新興三維記憶體電路設計暨系統驗證
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技術名稱-中文新興三維記憶體電路設計暨系統驗證的執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是記憶體功能晶片設計與測試技術開發 系統驗證 1Kb high density NVM (RRAM) macro Write/ Read time≦4us/2us VDDH≦5V Cell size≦4F^2 (F: Bitline Half-pitch), 潛力預估是本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性,也展示出取代快閃記憶體的可能性,此外,在製程上與現今CMOS製程完全相容,所以,具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外,可替代之技術來源皆為國外大廠。.

序號8310
產出年度105
技術名稱-中文新興三維記憶體電路設計暨系統驗證
執行單位工研院電光系統所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文可應用於三維堆疊式記憶體之電路設計及系統驗證技術
技術現況敘述-英文(空)
技術規格記憶體功能晶片設計與測試技術開發 系統驗證 1Kb high density NVM (RRAM) macro Write/ Read time≦4us/2us VDDH≦5V Cell size≦4F^2 (F: Bitline Half-pitch)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍半導體設計公司、IDM或記憶體製造廠商
潛力預估本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性,也展示出取代快閃記憶體的可能性,此外,在製程上與現今CMOS製程完全相容,所以,具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外,可替代之技術來源皆為國外大廠。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備記憶體電路設計繪圖及操作量測機台能力
需具備之專業人才須具半導體製造能力,或相關應用之設計能力。
同步更新日期2019-07-24

序號

8310

產出年度

105

技術名稱-中文

新興三維記憶體電路設計暨系統驗證

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

可應用於三維堆疊式記憶體之電路設計及系統驗證技術

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

記憶體功能晶片設計與測試技術開發 系統驗證 1Kb high density NVM (RRAM) macro Write/ Read time≦4us/2us VDDH≦5V Cell size≦4F^2 (F: Bitline Half-pitch)

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體設計公司、IDM或記憶體製造廠商

潛力預估

本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性,也展示出取代快閃記憶體的可能性,此外,在製程上與現今CMOS製程完全相容,所以,具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外,可替代之技術來源皆為國外大廠。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703

所須軟硬體設備

記憶體電路設計繪圖及操作量測機台能力

需具備之專業人才

須具半導體製造能力,或相關應用之設計能力。

同步更新日期

2019-07-24

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新興三維記憶體電路設計暨系統驗證

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 記憶體功能晶片設計與測試技術開發 系統驗證 1Kb high density NVM (RRAM) macro Write/ Read time≦4us/2us VDDH≦5V Cell s... | 潛力預估: 本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性,也展示出取代快閃記憶體的可能性,此外,在製程上與現今CMOS製程完全相容,所以,具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外,可替代之技術來源皆為...

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相變化記憶體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

相變化記憶體元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155

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MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

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用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

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相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

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高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

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相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

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應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

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相變化記憶體元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392

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相變化記憶體元件及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155

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MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

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用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

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相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

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高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

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相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

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應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

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顯示器用封裝材料技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 硬度(shore D) ≧50‧ 接著強度(Lap-Shear) ≧40kgf/cm2‧ 透光率 (製樣厚度1mm) ≧90% | 潛力預估: 10億新台幣

軟板用高性能接著劑技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Dk | 潛力預估: 中等

紅外線遮蔽奈米粉體與膠體製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Sb/Sn = 5~15%‧ 晶粒大小 < 10nm‧ 膠體固含量: 30%‧ 粒徑大小D50 | 潛力預估: 在亞熱帶地區越來越多大樓的玻璃窗與汽車玻璃都會加裝一層具有阻絕紫外線與紅外線射進室內的透明薄層濾光物質,以便達到抗UV與隔熱效果。台灣地區的汽車數量已超過2千萬五千輛,而其中會在車窗玻璃加裝隔熱紙的車...

液晶純化回收技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 比阻值:>1013 W Cm‧ 水份:95% | 潛力預估: 本技術用於TFT-LCD液晶回收純化之產值預估可達新台幣5~10億元。

UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

奈米混成高硬度塗料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 通過百格試驗、‧ 耐酒精擦拭、‧ 鉛筆硬度達3H、‧ 透光度>90%、Haze | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場,估計超過50億元。

R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 紅藍綠三色菲系電激發光高分子:‧ 分子量 > 100 K‧ 溶解度 > 1 wt.%/ml ﹙甲苯溶劑﹚‧ 藍光 EL & PL :420 ~ 450 nm‧ 綠光 EL & PL : 520 ~ 5... | 潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。

膠囊化液晶技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 粒徑2-10 um ± 2um‧ 阻值≧ 1013‧ 膜厚15um,‧ 對比>6‧ 驅動電壓:≦25 V‧ 反射率>35% | 潛力預估: 本計劃建立光調控分子結構設計與應用之技術基礎開發,此項技術可用於顯示器產業。預估技術衍生之應用產品,未來3年可增加新台幣20億以上之產值。

高倍數DVDR染料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ λmax = 570-580nm‧ 染料純度 >99 %‧ ε> 1x105‧ 溶解度≧2%‧ Td (TGA) > 150℃‧ mp >150℃ | 潛力預估: 台灣光碟廠延續CD-R光碟片之製造,DVDR光碟總產能之市佔率可望佔全球7成以上。日本Fujiwara預估2005年DVDR碟片市場需求較2004年成長近一倍,由2004年約20-22億片向上突破至逾...

顯示器用奈米級機能性光學薄膜-低抗反射膜

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 基材: 188μm. PET Film‧ 鉛筆硬度:2H‧ 穿透率>93﹪‧ 反射率 | 潛力預估: 可藉由塗料配方調整,可增加眩光、抗靜電、防污等功能,提高產品之附加價值。

O-PET光學膜研製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 透光率>85%‧ 吸水率0.4‧ CTE>90℃‧ 雙軸延伸倍率至少3倍 | 潛力預估: 全球觸控面板2005年可望達到123.2 億元新台幣,年複合成長率高達14 %。而台灣觸控面板2005年市場規模可望達到25.7 億新台幣,年複合成長率高達56.9 %。

可調變折射率封裝膠技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ilicone resin: 折射率達1.5以上, 厚度1mm,可見光波長範圍穿透度可達90% epoxy resin : 折射率達1.6以上, 厚度1mm穿透度可達90%,且通過環測項目 | 潛力預估: 根據拓墣產業研究所(TRI)的資料顯示,高亮度LED的市場產值已由2002年的18億擴大至2005年的26億美元,並可望維持每年20%的高度成長,而台灣的LED市場也有新台幣520億的規模。國內對於L...

高剛高韌環氧樹脂碳纖複材製備技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 抗折強度:≧ 132 Kgf/mm2‧ 抗折模數:≧ 11,000 Kgf/mm2‧ 衝擊強度:≧ 28 ft-lb/in of notch‧ 硬度:≧ 74 | 潛力預估: 可應用於製備運動休閒器材,電路基板,汽車航太產業用零件等,潛在市場預估應可達每年數億元以上

難燃機能性PU奈米樹脂技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 樹脂黏度≦30,000cps(@25oC)‧ 乾膜抗張強度:200-600kg/cm2‧ 乾膜延展性:200-600%‧ 乾膜難燃性符合UL94規範 | 潛力預估: 透過有機/無機奈米混成技術,開發難燃機能性PU奈米樹脂,提升產品附加價值,國內市場產值約50億元,相關合成皮應用產值約200億元以上,全球市場產值可達500億元,目前國內外尚無此類樹脂的開發與生產。

高效率菌液分離用不織布開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 菌液分離效率大於99%,菌液過濾效率大於5 L/m2.hr | 潛力預估: 本技術所研發的精密不織布過濾膜製程簡單、加工容易及成本低,濾膜具生化精密過濾功能,此技術可加速傳統產業拓展高附加價值生化過濾材料之開發,落實技術本土化策略,相關技術及產品可大幅提升不織布廠商之產品競爭...

顯示器用封裝材料技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 硬度(shore D) ≧50‧ 接著強度(Lap-Shear) ≧40kgf/cm2‧ 透光率 (製樣厚度1mm) ≧90% | 潛力預估: 10億新台幣

軟板用高性能接著劑技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Dk | 潛力預估: 中等

紅外線遮蔽奈米粉體與膠體製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Sb/Sn = 5~15%‧ 晶粒大小 < 10nm‧ 膠體固含量: 30%‧ 粒徑大小D50 | 潛力預估: 在亞熱帶地區越來越多大樓的玻璃窗與汽車玻璃都會加裝一層具有阻絕紫外線與紅外線射進室內的透明薄層濾光物質,以便達到抗UV與隔熱效果。台灣地區的汽車數量已超過2千萬五千輛,而其中會在車窗玻璃加裝隔熱紙的車...

液晶純化回收技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 比阻值:>1013 W Cm‧ 水份:95% | 潛力預估: 本技術用於TFT-LCD液晶回收純化之產值預估可達新台幣5~10億元。

UV交聯型顏料微粒化分散技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 顏料分散液顏料平均粒徑(D50):洋紅、黃色、藍色≦100 nm,黑色≦120 nm‧ 顏料分散液顏料含量≧15 wt%‧ 顏料分散液黏度≦70 cps‧ 經40℃、30天後,顏料粒徑變化小於30... | 潛力預估: Non-Volatile UV curable 顏料分散沒含溶劑,黏度低、高安定分散,微粒化分散粒徑

奈米混成高硬度塗料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 通過百格試驗、‧ 耐酒精擦拭、‧ 鉛筆硬度達3H、‧ 透光度>90%、Haze | 潛力預估: 應 用在光電薄膜、塑膠地磚、地板、木器、金屬及3C產業的耐磨高硬度塗料市場,估計超過50億元。

R.G.B. 菲系電激發光高分子聚合與純化技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 紅藍綠三色菲系電激發光高分子:‧ 分子量 > 100 K‧ 溶解度 > 1 wt.%/ml ﹙甲苯溶劑﹚‧ 藍光 EL & PL :420 ~ 450 nm‧ 綠光 EL & PL : 520 ~ 5... | 潛力預估: 本產品可應用於低成本FPD與平面光源,相關材料技術亦可應用於一般有機光電元件,如:太陽能電池、塑膠IC、感測元件…等。預估技術衍生之相關應用產品產值可達新台幣 50 億以上。

膠囊化液晶技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 粒徑2-10 um ± 2um‧ 阻值≧ 1013‧ 膜厚15um,‧ 對比>6‧ 驅動電壓:≦25 V‧ 反射率>35% | 潛力預估: 本計劃建立光調控分子結構設計與應用之技術基礎開發,此項技術可用於顯示器產業。預估技術衍生之應用產品,未來3年可增加新台幣20億以上之產值。

高倍數DVDR染料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ λmax = 570-580nm‧ 染料純度 >99 %‧ ε> 1x105‧ 溶解度≧2%‧ Td (TGA) > 150℃‧ mp >150℃ | 潛力預估: 台灣光碟廠延續CD-R光碟片之製造,DVDR光碟總產能之市佔率可望佔全球7成以上。日本Fujiwara預估2005年DVDR碟片市場需求較2004年成長近一倍,由2004年約20-22億片向上突破至逾...

顯示器用奈米級機能性光學薄膜-低抗反射膜

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 基材: 188μm. PET Film‧ 鉛筆硬度:2H‧ 穿透率>93﹪‧ 反射率 | 潛力預估: 可藉由塗料配方調整,可增加眩光、抗靜電、防污等功能,提高產品之附加價值。

O-PET光學膜研製技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 透光率>85%‧ 吸水率0.4‧ CTE>90℃‧ 雙軸延伸倍率至少3倍 | 潛力預估: 全球觸控面板2005年可望達到123.2 億元新台幣,年複合成長率高達14 %。而台灣觸控面板2005年市場規模可望達到25.7 億新台幣,年複合成長率高達56.9 %。

可調變折射率封裝膠技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ilicone resin: 折射率達1.5以上, 厚度1mm,可見光波長範圍穿透度可達90% epoxy resin : 折射率達1.6以上, 厚度1mm穿透度可達90%,且通過環測項目 | 潛力預估: 根據拓墣產業研究所(TRI)的資料顯示,高亮度LED的市場產值已由2002年的18億擴大至2005年的26億美元,並可望維持每年20%的高度成長,而台灣的LED市場也有新台幣520億的規模。國內對於L...

高剛高韌環氧樹脂碳纖複材製備技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 抗折強度:≧ 132 Kgf/mm2‧ 抗折模數:≧ 11,000 Kgf/mm2‧ 衝擊強度:≧ 28 ft-lb/in of notch‧ 硬度:≧ 74 | 潛力預估: 可應用於製備運動休閒器材,電路基板,汽車航太產業用零件等,潛在市場預估應可達每年數億元以上

難燃機能性PU奈米樹脂技術開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 樹脂黏度≦30,000cps(@25oC)‧ 乾膜抗張強度:200-600kg/cm2‧ 乾膜延展性:200-600%‧ 乾膜難燃性符合UL94規範 | 潛力預估: 透過有機/無機奈米混成技術,開發難燃機能性PU奈米樹脂,提升產品附加價值,國內市場產值約50億元,相關合成皮應用產值約200億元以上,全球市場產值可達500億元,目前國內外尚無此類樹脂的開發與生產。

高效率菌液分離用不織布開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 菌液分離效率大於99%,菌液過濾效率大於5 L/m2.hr | 潛力預估: 本技術所研發的精密不織布過濾膜製程簡單、加工容易及成本低,濾膜具生化精密過濾功能,此技術可加速傳統產業拓展高附加價值生化過濾材料之開發,落實技術本土化策略,相關技術及產品可大幅提升不織布廠商之產品競爭...

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