體設備水下儀器(海流儀ADCP、波高計、鹽溫深度計CTD、水下噪音計、海底地震儀、其他)、水下連接器、水密盒、水下接頭、水下電纜光纖線、光纖數位資料傳輸器、通訊協定轉換器、資料處理器、資料儲存器、個人電腦、電源供應器、變壓器、穩壓器、固定保護架。
需具備之專業人才水下技術、電機工程、電子工程、資訊工程、材料工程、結構設計。
序號: 7180
產出年度: 103
技術名稱-中文: 海氣象觀測塔水下環境監控整合系統
執行單位: 船舶中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 離岸風電關聯船機技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 適用於經濟部「風力發電離岸系統示範獎勵辦法」的海氣象觀測塔之海洋環境(波浪、海流、海水鹽溫深度、潮位)測量規格，可整合水下噪音計、海底地震儀、其他水下儀器，技術突破在於可利用水下連接器之節點技術，整合跨廠牌的水下儀器，並可即時傳送測量資料。採用光纖與電力的水下複合電纜，可實現超長距離傳輸電力與資料之能力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 設計佈放海床水深50公尺，水密安全測試100公尺，水下波紋鎧裝複合光纖電纜線長度100公尺、銅導線6條(16 AWG)、單模光纖線6條(9/125 um)，電源供應24 VDC，水下系統含儀器在空氣中總重約40公斤，水下額定功率40 W，通訊介面(含各儀器)有RS-232、Ethenet、光纖SDH，海流儀採用Teledyne RDI Sentinel ADCP 600 kHz，波浪計為RDI Wave processing module，鹽溫深度計為SBE 37-SMP，水下噪音計為自行開發設計，搭配水下麥克風Teledyne Reson TC-4037，靈敏度約-193 dB re. 1V/uPa，資料處理器取樣頻率50 kHz，位元數16 bit。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 離岸風場海氣象觀測塔之海象與水下測量、港灣監測海象、離岸工程水下監測、反潛作戰軍事應用、海洋防災監測等。
潛力預估: 水下環境監控整合系統之水下連接器以離岸風場海氣象觀測塔之用途來推估，每套約200萬元，水下波紋鎧裝複合光纖電纜每100公尺約20萬元，觀測塔上控制系統及資料儲存裝置每套約60萬元。系統海上安裝費用依照水深、儀器數量及觀測塔水下結構複雜度而調整，約需4-7工作天，費用約在200至400萬元之間。國內市場預估每年需求在1-2套，客戶包括離岸風場、中央氣象局、港務公司、海軍等。
聯絡人員: 湛翔智
電話: 02-28085899#408
傳真: 02-28085866
電子信箱: hcchan@mail.soic.org.tw
參考網址: www.soic.org.tw
所須軟硬體設備: 水下儀器(海流儀ADCP、波高計、鹽溫深度計CTD、水下噪音計、海底地震儀、其他)、水下連接器、水密盒、水下接頭、水下電纜光纖線、光纖數位資料傳輸器、通訊協定轉換器、資料處理器、資料儲存器、個人電腦、電源供應器、變壓器、穩壓器、固定保護架。
需具備之專業人才: 水下技術、電機工程、電子工程、資訊工程、材料工程、結構設計。
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單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。

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