具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是戴遠東, 廖宗能, 陳志強, 證書號碼是191581.

序號	773
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	戴遠東, 廖宗能, 陳志強
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	191581
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

773

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

戴遠東, 廖宗能, 陳志強

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

191581

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有自我對準輕摻雜汲極（ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ＬＤＤ）結構之多晶矽薄膜電晶體，包括有：一絕緣透明基底；一多晶矽層係形成於該基底表面上，其包含有一通道區，一輕摻雜汲極結構係形成於該通道區之外為區域，以及一源－汲極區係形成於該輕摻雜汲極結構之外圍區域；一閘及絕緣層係覆蓋於該多晶矽層表面上；一第一金屬層，係定義形成於該閘極絕緣層上，且覆蓋該通道之上方區域；以及一第二金屬層，係定義形成於該地一金屬層表面上，且覆蓋該通道區之上方區域。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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金門高職	地下水分區名稱: 金門 \| 測站狀態: 啟用 \| 測站位置描述: 金門縣金湖鎮新市里復興路1-11號 \| 測站英文名稱: @ 區域性地下水水質監測井基本資料
勝暐企業有限公司大寮廠	所在工業區名稱: \| (實際廠場)地址: 高雄市大寮區上寮里上寮路二二五之一一號 \| 營利事業統一編號: 97248529 \| 管制編號: E20B3878 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

金門高職

地下水分區名稱: 金門 | 測站狀態: 啟用 | 測站位置描述: 金門縣金湖鎮新市里復興路1-11號 | 測站英文名稱:

@ 區域性地下水水質監測井基本資料

勝暐企業有限公司大寮廠

所在工業區名稱: | (實際廠場)地址: 高雄市大寮區上寮里上寮路二二五之一一號 | 營利事業統一編號: 97248529 | 管制編號: E20B3878

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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與具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲 \| 證書號碼: 6642595
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 \| 證書號碼: 188234
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝 \| 證書號碼: 6663214
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁 \| 證書號碼: 189552
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻 \| 證書號碼: 191670
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇 \| 證書號碼: 206522
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥 \| 證書號碼: 206592
N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲 \| 證書號碼: 220269
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑 \| 證書號碼: 190648
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪, 邱景宏, 顏凱翔, 劉文俊, 李裕文 \| 證書號碼: 191701
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 \| 證書號碼: 192752
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 \| 證書號碼: 6813138
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 \| 證書號碼: 223446
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 \| 證書號碼: 206598
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 \| 證書號碼: 206589

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