電磁閥微量洩漏量測技術
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技術名稱-中文電磁閥微量洩漏量測技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是105, 計畫名稱是車用電磁閥技術平台開發計畫, 領域是其他, 技術規格是1.可量測氣體微洩漏量(<10cm3/min)。 2.可量測的氣壓極限達15bar。 3.可依樣品更換治具，檢測程序自動化。, 潛力預估是以待測物需求設計自動定位治具，可廣泛應用至電磁閥、車用零組件、電子、生醫等產業。.

序號	8528
產出年度	105
技術名稱-中文	電磁閥微量洩漏量測技術
執行單位	金屬中心
產出單位	(空)
計畫名稱	車用電磁閥技術平台開發計畫
領域	其他
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	搭配空氣微量測試儀、PC_base即時控制及自動定位治具等技術的整合，開發出電磁閥微量洩漏量測技術，提供國內電磁閥產品檢測的解決方案(Total solution)。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.可量測氣體微洩漏量(<10cm3/min)。 2.可量測的氣壓極限達15bar。 3.可依樣品更換治具，檢測程序自動化。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	閥體、車用零件。
潛力預估	以待測物需求設計自動定位治具，可廣泛應用至電磁閥、車用零組件、電子、生醫等產業。
聯絡人員	尹菀珊
電話	07-3513121#2625
傳真	07-3533982
電子信箱	yinjoy@mail.mirdc.org.tw
參考網址	http://www.mirdc.org.tw/research/Technogy_detial.aspx?cond=A405100009&sty=03
所須軟硬體設備	LabView、Inventor、高壓儲氣模組、空氣測漏儀。
需具備之專業人才	閥體、車用零件相關產業人才。
同步更新日期	2024-09-03

序號

8528

產出年度

105

技術名稱-中文

電磁閥微量洩漏量測技術

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

車用電磁閥技術平台開發計畫

領域

其他

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

搭配空氣微量測試儀、PC_base即時控制及自動定位治具等技術的整合，開發出電磁閥微量洩漏量測技術，提供國內電磁閥產品檢測的解決方案(Total solution)。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.可量測氣體微洩漏量(<10cm3/min)。 2.可量測的氣壓極限達15bar。 3.可依樣品更換治具，檢測程序自動化。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

閥體、車用零件。

潛力預估

以待測物需求設計自動定位治具，可廣泛應用至電磁閥、車用零組件、電子、生醫等產業。

聯絡人員

尹菀珊

電話

07-3513121#2625

傳真

07-3533982

電子信箱

yinjoy@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw/research/Technogy_detial.aspx?cond=A405100009&sty=03

所須軟硬體設備

LabView、Inventor、高壓儲氣模組、空氣測漏儀。

需具備之專業人才

閥體、車用零件相關產業人才。

同步更新日期

2024-09-03

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雙層板精密對位之標記及其影像處理設計與方法	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微米級(um)定位/對位 \| 潛力預估: 此技術多運用於光電產業製造，亦可擴展運用至其他產業，技術泛用性極高 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
異平面及異尺寸精密對位技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可執行各式平面物件對位，以三軸同動誤差補償X/Y/theta偏移量，對位精度範圍：<±10µ \| 潛力預估: 觸控面板貼合機、軟板壓合機、晶粒固晶機、多層元件組裝 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
明膠包覆膠囊製備系統技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 益智機器人及微粒製備系統技術研發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 原料容量: 12L；生產速度:1.8 L/小時；粒徑範圍: 1~8 mm；產品:明膠膠囊，褐藻膠膠囊 \| 潛力預估: 本套實驗設備適用於液中硬化法的製程，生產速度快且調控性佳，取代進口設備而且可快速進行新產品研發，可廣泛應用至生醫、農化、食品、漁牧等產業。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
軟板CO2 Snow乾式噴洗設備技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.>0.5μm的particle移除率99%；2.靜電消除及表面溫度補償控制 35~ 60 ± 2°C；3.高效能噴嘴：噴嘴之snow出口速度大於300m/s \| 潛力預估: 可取代目前濕式清洗製程，減少大量使用有機溶劑，解決環保及缺水問題，創造每年約10億元的產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
大尺寸板件影像伺服整合精密對位技術	執行單位: 金屬中心 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1.平台尺寸:1200mm1400mm 2.對位精度:≦±5um 3.對位速度:≦5sec 4.影像擷取:4CCD \| 潛力預估: 光電、面板、半導體、太陽能、電路板等產品製程應用。** @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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阻斷奈米彈性材料技術	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
奈米高分子塗層材料及其製法	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
半導體基材輸送設備控制器開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 \| 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換
磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3% \| 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源...
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：0.5μm；馬達最快速度: 120m/min；馬達最快加速度: 1.5g；切割速度:~4000 Aperture/Hour；具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量<15,000Kg、三軸加速度1.5G、三軸移動速度90m/min、主軸24,000rpm、工作台交換系統轉速33.3rpm、定位精度土0.01mm、共振頻率>70Hz、靜剛性>1μm /kg... \| 潛力預估: 預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機研製能力，生產...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 供油壓力：20 bar；潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃)；切削力：Fa:1,000N,Ft:300N；滑軌長度:1,500mm；工作行程:750mm；工作台上最大荷重:750kg；最大運動速... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元