微流體導引裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文微流體導引裝置的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是鍾震桂, 張為傑, 蕭价伶, 翁國曜, 證書號碼是6743636.

序號747
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微流體導引裝置
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人鍾震桂, 張為傑, 蕭价伶, 翁國曜
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6743636
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明之微流體導引裝置，係具有一個可以製作在晶片上之微流體導引平台，包括二個或以上之微小化文氏（Venturi）幫普及至少微流體管道，及製作管道內之微混合器；一組可變換氣體大小的外接氣流供應控制模組，可以產生至少二到可變數、變頻的氣流；以及連接該微體引平台及該氣流供應控制膜組織介面裝置。其中該氣流供應控制模組所供應氣流，經由該介面裝置而選擇性地變數、變頻分別進入該至少兩個文氏幫浦，驅動連結至少兩個文氏幫浦的微流體管道內之微流體做不同速度的前進、後退、停滯等動作，以完成流體輸送、混合或反應等效果。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820404
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

747

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

微流體導引裝置

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

鍾震桂, 張為傑, 蕭价伶, 翁國曜

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6743636

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明之微流體導引裝置，係具有一個可以製作在晶片上之微流體導引平台，包括二個或以上之微小化文氏（Venturi）幫普及至少微流體管道，及製作管道內之微混合器；一組可變換氣體大小的外接氣流供應控制模組，可以產生至少二到可變數、變頻的氣流；以及連接該微體引平台及該氣流供應控制膜組織介面裝置。其中該氣流供應控制模組所供應氣流，經由該介面裝置而選擇性地變數、變頻分別進入該至少兩個文氏幫浦，驅動連結至少兩個文氏幫浦的微流體管道內之微流體做不同速度的前進、後退、停滯等動作，以完成流體輸送、混合或反應等效果。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820404

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號651
產出年度93
技術名稱-中文電化學蝕刻停止技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 651
產出年度: 93
技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號652
產出年度93
技術名稱-中文鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 652
產出年度: 93
技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估: 應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號654
產出年度93
技術名稱-中文微鰭片散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估應用潛力中
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才微機電製程,機械背景人才
序號: 654
產出年度: 93
技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號655
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度試量產
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 655
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號656
產出年度93
技術名稱-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度雛型
可應用範圍保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才具IC設計、影像系統設計能力。
序號: 656
產出年度: 93
技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估: 應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號657
產出年度93
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度試量產
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 657
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號658
產出年度93
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 658
產出年度: 93
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號659
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度試量產
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 659
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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與微流體導引裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

多層光資訊記錄載體的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖文毅, 黃得瑞, 鄭尊仁, 黃建喨, 楊惠雯, 顏伯甫 | 證書號碼: 192474

資料儲存媒體用之花青TCNQ錯化合物色素

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖文毅, 黃建喨, 顏春福, 楊惠雯, 鄭尊仁, 黃得瑞, 胡德, 李明家, 李重君 | 證書號碼: 190485

喜好色調之色彩轉換方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳君彥 | 證書號碼: 190237

適用於校正雷射三次元量測器之方法及裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 羅文秀, 林明慧 | 證書號碼: 191497

以特徵線分割重建規則化三維模型的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳加珍, 羅文秀 | 證書號碼: 194398

液晶顯示器的彩色濾光片

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰 | 證書號碼: 196458

液晶顯示器的彩色濾光片

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰 | 證書號碼: 6,703,173

多波長光源之光學掃描裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉貞豪 | 證書號碼: 206645

光傳送模組之封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蕭正達, 高旻聖, 王炯宏 | 證書號碼: 192247

光傳送模組之封裝

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蕭正達, 高旻聖, 王炯宏 | 證書號碼: 6,661,565

室溫紫外光增益之氮化物材料的氧化方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 何晉國, 黃兆年, 彭隆翰, 徐易千, 陳金源 | 證書號碼: 204003

以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭隆瀚, 林宜慶, 房宜澂 | 證書號碼: 186269

光加取多工器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林士強, 周維仁, 江行健, 吳俊雄 | 證書號碼: 6,661,944

具有三端口的光學循環器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡杰, 黃承彬, 廖浚男 | 證書號碼: ZL01109959.3

表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 林浪津, 崋沐怡 | 證書號碼: I223009

多層光資訊記錄載體的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖文毅, 黃得瑞, 鄭尊仁, 黃建喨, 楊惠雯, 顏伯甫 | 證書號碼: 192474

資料儲存媒體用之花青TCNQ錯化合物色素

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖文毅, 黃建喨, 顏春福, 楊惠雯, 鄭尊仁, 黃得瑞, 胡德, 李明家, 李重君 | 證書號碼: 190485

喜好色調之色彩轉換方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳君彥 | 證書號碼: 190237

適用於校正雷射三次元量測器之方法及裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 羅文秀, 林明慧 | 證書號碼: 191497

以特徵線分割重建規則化三維模型的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳加珍, 羅文秀 | 證書號碼: 194398

液晶顯示器的彩色濾光片

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰 | 證書號碼: 196458

液晶顯示器的彩色濾光片

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰 | 證書號碼: 6,703,173

多波長光源之光學掃描裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉貞豪 | 證書號碼: 206645

光傳送模組之封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蕭正達, 高旻聖, 王炯宏 | 證書號碼: 192247

光傳送模組之封裝

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蕭正達, 高旻聖, 王炯宏 | 證書號碼: 6,661,565

室溫紫外光增益之氮化物材料的氧化方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 何晉國, 黃兆年, 彭隆翰, 徐易千, 陳金源 | 證書號碼: 204003

以低電壓製作塊狀鐵電性材料區域反轉之方式

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 彭隆瀚, 林宜慶, 房宜澂 | 證書號碼: 186269

光加取多工器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林士強, 周維仁, 江行健, 吳俊雄 | 證書號碼: 6,661,944

具有三端口的光學循環器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 胡杰, 黃承彬, 廖浚男 | 證書號碼: ZL01109959.3

表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡榮源, 林浪津, 崋沐怡 | 證書號碼: I223009

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