微流體致動器
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文微流體致動器的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是微小化生醫診療工程技術四年計畫, 專利發明人是韋雅各, 證書號碼是201207.
| 序號 | 749 |
| 產出年度 | 93 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 微流體致動器 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微小化生醫診療工程技術四年計畫 |
| 專利發明人 | 韋雅各 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 201207 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明揭露一種簡化的微流體致動器，具有一封閉之真空腔。該真空槍之驅動力係利用供應一電流至一薄膜加熱器，而弱化並在一氣壓差下破壞一封閉該真空腔之薄膜，使該真空腔中之真空釋放於外，而予啟動。本發明之微流體致動器使用於一微流管道系統時，因而產生之壓力差將可用以產生一吸引力，而運作在該管道系統中。本發明一較佳實例中，該真空腔可利用一矽、玻璃或塑膠基板，將一薄膜以真空封裝該真空腔而製得。該薄膜可以包括一金屬製不透氣薄膜。該真空腔之釋放手段包括將一薄膜金屬加熱器以微加工製作於該薄膜上。將具有上述元件之組件裝置製具有一微管道系統之基板上即可。本發明之微流體致動器可適用一微流平台，用以對微流體產生驅動力，提供流體吸引、量測、混合及分離等之微流體驅動力。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820406 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化 |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號749 |
產出年度93 |
領域別(空) |
專利名稱-中文微流體致動器 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱微小化生醫診療工程技術四年計畫 |
專利發明人韋雅各 |
核准國家中華民國 |
獲證日期(空) |
證書號碼201207 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文本發明揭露一種簡化的微流體致動器，具有一封閉之真空腔。該真空槍之驅動力係利用供應一電流至一薄膜加熱器，而弱化並在一氣壓差下破壞一封閉該真空腔之薄膜，使該真空腔中之真空釋放於外，而予啟動。本發明之微流體致動器使用於一微流管道系統時，因而產生之壓力差將可用以產生一吸引力，而運作在該管道系統中。本發明一較佳實例中，該真空腔可利用一矽、玻璃或塑膠基板，將一薄膜以真空封裝該真空腔而製得。該薄膜可以包括一金屬製不透氣薄膜。該真空腔之釋放手段包括將一薄膜金屬加熱器以微加工製作於該薄膜上。將具有上述元件之組件裝置製具有一微管道系統之基板上即可。本發明之微流體致動器可適用一微流平台，用以對微流體產生驅動力，提供流體吸引、量測、混合及分離等之微流體驅動力。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員楊倉錄 |
電話03-5914393 |
傳真03-5820406 |
電子信箱yangtl@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw |
備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化 |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
根據識別碼 201207 找到的相關資料
(以下顯示 7 筆) (或要:直接搜尋所有 201207 ...) | 總計資產_億元: 462288.000000 | 總計淨值_億元: 27009.000000 | 本國銀行資產_億元: 355091.000000 | 本國銀行淨值_億元: 23030.000000 | 外國銀行在臺分行資產_億元: 24280.000000 | 外國銀行在臺分行淨值_億元: 647.000000 @ 金融機構資產、淨值_NEW |
| 資產總額_億元: 10104.770000 | 資本_億元: 3410.430000 @ 證券商之資產總額、資本、淨值、損益、資產報酬率及淨值報酬率之比較_NEW |
| 合計數_總累積匯入淨額_億美元: 1561.170000 | 合計數_持有股票市值占總市值比例: 30.920000 | 境外外國機構投資人及陸資_累積匯入淨額_億美元: 1556.790000 | 境外華僑及外國自然人_累積匯入淨額_億美元: 4.380000 | 境外外國機構投資人及陸資_完成登記件數: 94.000000 | 境外華僑及外國自然人_完成登記件數: 11.000000 @ 外資投入我國股市概況表_NEW |
| 臺灣: 21.740000 | 紐約: 15.410000 | 日本: 22.400000 | 倫敦: 10.650000 | 香港: 8.900000 | 韓國: 12.190000 | 新加坡: 9.660000 | 上海: 11.280000 @ 各國證券市場本益比比較_NEW |
| 上市家數: 798.000000 | 上市資本額_十億元: 6235.820000 | 上市成長率: 0.300000 | 上櫃家數: 623.000000 | 上櫃資本額_十億元: 713.860000 | 上櫃成長率: 0.430000 | 未上市上櫃家數: 508.000000 | 未上市上櫃資本額_十億元: 1655.380000 @ 公開發行公司股票發行概況統計表_New |
| 臺灣_家數: 798.000000 | 紐約_家數: 2331.000000 | 那斯達克_家數: 2633.000000 | 日本_家數: 2287.000000 | 倫敦_家數: 2812.000000 | 香港_家數: 1531.000000 | 韓國_家數: 1797.000000 | 新加坡_家數: 774.000000 | 上海_家數: 949.000000 @ 各國證券市場上市公司家數比較_NEW |
| 總價元: 12670000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 62.97 | 土地移轉總面積平方公尺: 7.63 | 建築完成年月: 1010515 | 都市土地使用分區: 商 | 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130207 @ 不動產實價登錄資訊-買賣案件 |
總計資產_億元: 462288.000000 | 總計淨值_億元: 27009.000000 | 本國銀行資產_億元: 355091.000000 | 本國銀行淨值_億元: 23030.000000 | 外國銀行在臺分行資產_億元: 24280.000000 | 外國銀行在臺分行淨值_億元: 647.000000 @ 金融機構資產、淨值_NEW |
資產總額_億元: 10104.770000 | 資本_億元: 3410.430000 @ 證券商之資產總額、資本、淨值、損益、資產報酬率及淨值報酬率之比較_NEW |
合計數_總累積匯入淨額_億美元: 1561.170000 | 合計數_持有股票市值占總市值比例: 30.920000 | 境外外國機構投資人及陸資_累積匯入淨額_億美元: 1556.790000 | 境外華僑及外國自然人_累積匯入淨額_億美元: 4.380000 | 境外外國機構投資人及陸資_完成登記件數: 94.000000 | 境外華僑及外國自然人_完成登記件數: 11.000000 @ 外資投入我國股市概況表_NEW |
臺灣: 21.740000 | 紐約: 15.410000 | 日本: 22.400000 | 倫敦: 10.650000 | 香港: 8.900000 | 韓國: 12.190000 | 新加坡: 9.660000 | 上海: 11.280000 @ 各國證券市場本益比比較_NEW |
上市家數: 798.000000 | 上市資本額_十億元: 6235.820000 | 上市成長率: 0.300000 | 上櫃家數: 623.000000 | 上櫃資本額_十億元: 713.860000 | 上櫃成長率: 0.430000 | 未上市上櫃家數: 508.000000 | 未上市上櫃資本額_十億元: 1655.380000 @ 公開發行公司股票發行概況統計表_New |
臺灣_家數: 798.000000 | 紐約_家數: 2331.000000 | 那斯達克_家數: 2633.000000 | 日本_家數: 2287.000000 | 倫敦_家數: 2812.000000 | 香港_家數: 1531.000000 | 韓國_家數: 1797.000000 | 新加坡_家數: 774.000000 | 上海_家數: 949.000000 @ 各國證券市場上市公司家數比較_NEW |
總價元: 12670000 | 房地(土地+建物) | 建物移轉總面積平方公尺: 62.97 | 土地移轉總面積平方公尺: 7.63 | 建築完成年月: 1010515 | 都市土地使用分區: 商 | 建物型態: 住宅大樓(11層含以上有電梯) | 主要用途: 住家用 | 交易年月日: 1130207 @ 不動產實價登錄資訊-買賣案件 |
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根據電話 03-5914393 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914393 ...)| 序號 | 651 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 電化學蝕刻停止技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 |
| 潛力預估 | 有替代技術,應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 651 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。 |
| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號 | 652 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 |
| 潛力預估 | 應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 652 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。 |
| 潛力預估: 應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號 | 654 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 微鰭片散熱技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 散熱模組上之鰭片結構。 |
| 潛力預估 | 應用潛力中 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 須建廠, 並符合相關環保法規。 |
| 需具備之專業人才 | 微機電製程,機械背景人才 |
| 序號: 654 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。 |
| 潛力預估: 應用潛力中 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。 |
| 需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才 |
| 序號 | 655 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估 | 體型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號: 655 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號 | 656 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 |
| 潛力預估 | 應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 |
| 需具備之專業人才 | 具IC設計、影像系統設計能力。 |
| 序號: 656 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。 |
| 潛力預估: 應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體 |
| 需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。 |
| 序號 | 657 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 |
| 潛力預估 | 須搭配元件技術,應用潛力低 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 半導體製程背景人才。 |
| 序號: 657 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料 |
| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。 |
| 序號 | 658 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估 | 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 半導體製程背景人才。 |
| 序號: 658 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。 |
| 序號 | 659 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估 | 潛力中等 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電機,半導體製程背景人才。 |
| 序號: 659 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估: 潛力中等 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
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| 需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。 |
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03-5914393 ... ]
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張嘉瑯 | 證書號碼: 發明第204707號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 周世俊,謝文泰,蒙以亨 | 證書號碼: 195776 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕 | 證書號碼: 199185 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張嘉瑯 | 證書號碼: 發明第204707號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203433號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 洪子平 | 證書號碼: 發明第203051號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 許天明、林伯慎 | 證書號碼: 發明205462 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 張勝傑、陳彥呈、吳捷 | 證書號碼: 發明198829 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 施文展 | 證書號碼: 發明205818 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 郭俊桔、高正烜、陳信希、林桂光 | 證書號碼: 發明I221991 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 林伯慎、吳盈璋、李琳山 | 證書號碼: 發明197228 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明191099 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 航空資料鏈路通訊系統技術研發四年計畫 | 專利發明人: 馮允棣、林武杰、蕭永修 | 證書號碼: 發明184817 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代數位學習環境技術研發計畫 | 專利發明人: 譚正中 | 證書號碼: I222579 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 張志龍,陳友士 | 證書號碼: 204187 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕,張履平,蒙以亨 | 證書號碼: 195703 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 周世俊,謝文泰,蒙以亨 | 證書號碼: 195776 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資策會創新前瞻技術計畫 | 專利發明人: 陳文鋕 | 證書號碼: 199185 |
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