維晶有限公司
- 食品業者登錄資料集 @ 衛生福利部食品藥物管理署

公司或商業登記名稱維晶有限公司的公司統一編號是90226866, 登錄項目是公司/商業登記, 業者地址是台中市豐原區府前街87之10號, 食品業者登錄字號是B-190226866-00000-8.

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公司或商業登記名稱維晶有限公司
公司統一編號90226866
業者地址台中市豐原區府前街87之10號
食品業者登錄字號B-190226866-00000-8
登錄項目公司/商業登記
同步更新日期2024-04-20

公司或商業登記名稱

維晶有限公司

公司統一編號

90226866

業者地址

台中市豐原區府前街87之10號

食品業者登錄字號

B-190226866-00000-8

登錄項目

公司/商業登記

同步更新日期

2024-04-20

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@ 維晶有限公司 於 出進口廠商登記資料

統一編號90226866
原始登記日期20230302
核發日期20230912
廠商中文名稱維晶有限公司
廠商英文名稱MISS DAZZLING BIOTECHNOLOGY LTD.
中文營業地址臺中市豐原區府前街87之10號
英文營業地址No. 87-10, Fuqian St., Fengyuan Dist., Taichung City 420003, Taiwan (R.O.C.)
代表人林O白
電話號碼0971678120
傳真號碼(空)
進口資格
出口資格
統一編號: 90226866
原始登記日期: 20230302
核發日期: 20230912
廠商中文名稱: 維晶有限公司
廠商英文名稱: MISS DAZZLING BIOTECHNOLOGY LTD.
中文營業地址: 臺中市豐原區府前街87之10號
英文營業地址: No. 87-10, Fuqian St., Fengyuan Dist., Taichung City 420003, Taiwan (R.O.C.)
代表人: 林O白
電話號碼: 0971678120
傳真號碼: (空)
進口資格:
出口資格:

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# 90226866 於 出進口廠商登記資料

統一編號90226866
原始登記日期20230302
核發日期20230912
廠商中文名稱維晶有限公司
廠商英文名稱MISS DAZZLING BIOTECHNOLOGY LTD.
中文營業地址臺中市豐原區府前街87之10號
英文營業地址No. 87-10, Fuqian St., Fengyuan Dist., Taichung City 420003, Taiwan (R.O.C.)
代表人林O白
電話號碼0971678120
傳真號碼(空)
進口資格
出口資格
統一編號: 90226866
原始登記日期: 20230302
核發日期: 20230912
廠商中文名稱: 維晶有限公司
廠商英文名稱: MISS DAZZLING BIOTECHNOLOGY LTD.
中文營業地址: 臺中市豐原區府前街87之10號
英文營業地址: No. 87-10, Fuqian St., Fengyuan Dist., Taichung City 420003, Taiwan (R.O.C.)
代表人: 林O白
電話號碼: 0971678120
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# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號14026
產出年度103
領域別智慧科技
專利名稱-中文三維晶片的堆疊結構與堆疊方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人周永發 ,蒯定明
核准國家美國
獲證日期103/04/29
證書號碼8,710,676
專利期間起120/08/25
專利期間訖一種三維晶片的堆疊結構與堆疊方法。所提之堆疊方法包括:將邏輯晶片區分為功能晶片與輸出入晶片;將功能晶片堆疊在輸出入晶片的上方;以及將至少一記憶體晶片堆疊在功能晶片與輸出入晶片之間。
專利性質發明
技術摘要-中文一種三維晶片的堆疊結構與堆疊方法。所提之堆疊方法包括:將邏輯晶片區分為功能晶片與輸出入晶片;將功能晶片堆疊在輸出入晶片的上方;以及將至少一記憶體晶片堆疊在功能晶片與輸出入晶片之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14026
產出年度: 103
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 三維晶片的堆疊結構與堆疊方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 周永發 ,蒯定明
核准國家: 美國
獲證日期: 103/04/29
證書號碼: 8,710,676
專利期間起: 120/08/25
專利期間訖: 一種三維晶片的堆疊結構與堆疊方法。所提之堆疊方法包括:將邏輯晶片區分為功能晶片與輸出入晶片;將功能晶片堆疊在輸出入晶片的上方;以及將至少一記憶體晶片堆疊在功能晶片與輸出入晶片之間。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種三維晶片的堆疊結構與堆疊方法。所提之堆疊方法包括:將邏輯晶片區分為功能晶片與輸出入晶片;將功能晶片堆疊在輸出入晶片的上方;以及將至少一記憶體晶片堆疊在功能晶片與輸出入晶片之間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號14052
產出年度103
領域別智慧科技
專利名稱-中文在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位工研院電光所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人周永發 ,蒯定明
核准國家美國
獲證日期103/10/07
證書號碼8,854,853
專利期間起121/11/20
專利期間訖一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
專利性質發明
技術摘要-中文一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 14052
產出年度: 103
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 周永發 ,蒯定明
核准國家: 美國
獲證日期: 103/10/07
證書號碼: 8,854,853
專利期間起: 121/11/20
專利期間訖: 一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 維晶 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號8301
產出年度105
技術名稱-中文三維積體電路(3DIC)導通孔(TSV)技術
執行單位工研院電光系統所
產出單位(空)
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文技術名稱(英文) : 在三維積體電路技術中,導通孔(TSV)是晶片與晶片間互連的最新技術,與以往傳統的IC封裝堆疊技術不同之處是它可以提供三維的垂直導通路徑,並有增加晶片的堆疊密度,提昇產品速度與降低功率消耗,且達到多功能整合等特性。目前工研院的導通孔技術主要分為三個主軸發展:(1) Via-middle技術:把TSV引入於傳統IC製程的前段製程與後段製程之間,並利用後段製程的佈線將TSV連通到元件與訊號源,可提供靈活的整體電路設計度並增進操作表現。(2) Frontside Via-last技術:在傳統IC製程的後段製程完成之後再進行TSV製程,此技法可提供不同應用之各種製造技術以TSV加以整合成為三維晶片。(3) Backside Via-last技術:做完正面之IC製程之後,而從背面將晶圓磨薄之後進行背面的TSV製程,並連接至正面金屬佈線,此技法期望解決在晶圓正面進行TSV製程所可能產生的製程瓶頸,並減少製程成本。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧TSV Via size ≦20um的製程模組開發 ‧Via last製程整合開發。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍‧CMOS Image Sensor (CMOS圖像感應器) ‧DRAM (動態記憶體) ‧Non-volatile memory (非揮發性記憶體) ‧RF Chip (射頻晶片) ‧Logic Circuit (邏輯電路)
潛力預估3DIC可以整合不同元件高度整合設計,使得模組構裝體積縮小,晶片經由三維堆疊並藉由TSV 的導通,使得訊號路徑縮短,模組效能增加,應用於高效能整合性系統模組必然成為趨勢。
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5917193
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP
需具備之專業人才半導體製程能力、電機、電子、材料、物理等背景
序號: 8301
產出年度: 105
技術名稱-中文: 三維積體電路(3DIC)導通孔(TSV)技術
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 技術名稱(英文) : 在三維積體電路技術中,導通孔(TSV)是晶片與晶片間互連的最新技術,與以往傳統的IC封裝堆疊技術不同之處是它可以提供三維的垂直導通路徑,並有增加晶片的堆疊密度,提昇產品速度與降低功率消耗,且達到多功能整合等特性。目前工研院的導通孔技術主要分為三個主軸發展:(1) Via-middle技術:把TSV引入於傳統IC製程的前段製程與後段製程之間,並利用後段製程的佈線將TSV連通到元件與訊號源,可提供靈活的整體電路設計度並增進操作表現。(2) Frontside Via-last技術:在傳統IC製程的後段製程完成之後再進行TSV製程,此技法可提供不同應用之各種製造技術以TSV加以整合成為三維晶片。(3) Backside Via-last技術:做完正面之IC製程之後,而從背面將晶圓磨薄之後進行背面的TSV製程,並連接至正面金屬佈線,此技法期望解決在晶圓正面進行TSV製程所可能產生的製程瓶頸,並減少製程成本。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: ‧TSV Via size ≦20um的製程模組開發 ‧Via last製程整合開發。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: ‧CMOS Image Sensor (CMOS圖像感應器) ‧DRAM (動態記憶體) ‧Non-volatile memory (非揮發性記憶體) ‧RF Chip (射頻晶片) ‧Logic Circuit (邏輯電路)
潛力預估: 3DIC可以整合不同元件高度整合設計,使得模組構裝體積縮小,晶片經由三維堆疊並藉由TSV 的導通,使得訊號路徑縮短,模組效能增加,應用於高效能整合性系統模組必然成為趨勢。
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5917193
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備: Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP
需具備之專業人才: 半導體製程能力、電機、電子、材料、物理等背景

# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號16417
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位工研院電光所
產出單位工研院資通所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人周永發 ,蒯定明
核准國家中華民國
獲證日期104/05/11
證書號碼I482165
專利期間起104/04/21
專利期間訖120/09/12
專利性質發明
技術摘要-中文一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 16417
產出年度: 104
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 在三維晶片堆疊後可修補記憶體的技術
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 周永發 ,蒯定明
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/05/11
證書號碼: I482165
專利期間起: 104/04/21
專利期間訖: 120/09/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種三維晶片,堆疊一顆含有控制器之晶片與至少一顆含有記憶體之晶片,其中記憶體晶片除了原有的儲存容量之外,還包括:多個備份記憶胞與一具有外部啟動功能的可轉址電路。在記憶體晶片與控制器晶片完成堆疊之後,控制器晶片仍可透過至少一個穿矽孔以啟動記憶體晶片中的備份記憶胞來修補記憶體晶片上損壞或不良的記憶胞,不論其於堆疊前已修補與否。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳玲君
電話: 03-5913792
傳真: 03-5917690
電子信箱: KellyChen@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 維晶 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號8157
產出年度105
技術名稱-中文多晶片堆疊系統與其晶片選擇裝置
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院環境建構總計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家美國、台灣
已獲得專利之國家美國、台灣
技術現況敘述-中文提供在三維晶片堆疊系統的應用下,各堆疊晶片層可產生各自相異的 識別訊號,以供系統識別與選擇
技術現況敘述-英文(空)
技術規格廣泛用於各種CMOS製程
技術成熟度雛型
可應用範圍可應用於三維晶片堆疊
潛力預估本技術可應用在三維晶片堆疊系統,做為晶片選擇用途
聯絡人員吳明學
電話03-5917313
傳真03-5912040
電子信箱hair@itri.org.tw
參考網址http://www.google.ch/patents/US8269521
所須軟硬體設備積體電路設計環境
需具備之專業人才積體電路設計
序號: 8157
產出年度: 105
技術名稱-中文: 多晶片堆疊系統與其晶片選擇裝置
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
領域: 智慧科技
已申請專利之國家: 美國、台灣
已獲得專利之國家: 美國、台灣
技術現況敘述-中文: 提供在三維晶片堆疊系統的應用下,各堆疊晶片層可產生各自相異的 識別訊號,以供系統識別與選擇
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 廣泛用於各種CMOS製程
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 可應用於三維晶片堆疊
潛力預估: 本技術可應用在三維晶片堆疊系統,做為晶片選擇用途
聯絡人員: 吳明學
電話: 03-5917313
傳真: 03-5912040
電子信箱: hair@itri.org.tw
參考網址: http://www.google.ch/patents/US8269521
所須軟硬體設備: 積體電路設計環境
需具備之專業人才: 積體電路設計

# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號893
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220305
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構,其係應用在多晶片堆疊整合技術中,其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片,而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構,另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱,本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置,且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板,因此晶片產生的熱,直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散,提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間,而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程,故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 893
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 220305
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構,其係應用在多晶片堆疊整合技術中,其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片,而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構,另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱,本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置,且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板,因此晶片產生的熱,直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散,提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間,而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程,故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工,95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號18292
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文晶片堆疊結構及其製作方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陸蘇財 ,莊敬業
核准國家美國
獲證日期105/02/04
證書號碼9,184,153
專利期間起105/01/05
專利期間訖122/10/08
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片堆疊結構,係以晶圓作為堆疊基底,並在晶圓上進行晶片堆疊。透過此接合架構可達成高密度的電極接合,還可解決目前三維晶片構裝需要中介基板作為轉接界面的技術瓶頸。由於此晶片堆疊結構的製程簡單,且相容於晶圓級製程,因此可以縮短製程時間,降低製程成本。所述晶片堆疊結構的製作方法亦被提出。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員王欽宏
電話03-5912225
傳真03-5820374
電子信箱Jerry_Wang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000157US
特殊情形(空)
序號: 18292
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 晶片堆疊結構及其製作方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業
核准國家: 美國
獲證日期: 105/02/04
證書號碼: 9,184,153
專利期間起: 105/01/05
專利期間訖: 122/10/08
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片堆疊結構,係以晶圓作為堆疊基底,並在晶圓上進行晶片堆疊。透過此接合架構可達成高密度的電極接合,還可解決目前三維晶片構裝需要中介基板作為轉接界面的技術瓶頸。由於此晶片堆疊結構的製程簡單,且相容於晶圓級製程,因此可以縮短製程時間,降低製程成本。所述晶片堆疊結構的製作方法亦被提出。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 王欽宏
電話: 03-5912225
傳真: 03-5820374
電子信箱: Jerry_Wang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000157US
特殊情形: (空)

# 維晶 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號18291
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文芯片堆疊結構及其制造方法
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陸蘇財 ,莊敬業
核准國家中國大陸
獲證日期105/07/27
證書號碼ZL201210144530.4
專利期間起105/06/28
專利期間訖123/03/11
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶片堆疊結構,係以晶圓作為堆疊基底,並在晶圓上進行晶片堆疊。透過此接合架構可達成高密度的電極接合,還可解決目前三維晶片構裝需要中介基板作為轉接界面的技術瓶頸。由於此晶片堆疊結構的製程簡單,且相容於晶圓級製程,因此可以縮短製程時間,降低製程成本。所述晶片堆疊結構的製作方法亦被提出。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員王欽宏
電話03-5912225
傳真03-5820374
電子信箱Jerry_Wang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51000157CN
特殊情形(空)
序號: 18291
產出年度: 105
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 芯片堆疊結構及其制造方法
執行單位: 工研院電光系統所
產出單位: 工研院電光系統所
計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 105/07/27
證書號碼: ZL201210144530.4
專利期間起: 105/06/28
專利期間訖: 123/03/11
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶片堆疊結構,係以晶圓作為堆疊基底,並在晶圓上進行晶片堆疊。透過此接合架構可達成高密度的電極接合,還可解決目前三維晶片構裝需要中介基板作為轉接界面的技術瓶頸。由於此晶片堆疊結構的製程簡單,且相容於晶圓級製程,因此可以縮短製程時間,降低製程成本。所述晶片堆疊結構的製作方法亦被提出。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 王欽宏
電話: 03-5912225
傳真: 03-5820374
電子信箱: Jerry_Wang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: P51000157CN
特殊情形: (空)
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公司地址負責人統一編號狀態

臺北市中正區南昌路1段37號4樓
林鼎堯28838388核准設立

雲林縣斗六市鎮西里府中街16號2樓
鄧國偉55962698核准設立

新北市蘆洲區民族路580號4樓
吳淑敏70656796核准設立

新北市中和區中山路2段351號6樓之1
李慧玲80295147核准設立

臺中市豐原區府前街87之10號
林浩白90226866核准設立

臺北市中山區南京東路3段189號4樓
賴彥維54357792解散 (核准解散日期: 2015-07-02)

高雄市左營區文敬路123巷2號
曾慶勇38734643歇業 - 獨資 (核准文號: 10562278000)

雲林縣斗六市鎮南里武陵街九七號一樓
鄧國偉45381222核准設立 - 獨資

登記地址: 臺北市中正區南昌路1段37號4樓 | 負責人: 林鼎堯 | 統編: 28838388 | 核准設立

登記地址: 雲林縣斗六市鎮西里府中街16號2樓 | 負責人: 鄧國偉 | 統編: 55962698 | 核准設立

登記地址: 新北市蘆洲區民族路580號4樓 | 負責人: 吳淑敏 | 統編: 70656796 | 核准設立

登記地址: 新北市中和區中山路2段351號6樓之1 | 負責人: 李慧玲 | 統編: 80295147 | 核准設立

登記地址: 臺中市豐原區府前街87之10號 | 負責人: 林浩白 | 統編: 90226866 | 核准設立

登記地址: 臺北市中山區南京東路3段189號4樓 | 負責人: 賴彥維 | 統編: 54357792 | 解散 (核准解散日期: 2015-07-02)

登記地址: 高雄市左營區文敬路123巷2號 | 負責人: 曾慶勇 | 統編: 38734643 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 10562278000)

登記地址: 雲林縣斗六市鎮南里武陵街九七號一樓 | 負責人: 鄧國偉 | 統編: 45381222 | 核准設立 - 獨資

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