TSV製程開發及整合技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文TSV製程開發及整合技術的執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。, 潛力預估是與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力.

序號	8298
產出年度	105
技術名稱-中文	TSV製程開發及整合技術
執行單位	工研院電光系統所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	none
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體相關產品(CMOS Image Sensor、DRAM、Non-Volatile Memory、RF Chip、Logic Circuit)
潛力預估	與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力
聯絡人員	溫國城
電話	03-5915654
傳真	03-5917193
電子信箱	kcwen@itri.org.tw
參考網址	https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備	Photolithography, DRIE, PECVD, PVD, Electroplating, CMP
需具備之專業人才	半導體領域相關人才
同步更新日期	2024-09-03

序號

8298

產出年度

105

技術名稱-中文

TSV製程開發及整合技術

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

none

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體相關產品(CMOS Image Sensor、DRAM、Non-Volatile Memory、RF Chip、Logic Circuit)

潛力預估

與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力

聯絡人員

溫國城

電話

03-5915654

傳真

03-5917193

電子信箱

kcwen@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703

所須軟硬體設備

Photolithography, DRIE, PECVD, PVD, Electroplating, CMP

需具備之專業人才

半導體領域相關人才

同步更新日期

2024-09-03

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面光源以及可撓性面光源	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲 \| 證書號碼: ZL201210282372.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶片接合結構及其接合方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 \| 證書號碼: I534973 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... \| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

面光源以及可撓性面光源

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晶片接合結構及其接合方法

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厚膜光阻製程技術

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低應力薄膜製程技術

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矽晶深蝕刻製程技術

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3D基板式堆疊構裝技術

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增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

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銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

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螢光染料之應用	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 史脫克位移 > 80nm；螢光量子效率 =0.55；溶解度>0.4% \| 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方...
奈米碳纖製程技術	執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)；純度 > 90% (未純化產物)；產能 > 20g/天 \| 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...
4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
多晶矽平坦化技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 \| 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
4"奈米碳管場發射顯射器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
AMOLED畫素與驅動電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... \| 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 \| 潛力預估: Embedded 記憶體

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