具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法的核准國家是日本, 證書號碼是3533205, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 專利發明人是鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹.

序號	791
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人	鍾震桂 \| 林俊仁 \| 陳仲竹
核准國家	日本
獲證日期	(空)
證書號碼	3533205
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820411
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

791

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

專利發明人

鍾震桂 | 林俊仁 | 陳仲竹

核准國家

日本

獲證日期

(空)

證書號碼

3533205

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820411

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

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具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂林俊仁陳仲竹 @ 技術司專利資料集
具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院醫材中心 \| 產出年度: 95 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程及組織再生技術開發計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁 \| 陳仲竹 @ 技術司專利資料集
具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂林俊仁陳仲竹 @ 技術司專利資料集
具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6942320 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁 \| 陳仲竹 @ 技術司專利資料集

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
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電化學蝕刻停止技術

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鎳鈷及金微電鑄及製程技術

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微鰭片散熱技術

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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

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室溫熱像儀驅動顯示控制技術

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

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利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

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矽晶片蝕穿技術

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提供多路徑回聲消除之方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220603 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳政勳 \| 吳安宇
以監測下載頻寬來管制網路流量之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197235 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江家齊 \| 林于勝 \| 吳文哲
自動調整增益／頻寬迴路濾波器及其中之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,696,886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯俊男 \| 黃正壹 \| 范志鵬
使用後段脈衝處理濾波器技術之擁有快速收斂速率之平行化處理架構可調適決策回饋等化器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,697,424 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊孟達 \| 吳安宇
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特定限制下具備非阻塞特性的單模循環型交換器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,657,998 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李碩彥
訊號處理方法及裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,161 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 陳自強 \| 謝勳璋
碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置	核准國家: 法國 \| 證書號碼: 2816142 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王惠民 \| 吳如純 \| 林慶鴻
光線補償之方法與系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191309 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 蔡耀弘 \| 黃雅軒 \| 江政欽 \| 謝君偉
用於同步數位系統等化混合時域及頻域之方法	核准國家: 韓國 \| 證書號碼: 428611 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王志祺 \| 吳安宇 \| 王博民
在維特比譯碼器中生存路徑的存儲器管理方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01125921.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 馬尚智
決定語音音高標記的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 204991 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳昭宏 \| 高永安
可提高人臉偵測正確率之影像前處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185584 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 黃雅軒 \| 蔡耀弘
用於行動網路中的多重播送的方法與系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林一平 \| 逄愛君 \| 陳春秀 \| 馮文生
在影像中擷取與比對手勢特徵之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189479 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張勤振 \| 黃雅軒

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