消除光阻中近接效應之方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文消除光阻中近接效應之方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是183704, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 專利發明人是高蔡勝, 戴昌銘.

序號	736
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	消除光阻中近接效應之方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院通訊與光電領域環境建構計畫
專利發明人	高蔡勝 \| 戴昌銘
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	183704
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	光阻圖案中近接效應藉由小心地控制三個伴隨微影製程之獨立可變之值已可將其消除，這些值為執行曝光後烘烤的溫度、曝光系統之數值孔隙及部分同調參數(partial coherence parameter)，特別地，曝光後烘烤溫度應比製造廠建議的低20至25C，數值孔隙應為0.5左右，以及部分同調參數為0.8左右，若遵循這些準則，證實降至線距/線寬比(duty ratio)低於一且無近接效應之產生，且無需一光學近接校正可得到無歪曲圖案。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

736

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

消除光阻中近接效應之方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

專利發明人

高蔡勝 | 戴昌銘

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

183704

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

光阻圖案中近接效應藉由小心地控制三個伴隨微影製程之獨立可變之值已可將其消除，這些值為執行曝光後烘烤的溫度、曝光系統之數值孔隙及部分同調參數(partial coherence parameter)，特別地，曝光後烘烤溫度應比製造廠建議的低20至25C，數值孔隙應為0.5左右，以及部分同調參數為0.8左右，若遵循這些準則，證實降至線距/線寬比(duty ratio)低於一且無近接效應之產生，且無需一光學近接校正可得到無歪曲圖案。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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大社老人文康中心	災民收容所編號: SE815-0001 \| 高雄市 \| 大社區 \| 神農里 \| 收容所地址: 金龍路65號 @ 災民收容所
祐鋒實業股份有限公司	所在工業區名稱: 芳苑工業區 \| (實際廠場)地址: 彰化縣芳苑鄉後寮村工區四路九號 \| 營利事業統一編號: 01884606 \| 管制編號: N2901442 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料
民義段780地號	總價元: 3630000 \| 土地 \| 建物移轉總面積平方公尺: 0 \| 土地移轉總面積平方公尺: 19.76 \| 建築完成年月: \| 都市土地使用分區: 都市：其他:道路用地 \| 建物型態: 其他 \| 主要用途: \| 交易年月日: 1111018 @ 不動產實價登錄資訊-買賣案件
臺中市西屯區福星北二街168號旁	停車場類別: 民營 \| 緯度(Y座標): 24.183704 \| 經度(X座標): 120.643125 \| 停車場編號: 1655 @ 臺中市路外停車場座標資料

大社老人文康中心

災民收容所編號: SE815-0001 | 高雄市 | 大社區 | 神農里 | 收容所地址: 金龍路65號

@ 災民收容所

祐鋒實業股份有限公司

所在工業區名稱: 芳苑工業區 | (實際廠場)地址: 彰化縣芳苑鄉後寮村工區四路九號 | 營利事業統一編號: 01884606 | 管制編號: N2901442

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

民義段780地號

@ 不動產實價登錄資訊-買賣案件

臺中市西屯區福星北二街168號旁

停車場類別: 民營 | 緯度(Y座標): 24.183704 | 經度(X座標): 120.643125 | 停車場編號: 1655

@ 臺中市路外停車場座標資料

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

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與消除光阻中近接效應之方法同分類的技術司專利資料集

增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,707,499 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕
偵測訊號頻率的類比裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
鎖頻濾波的接收裝置及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,763,230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
單相輸入調頻調積體解調器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189588 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李青峰
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192167 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185602 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,735,228 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
具有整波電路之高速雷射驅動器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 周明忠
壓制電流分配的充放電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,794,911 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張毓仁
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214743 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄
低頻率漂移數位頻率調制裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195328 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 高炳文, 謝賜山, 紀秋棉
光學編碼器定位裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193120 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林慶芳
影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林俊育, 宋新岳, 羅偕益

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

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