低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法的核准國家是美國, 證書號碼是6692791, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中.

序號	787
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	張悠揚 \| 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6692791
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種低成本且可大面積化製作奈米碳管之方法，包以下步驟。提供一玻璃基底。在該基底上網印一第一導電層。燒結該第一導電層。在該第一導電層上網印一絕緣層及一在該絕緣層上之第二導電層(閘極)。蝕刻該第二導電層及該絕緣層而形成一曝露該第一導電層之第一凹槽。燒結該絕緣層及該第二導電層。藉此，使得設置碳管電極之凹槽壁能夠準直，且此製程更適合於製作大面積之奈米碳管場發射顯示器。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

787

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

張悠揚 | 許志榮 | 李鈞道 | 李正中

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6692791

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種低成本且可大面積化製作奈米碳管之方法，包以下步驟。提供一玻璃基底。在該基底上網印一第一導電層。燒結該第一導電層。在該第一導電層上網印一絕緣層及一在該絕緣層上之第二導電層(閘極)。蝕刻該第二導電層及該絕緣層而形成一曝露該第一導電層之第一凹槽。燒結該絕緣層及該第二導電層。藉此，使得設置碳管電極之凹槽壁能夠準直，且此製程更適合於製作大面積之奈米碳管場發射顯示器。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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奈米碳管電子源場發射電流增益製程	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4348131 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中 \| 何家充 \| 張悠揚 @ 技術司專利資料集
奈米碳管電子源場發射電流增益製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223308 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中 \| 何家充 \| 張悠揚 @ 技術司專利資料集
奈米碳管電子源場發射電流增益製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,662,428 \| 專利期間起: 99/02/16 \| 專利期間訖: 115/10/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中 \| 何家充 \| 張悠揚 @ 技術司專利資料集
奈米碳管電子源場發射電流增益製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7662428 \| 專利期間起: 1999/2/16 \| 專利期間訖: 115/10/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中 \| 何家充 \| 張悠揚 @ 技術司專利資料集
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6741039 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 @ 技術司專利資料集
條狀閘極奈米碳管場發射型顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I278891 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 許志榮李鈞道姜信銓張悠揚李正中 @ 技術司專利資料集
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206590 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武 @ 技術司專利資料集
條狀閘極奈米碳管場發射型顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 95 \| 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 許志榮 \| 李鈞道 \| 姜信銓 \| 張悠揚 \| 李正中 @ 技術司專利資料集

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

4"10"20" 奈米碳管背光技術

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

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增快液晶顯示器應答速度之驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200112 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁 \| 廖明俊 \| 徐正池
可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6683469 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李明林 \| 徐欽山
子母貫通孔結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6717071 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張慧如 \| 李明林 \| 何宗哲
一種GAMMA校正驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193940 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文 \| 陳明道 \| 陳尚立
三極結構電子發射源之製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6705910 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李正中 \| 何家充 \| 許志榮 \| 鄭華琦 \| 張悠揚
低溫多晶矽的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206403 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林憲信 \| 李介文 \| 鄭紹良 \| 陳力俊 \| 彭遠清 \| 王文通
控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6750834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁
奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6811457 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦 \| 李正中 \| 廖貞慧 \| 張悠揚 \| 許志榮 \| 何家充
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6683781 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲 \| 李明林 \| 張慧如 \| 賴信助
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6670224 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖 \| 常鼎國 \| 陳丕夫 \| 康育銘 \| 戴遠東
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692902 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君 \| 魏明達 \| 張上文
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692791 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 許志榮 \| 李鈞道 \| 李正中
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6656772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6605491 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德 \| 張世明 \| 林文迪
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185849 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 林瑞進 \| 吳家宏 \| 周坤和

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