薄膜塗佈設備技術開發
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文薄膜塗佈設備技術開發的執行單位是精機中心, 產出年度是105, 計畫名稱是先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是1.28kHz超音波模組一型 2.14W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:100cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面, 潛力預估是非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。.

序號8716
產出年度105
技術名稱-中文薄膜塗佈設備技術開發
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家中華民國;中國大陸
已獲得專利之國家中華民國;中國大陸
技術現況敘述-中文1.本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,並擴展至R2R、單機型、實驗型等領域及用途,其最大特點為具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。 2.中華民國「超音波噴塗模組」、中華民國及中國大陸「複合型的超音波塗佈龍門機構」,共3案已取得申請案號。 3.中華民國「桌上立型噴塗機」、「壓力供料閉迴路控制系統」、「具自清潔的超音波塗佈設備」、中國大陸「具有自清潔的超聲波塗佈設備」、「環形供料導流裝置」,共5案已取得證號。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.28kHz超音波模組一型 2.14W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:100cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面
技術成熟度雛型
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)以及無線射頻辨識等,可大面積量產製作,有效提高產能。
潛力預估非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員李佶峰
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732 05-2351732
電子信箱e10116@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
同步更新日期2023-07-22

序號

8716

產出年度

105

技術名稱-中文

薄膜塗佈設備技術開發

執行單位

精機中心

產出單位

(空)

計畫名稱

先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

中華民國;中國大陸

已獲得專利之國家

中華民國;中國大陸

技術現況敘述-中文

1.本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,並擴展至R2R、單機型、實驗型等領域及用途,其最大特點為具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。 2.中華民國「超音波噴塗模組」、中華民國及中國大陸「複合型的超音波塗佈龍門機構」,共3案已取得申請案號。 3.中華民國「桌上立型噴塗機」、「壓力供料閉迴路控制系統」、「具自清潔的超音波塗佈設備」、中國大陸「具有自清潔的超聲波塗佈設備」、「環形供料導流裝置」,共5案已取得證號。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.28kHz超音波模組一型 2.14W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:100cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面

技術成熟度

雛型

可應用範圍

廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)以及無線射頻辨識等,可大面積量產製作,有效提高產能。

潛力預估

非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。

聯絡人員

李佶峰

電話

05-2919925#8873

傳真

05-2351732 05-2351732

電子信箱

e10116@mail.pmc.org.tw

參考網址

http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx

所須軟硬體設備

粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)

需具備之專業人才

機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師

同步更新日期

2023-07-22

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# 薄膜塗佈設備技術開發 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號7943
產出年度104
技術名稱-中文薄膜塗佈設備技術開發
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.28kHz超音波模組一型 2.8W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:50cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面
技術成熟度雛型
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜以及無線射頻辨識等。
潛力預估非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
序號: 7943
產出年度: 104
技術名稱-中文: 薄膜塗佈設備技術開發
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.28kHz超音波模組一型 2.8W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:50cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜以及無線射頻辨識等。
潛力預估: 非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備: 粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才: 機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
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# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號7193
產出年度103
技術名稱-中文卷對卷超音波塗佈設備
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家中華民國
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合卷對卷自動走帶設備,具有可以在非真空狀態下,連續精密鍍膜之能力,亦可透過陣列式多噴頭模組,來達到增加塗佈幅寬,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術已申請中華民國專利。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.28kHz超音波模組一型 2.120kHz超音波模組一型 3.塗布幅寬:30cm 4.材料利用率95%以上 5.塗布基材加熱≧300℃ 6.自動張力控制精度± 0.5% 7.自動收卷循邊精度±0.5mm 8.PC導引式人機介面
技術成熟度雛型
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜以及無線射頻辨識等。
潛力預估非真空的卷對卷超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,也可透過卷軸式連續快速生產,有效的提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、PLC程式
需具備之專業人才機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
序號: 7193
產出年度: 103
技術名稱-中文: 卷對卷超音波塗佈設備
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: 中華民國
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合卷對卷自動走帶設備,具有可以在非真空狀態下,連續精密鍍膜之能力,亦可透過陣列式多噴頭模組,來達到增加塗佈幅寬,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術已申請中華民國專利。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.28kHz超音波模組一型 2.120kHz超音波模組一型 3.塗布幅寬:30cm 4.材料利用率95%以上 5.塗布基材加熱≧300℃ 6.自動張力控制精度± 0.5% 7.自動收卷循邊精度±0.5mm 8.PC導引式人機介面
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜以及無線射頻辨識等。
潛力預估: 非真空的卷對卷超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,也可透過卷軸式連續快速生產,有效的提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、PLC程式
需具備之專業人才: 機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號7194
產出年度103
技術名稱-中文多通道自動進料系統
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本裝置藉可調控之壓縮空氣,充填於裝有液體之壓力桶內,於桶槽內部壓力大於環境(大氣)壓力時,流體會被擠壓至桶槽外部,利用此壓力供料原理可實現微小脈衝之漿料補充,可適用連續供料,達快速大量生產,符合廣大業界需求。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.儲料桶容積為5L 2.流量控制達± 2% 3.可人機控制桶槽內部壓力 4.可微調控制補料速度
技術成熟度試量產
可應用範圍應用於生醫科技、材料科學與化學工業和食品加工相關各種自動精密補料製程。
潛力預估利用壓力、液位感測器與電控閥,控制桶槽內部壓力與液位,透過流量計調整流量和流速,傳送訊號給電磁微動開關控制輸出流量,依不同桶槽壓力控制流量、流速,並達到微脈衝供料,此供料技術可用於精密連續供料需求設備。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備分析軟體ANSYS、可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才具機械、化學材料領域、流體工程、整合電控迴路等技術工程師
序號: 7194
產出年度: 103
技術名稱-中文: 多通道自動進料系統
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本裝置藉可調控之壓縮空氣,充填於裝有液體之壓力桶內,於桶槽內部壓力大於環境(大氣)壓力時,流體會被擠壓至桶槽外部,利用此壓力供料原理可實現微小脈衝之漿料補充,可適用連續供料,達快速大量生產,符合廣大業界需求。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.儲料桶容積為5L 2.流量控制達± 2% 3.可人機控制桶槽內部壓力 4.可微調控制補料速度
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 應用於生醫科技、材料科學與化學工業和食品加工相關各種自動精密補料製程。
潛力預估: 利用壓力、液位感測器與電控閥,控制桶槽內部壓力與液位,透過流量計調整流量和流速,傳送訊號給電磁微動開關控制輸出流量,依不同桶槽壓力控制流量、流速,並達到微脈衝供料,此供料技術可用於精密連續供料需求設備。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 分析軟體ANSYS、可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才: 具機械、化學材料領域、流體工程、整合電控迴路等技術工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號7195
產出年度103
技術名稱-中文多流體狹縫式塗佈模具
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家中華民國
已獲得專利之國家中華民國
技術現況敘述-中文本技術用計算流體力學模擬塗佈模具內部流場,設計以及最佳化流道幾何,模具流道設計為可更換式,當塗料流體性質改變時,以更換流道幾何的方式使模具可適用新的操作條件,節省模具製作成本。此技術已獲得中華民國專利證書。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 可更換內部流道設計,適用於剪切稀化流體 2. 模具塗佈寬幅300mm 3. 開口可調整設計 4. 塗佈均勻度±5%
技術成熟度試量產
可應用範圍應用於印刷電路板、儲能、平面顯示器、電子構裝、被動元件等。
潛力預估可更換流道模組設計讓塗佈模具適用不同流變性質的塗料,當塗佈製程操作條件更改時,只需抽換內部流道模組,讓模具適用於新的製程條件,可減少塗佈模具製作成本。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備工程模擬軟體ANSYS模流分析模組、3D繪圖軟體
需具備之專業人才具機械、流體工程、塗佈製程等技術工程師
序號: 7195
產出年度: 103
技術名稱-中文: 多流體狹縫式塗佈模具
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: 中華民國
已獲得專利之國家: 中華民國
技術現況敘述-中文: 本技術用計算流體力學模擬塗佈模具內部流場,設計以及最佳化流道幾何,模具流道設計為可更換式,當塗料流體性質改變時,以更換流道幾何的方式使模具可適用新的操作條件,節省模具製作成本。此技術已獲得中華民國專利證書。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1. 可更換內部流道設計,適用於剪切稀化流體 2. 模具塗佈寬幅300mm 3. 開口可調整設計 4. 塗佈均勻度±5%
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 應用於印刷電路板、儲能、平面顯示器、電子構裝、被動元件等。
潛力預估: 可更換流道模組設計讓塗佈模具適用不同流變性質的塗料,當塗佈製程操作條件更改時,只需抽換內部流道模組,讓模具適用於新的製程條件,可減少塗佈模具製作成本。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 工程模擬軟體ANSYS模流分析模組、3D繪圖軟體
需具備之專業人才: 具機械、流體工程、塗佈製程等技術工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號7196
產出年度103
技術名稱-中文龍門型噴塗設備
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家中華民國、中國大陸
已獲得專利之國家中華民國、中國大陸
技術現況敘述-中文本設備以陣列式多噴頭製作1.2M以上大面積生產塗佈整線,配合精密流量控制系統可輸出高精度與高重現性流量,適用於量產各式大面積寬幅之薄膜。此技術已獲得中華民國及中國大陸專利證書。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.1.2M以上大面積陣列式超音波塗佈 2.連續性精密供料系統 3.全機耐腐蝕設計製作 4.各項製程參數可人機控制
技術成熟度試量產
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如,硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜及各式塗佈製程等。
潛力預估可取代昂貴真空塗佈製程,大量降低製造成本,廣泛應用於各式大面積精密塗佈製程,增進產能;並帶動光電薄膜產業發展。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備結構力學分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才機械工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
序號: 7196
產出年度: 103
技術名稱-中文: 龍門型噴塗設備
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: 中華民國、中國大陸
已獲得專利之國家: 中華民國、中國大陸
技術現況敘述-中文: 本設備以陣列式多噴頭製作1.2M以上大面積生產塗佈整線,配合精密流量控制系統可輸出高精度與高重現性流量,適用於量產各式大面積寬幅之薄膜。此技術已獲得中華民國及中國大陸專利證書。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.1.2M以上大面積陣列式超音波塗佈 2.連續性精密供料系統 3.全機耐腐蝕設計製作 4.各項製程參數可人機控制
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如,硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜及各式塗佈製程等。
潛力預估: 可取代昂貴真空塗佈製程,大量降低製造成本,廣泛應用於各式大面積精密塗佈製程,增進產能;並帶動光電薄膜產業發展。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 結構力學分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才: 機械工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號7941
產出年度104
技術名稱-中文化合物材料製程設備技術
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文本製程設備技術是藉由所開發之超音波塗佈設備,進行化合物材料噴塗製程參數控制,來達到薄膜特性最佳化之目標,此技術包含「材料製程參數控制技術」、「材料噴塗參數最佳化技術」及「材料研磨與奈米分散技術」。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格依據材料特性定義噴塗設定參數,包括: 1.流量(ml/hr) 2.行程速度(mm/s) 3.導氣氣壓(KPa) 4.行走間距(mm) 5.噴頭高度(mm) 6.表面處理:UV照光、電漿等
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗參數控制技術,如:硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、阻障層薄膜(SiO2)及各式化合物漿料等。
潛力預估利用化合物材料噴塗製程參數調控,透過簡單的材料特性分析,以達到薄膜性能為目標,建立材料特性對應噴塗參數之系統數據,此技術可適用於各式需精密成膜之功能性塗料。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才具機械、化學材料領域、塗佈製程等技術工程師
序號: 7941
產出年度: 104
技術名稱-中文: 化合物材料製程設備技術
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 本製程設備技術是藉由所開發之超音波塗佈設備,進行化合物材料噴塗製程參數控制,來達到薄膜特性最佳化之目標,此技術包含「材料製程參數控制技術」、「材料噴塗參數最佳化技術」及「材料研磨與奈米分散技術」。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 依據材料特性定義噴塗設定參數,包括: 1.流量(ml/hr) 2.行程速度(mm/s) 3.導氣氣壓(KPa) 4.行走間距(mm) 5.噴頭高度(mm) 6.表面處理:UV照光、電漿等
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗參數控制技術,如:硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、阻障層薄膜(SiO2)及各式化合物漿料等。
潛力預估: 利用化合物材料噴塗製程參數調控,透過簡單的材料特性分析,以達到薄膜性能為目標,建立材料特性對應噴塗參數之系統數據,此技術可適用於各式需精密成膜之功能性塗料。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備: 可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才: 具機械、化學材料領域、塗佈製程等技術工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號7942
產出年度104
技術名稱-中文設備自動化技術
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家
已獲得專利之國家
技術現況敘述-中文設備自動化技術藉由PLC控制與PC BASE進行機電整合,可實現多點數邏輯控制、多軸伺服定位、數據收集以及數值演算等功能,能大幅提高產品製造效率與穩定性。此技術包含「導引式人機介面開發技術」、「自動化順序流程控制系統技術」、「噴塗系統控制技術」及「機電設計整合技術」。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.邏輯控制輸出、輸入反應時間最快1ms。 2.伺服定位精度±0.1mm。 3.數據收集點數5000 point/s。 4.控制器介面支援RS232、RS485、Ethernet介面。
技術成熟度雛型
可應用範圍技術可應用範圍相當廣泛如機械製造、食品、玻璃、薄膜製造等機電整合領域。
潛力預估自動化設備技術,透過PC、PLC藉由ethernet傳輸等介面,收集底層製造設備相關參數與即時狀態,進行線上監控,可迎接未來工業4.0科技趨勢。
聯絡人員林耀堂
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備可程式控制(PLC) 程式語言開發環境(PC)
需具備之專業人才機械工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
序號: 7942
產出年度: 104
技術名稱-中文: 設備自動化技術
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家:
已獲得專利之國家:
技術現況敘述-中文: 設備自動化技術藉由PLC控制與PC BASE進行機電整合,可實現多點數邏輯控制、多軸伺服定位、數據收集以及數值演算等功能,能大幅提高產品製造效率與穩定性。此技術包含「導引式人機介面開發技術」、「自動化順序流程控制系統技術」、「噴塗系統控制技術」及「機電設計整合技術」。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.邏輯控制輸出、輸入反應時間最快1ms。 2.伺服定位精度±0.1mm。 3.數據收集點數5000 point/s。 4.控制器介面支援RS232、RS485、Ethernet介面。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 技術可應用範圍相當廣泛如機械製造、食品、玻璃、薄膜製造等機電整合領域。
潛力預估: 自動化設備技術,透過PC、PLC藉由ethernet傳輸等介面,收集底層製造設備相關參數與即時狀態,進行線上監控,可迎接未來工業4.0科技趨勢。
聯絡人員: 林耀堂
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e8404@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw
所須軟硬體設備: 可程式控制(PLC) 程式語言開發環境(PC)
需具備之專業人才: 機械工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師

# 05-2919925 8873 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號8701
產出年度105
技術名稱-中文化合物材料製程設備技術
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文透過自主研發之超音波塗佈設備,搭配不同化合物漿料進行噴塗製程參數的控制,包括流量、行程速度、導氣氣壓、行走間距、噴頭高度及表面處理方式等,來達到良好的成膜效果且薄膜特性最佳化之目標,此技術包含「材料製程參數控制技術」、「材料噴塗參數最佳化技術」及「材料研磨與奈米分散技術」。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格依據材料特性定義噴塗設定參數,包括: 1.流量(ml/hr) 2.行程速度(mm/s) 3.導氣氣壓(KPa) 4.行走間距(mm) 5.噴頭高度(mm) 6.表面處理:UV照光、電漿等
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍技術可應用於多種功能性之漿料噴塗參數控制技術,如:銅銦鎵硒(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、阻障層薄膜(SiO2)、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)及各式化合物漿料等。
潛力預估利用化合物材料噴塗製程參數調控,透過簡單的材料特性分析,以達到薄膜性能為目標,建立材料特性對應噴塗參數之系統數據,此技術可適用於各式需精密成膜之功能性塗料。
聯絡人員李佶峰
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732
電子信箱e10116@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才具機械、化學材料領域、塗佈製程等技術工程師
序號: 8701
產出年度: 105
技術名稱-中文: 化合物材料製程設備技術
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 透過自主研發之超音波塗佈設備,搭配不同化合物漿料進行噴塗製程參數的控制,包括流量、行程速度、導氣氣壓、行走間距、噴頭高度及表面處理方式等,來達到良好的成膜效果且薄膜特性最佳化之目標,此技術包含「材料製程參數控制技術」、「材料噴塗參數最佳化技術」及「材料研磨與奈米分散技術」。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 依據材料特性定義噴塗設定參數,包括: 1.流量(ml/hr) 2.行程速度(mm/s) 3.導氣氣壓(KPa) 4.行走間距(mm) 5.噴頭高度(mm) 6.表面處理:UV照光、電漿等
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 技術可應用於多種功能性之漿料噴塗參數控制技術,如:銅銦鎵硒(CIGS)薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、阻障層薄膜(SiO2)、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)及各式化合物漿料等。
潛力預估: 利用化合物材料噴塗製程參數調控,透過簡單的材料特性分析,以達到薄膜性能為目標,建立材料特性對應噴塗參數之系統數據,此技術可適用於各式需精密成膜之功能性塗料。
聯絡人員: 李佶峰
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732
電子信箱: e10116@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 可程式控制(PLC)、程式語言開發環境
需具備之專業人才: 具機械、化學材料領域、塗佈製程等技術工程師
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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

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