Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol的核准國家是美國, 證書號碼是6740786B1, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 專利發明人是鍾顯政,古旺彩,梁仲謀.

序號	50
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫
專利發明人	鍾顯政 \| 古旺彩 \| 梁仲謀
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6740786B1
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	The method for preparing 2,2,3,4,4,4-hexafiuoro-l-butanol includes reacting methanol and hexafluoropropene in the presence of a free radical initiator such as di-isopropyl peroxydicarbonate at 25-50 C. and a pressure of 100-300 psi in an autoclave. An inert gas such as nitrogen and argon is added to the autoclave when the pressure is lower than 100 psi in the course of the reaction
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	蘇文炯
電話	(03)4458047
傳真	(03)4719940
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

Method for the Preparation of 2, 2, 3,4,4,4-Hexafluoro -I-Butanol

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫

專利發明人

鍾顯政 | 古旺彩 | 梁仲謀

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6740786B1

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

The method for preparing 2,2,3,4,4,4-hexafiuoro-l-butanol includes reacting methanol and hexafluoropropene in the presence of a free radical initiator such as di-isopropyl peroxydicarbonate at 25-50 C. and a pressure of 100-300 psi in an autoclave. An inert gas such as nitrogen and argon is added to the autoclave when the pressure is lower than 100 psi in the course of the reaction

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蘇文炯

電話

(03)4458047

傳真

(03)4719940

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備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

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EpoxyResin,CuringAgentand9,10-Dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthreneDerivative	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7897702B2 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 117/11/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 蘇文 \| 劉俊谷 \| 鄭如忠 \| 戴憲宏 \| 林慶炫 @ 技術司專利資料集
透明功能性導電樹脂研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 抗靜電包裝高分子材、無塵室防靜電板材、EMI/RFI遮蔽材、雷達波吸收材等 @ 技術司可移轉技術資料集
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無鹵難燃熱熔膠研製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 難燃等級UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg) > 80℃、軟化點 > 150℃、黏度(180℃) 8000 ~ 11500 mPas、接著剪斷強度(25℃) > 2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-1... \| 潛力預估: 熱熔膠年產值約36100公噸，其中難燃級佔5%，年成長率6-7%，環保型熱熔膠為未來趨勢，配合歐盟2006年禁用溴係難燃劑法規，商機無限 @ 技術司可移轉技術資料集
三聚氰胺衍生物包覆聚磷酸銨研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 磷含量30-31%，聚合度n＞1000 \| 潛力預估: 高磷含量的無機磷化物在適當相容性材質具高使用價值，以自製三聚氰胺衍生物應用於包覆，可提升產品應用範圍與增加其效益 @ 技術司可移轉技術資料集
鄰苯酚膦化反應技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 產品磷含量＞10%，酸價＜0.1% \| 潛力預估: 應用本技術可衍生開發新型難燃劑，或新型雙功能抗氧化劑，配合環保法規，商機無限 @ 技術司可移轉技術資料集
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液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195728 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光
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以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660625 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英 \| 黃尊禧
消除光阻中近接效應之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 183704 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 高蔡勝 \| 戴昌銘
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具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188081 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6747727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
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配備平坦電極的平面螢光燈及其組裝方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6639351 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡光隆 \| 樊雨心 \| 林介清 \| 許量魁
一種整合影像感測器及液晶顯示器的主動矩陣陣列及其半導體裝置結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185401 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳逸蔚
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多域分割垂直配向液晶顯示器的結構及其凸塊結構的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185419 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
微型生物培養裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188117 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 專利發明人: 姚南光 \| 翁國曜
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