微型生物培養裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文微型生物培養裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是微小化生醫診療工程技術四年計畫, 專利發明人是姚南光, 翁國曜, 證書號碼是188117.

序號746
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微型生物培養裝置
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微小化生醫診療工程技術四年計畫
專利發明人姚南光, 翁國曜
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼188117
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明之微型生物培養裝置提供一種可供植入動物體之微型生物人工裝置(Implantable bio-artificial micro device),裝置內建構「細胞公寓」,可供放牧(佈置、培養、激素釋放)分泌胰島素之蘭氏小島(Islets of Langerhans)或其他類似的內分泌生物細胞或組織(hormone secreting or tissue)。細胞公寓兩側則設置「動態微流體電泳陣列過濾層」(Dynamic electrophoresis micro array filter),包括以密集佈置之微管道陣列;各管道內部交叉佈置微電極,並週期性交替切換電極極性,以再微管道內部產生複體液流,並使得所有進入裝置的體液流,先經過正電極陣列之免疫阻隔;而所有流出裝置的體液流,則在微流體驅動下,加速細胞分泌物的釋出。本發明之「動態微流體電泳陣列過濾層」提供物理性免疫保護屏障(physical immune protection),以抵抗免疫系統對放牧細胞的攻擊,提升細胞存活率並發揮其生理功能。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820403
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為生技醫藥,95年改為生醫材化
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

746

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

微型生物培養裝置

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微小化生醫診療工程技術四年計畫

專利發明人

姚南光, 翁國曜

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

188117

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明之微型生物培養裝置提供一種可供植入動物體之微型生物人工裝置(Implantable bio-artificial micro device),裝置內建構「細胞公寓」,可供放牧(佈置、培養、激素釋放)分泌胰島素之蘭氏小島(Islets of Langerhans)或其他類似的內分泌生物細胞或組織(hormone secreting or tissue)。細胞公寓兩側則設置「動態微流體電泳陣列過濾層」(Dynamic electrophoresis micro array filter),包括以密集佈置之微管道陣列;各管道內部交叉佈置微電極,並週期性交替切換電極極性,以再微管道內部產生複體液流,並使得所有進入裝置的體液流,先經過正電極陣列之免疫阻隔;而所有流出裝置的體液流,則在微流體驅動下,加速細胞分泌物的釋出。本發明之「動態微流體電泳陣列過濾層」提供物理性免疫保護屏障(physical immune protection),以抵抗免疫系統對放牧細胞的攻擊,提升細胞存活率並發揮其生理功能。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820403

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為生技醫藥,95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

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矯正署雲林監獄107年會計報告(按月)

資料集識別碼: 76551 | 詮釋資料更新時間: 2023-07-26 11:06:53 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8 | 提供機關: 法務部矯正署雲林監獄 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署雲林監獄107年會計報告

@ 政府資料開放平臺資料集清單

新北市三重區朝陽街16巷1號

總價元: 2.096E7 | 房地(土地+建物)+車位 | 建物移轉總面積平方公尺: 111.42 | 土地移轉總面積平方公尺: 22.61 | 建築完成年月: 1101027.0 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 華廈(10層含以下有電梯) | 主要用途: 其他 | 交易年月日: 1090112.0

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

矯正署雲林監獄會計月報(按月)

資料集識別碼: 158429 | 詮釋資料更新時間: 2024-04-19 10:28:41 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;... | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-... | 提供機關: 法務部矯正署 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署雲林監獄會計月報

@ 政府資料開放平臺資料集清單

矯正署雲林監獄107年會計報告(按月)

資料集識別碼: 76551 | 詮釋資料更新時間: 2023-07-26 11:06:53 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8 | 提供機關: 法務部矯正署雲林監獄 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署雲林監獄107年會計報告

@ 政府資料開放平臺資料集清單

新北市三重區朝陽街16巷1號

總價元: 2.096E7 | 房地(土地+建物)+車位 | 建物移轉總面積平方公尺: 111.42 | 土地移轉總面積平方公尺: 22.61 | 建築完成年月: 1101027.0 | 都市土地使用分區: | 建物型態: 華廈(10層含以下有電梯) | 主要用途: 其他 | 交易年月日: 1090112.0

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矯正署雲林監獄會計月報(按月)

資料集識別碼: 158429 | 詮釋資料更新時間: 2024-04-19 10:28:41 | 品質檢測: | 檔案格式: ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;ZIP;... | 編碼格式: UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-8;UTF-... | 提供機關: 法務部矯正署 | 服務分類: 公共資訊 | 資料集描述: 矯正署雲林監獄會計月報

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# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號651
產出年度93
技術名稱-中文電化學蝕刻停止技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時,最常用到,如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 651
產出年度: 93
技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時,最常用到,如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號652
產出年度93
技術名稱-中文鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 652
產出年度: 93
技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估: 應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號654
產出年度93
技術名稱-中文微鰭片散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估應用潛力中
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才微機電製程,機械背景人才
序號: 654
產出年度: 93
技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號655
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度試量產
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 655
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項,其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性,我們必須能精確的控制蝕刻過程,並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性,本實驗室同仁通力合作,全力開發,並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號656
產出年度93
技術名稱-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術,主要是透過一紅外線陣列感測元件,依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等,設計建立包括了 (1)產生讀取電路控制信號的時序產生器和 (2)具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能,可讀取溫度資料的資料擷取系統,開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化,最後再以影像格式顯示,提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準
技術成熟度雛型
可應用範圍保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才具IC設計、影像系統設計能力。
序號: 656
產出年度: 93
技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術,主要是透過一紅外線陣列感測元件,依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等,設計建立包括了 (1)產生讀取電路控制信號的時序產生器和 (2)具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能,可讀取溫度資料的資料擷取系統,開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化,最後再以影像格式顯示,提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估: 應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號657
產出年度93
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um
技術成熟度試量產
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 657
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術,具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面,Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號658
產出年度93
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 658
產出年度: 93
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體,可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號659
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度試量產
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 659
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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與微型生物培養裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

在語音辨識中產生候選字串的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 簡世杰, 張森嘉 | 證書號碼: 6,760,702

高速二元計數器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧士仁, 黃資廷, 林良宇 | 證書號碼: I222274

以電子憑證為基礎來進行工作流程之存取控制系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 柳永祥, 陳彥學, 高銘智 | 證書號碼: I221722

利用使用者分群以改善效能之網頁代理伺服器及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 崔 文, 張嘉洋 | 證書號碼: 185829

序列匯流排連結層晶片之測試及驗證系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃揚智, 魏川淇, 邱志揚 | 證書號碼: 189592

非複製共用式堆疊和暫存器集裝置與使用該裝置之雙重語言處理機架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 馬瑞良, 彭世緯 | 證書號碼: 205715

系統組件的動態電壓排序方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李政崑, 游逸平, 吳琦 | 證書號碼: I221227

亂數產生器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 孫熒聯 | 證書號碼: 189536

語音辨識方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 洪維廷 | 證書號碼: 197232

可配置分散型語音辨認系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊寅賓, 陳柏誠, 王建傑 | 證書號碼: 194116

詞語驗證方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張森嘉, 簡世杰 | 證書號碼: I223791

保護公開金鑰系統以防止時間、電力與錯誤攻擊之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 嚴嵩銘, 呂誌忠, 曾紹崟 | 證書號碼: 202032

噪音環境下之可靠語音特徵參數求取方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃泰惠, 陳順入 | 證書號碼: 200274

連續語音自動切音及驗證之方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥, 陳昭宏 | 證書號碼: 220511

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

在語音辨識中產生候選字串的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 簡世杰, 張森嘉 | 證書號碼: 6,760,702

高速二元計數器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧士仁, 黃資廷, 林良宇 | 證書號碼: I222274

以電子憑證為基礎來進行工作流程之存取控制系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 柳永祥, 陳彥學, 高銘智 | 證書號碼: I221722

利用使用者分群以改善效能之網頁代理伺服器及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 崔 文, 張嘉洋 | 證書號碼: 185829

序列匯流排連結層晶片之測試及驗證系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃揚智, 魏川淇, 邱志揚 | 證書號碼: 189592

非複製共用式堆疊和暫存器集裝置與使用該裝置之雙重語言處理機架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 馬瑞良, 彭世緯 | 證書號碼: 205715

系統組件的動態電壓排序方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李政崑, 游逸平, 吳琦 | 證書號碼: I221227

亂數產生器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 孫熒聯 | 證書號碼: 189536

語音辨識方法與系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 洪維廷 | 證書號碼: 197232

可配置分散型語音辨認系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 楊寅賓, 陳柏誠, 王建傑 | 證書號碼: 194116

詞語驗證方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張森嘉, 簡世杰 | 證書號碼: I223791

保護公開金鑰系統以防止時間、電力與錯誤攻擊之方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 嚴嵩銘, 呂誌忠, 曾紹崟 | 證書號碼: 202032

噪音環境下之可靠語音特徵參數求取方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃泰惠, 陳順入 | 證書號碼: 200274

連續語音自動切音及驗證之方法及系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 數位學習技術研發五年計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥, 陳昭宏 | 證書號碼: 220511

數位接收器之同步系統與方法

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃永亮, 盧澄乾, 黃家齊 | 證書號碼: 0884878

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