懸臂式測試卡及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文懸臂式測試卡及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是184677, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是李政鴻, 李新立, 陳宜孝.

序號	793
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	懸臂式測試卡及其製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人	李政鴻 \| 李新立 \| 陳宜孝
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	184677
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明為一種懸臂式測試卡及其製造方法，係配合微機電技術利用犧牲層的方法於基板上製作懸空的一體成型金屬懸臂結構以形成懸臂式測試卡，並使用不同種類的金屬材料製造金屬懸臂與金屬探針形成雙金屬層結構，應用雙金屬層間不同種類金屬材料造成的應力差異，使金屬懸臂與金屬探針形成一微翹曲金屬懸臂結構，在進行測試時能提供應力緩衝的效果，以確保每一根探針都能和欲測之金屬接點接觸並減少對金屬接點的傷害。(
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820413
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

793

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

懸臂式測試卡及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

184677

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明為一種懸臂式測試卡及其製造方法，係配合微機電技術利用犧牲層的方法於基板上製作懸空的一體成型金屬懸臂結構以形成懸臂式測試卡，並使用不同種類的金屬材料製造金屬懸臂與金屬探針形成雙金屬層結構，應用雙金屬層間不同種類金屬材料造成的應力差異，使金屬懸臂與金屬探針形成一微翹曲金屬懸臂結構，在進行測試時能提供應力緩衝的效果，以確保每一根探針都能和欲測之金屬接點接觸並減少對金屬接點的傷害。(

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820413

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

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幸福東路	站位代碼: 1165604199 \| 地址: 新北市新莊區(向南) \| 去返程: 0 \| 上下車站別: 0 \| 所屬路線代碼: 17663 \| Bus Stop Name: Xingfu E. Rd. @ 公車站位資訊
企龍企業有限公司二廠	所在工業區名稱: 非屬工業區類 \| (實際廠場)地址: 彰化縣大城鄉潭墘村天惠路四五之三號 \| 營利事業統一編號: 12739480 \| 管制編號: N3006535 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

幸福東路

@ 公車站位資訊

企龍企業有限公司二廠

所在工業區名稱: 非屬工業區類 | (實際廠場)地址: 彰化縣大城鄉潭墘村天惠路四五之三號 | 營利事業統一編號: 12739480 | 管制編號: N3006535

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
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微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集

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電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192543 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 陳昌昇 \| 吳俊昆 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 賴穎俊
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202861 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維 \| 李永忠 \| 潘宗銘 \| 卓言
有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200178 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 鄭弘隆 \| 賴志明 \| 廖奇璋
直下式背光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200905 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹景翔 \| 蕭名君 \| 劉康弘 \| 林偉義
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198431 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
改善週期性電極排列引發光繞射效應之結構及液晶顯示裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189045 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 江欣峻 \| 何璨佑 \| 許家榮
多方向邏輯式微流體驅動控制系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189620 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 莊世瑋 \| 鍾震桂 \| 陳仲竹
低電壓低功率熱氣泡薄膜式微流體驅動裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196530 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 莊世瑋 \| 陳仲竹
具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 莊景桑 \| 陳志強
靜電式驅動之微繼電器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198718 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 王欽宏 \| 陳振頤 \| 房佩怡
形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強 \| 莊景桑 \| 張鈞傑
自組裝奈米導電凸塊及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200159 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 汪若蕙 \| 陳裕華
貼合材料層於透明基板上的方法以及形成單晶矽層於透明基板的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200277 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥 \| 李啟聖 \| 黃順發 \| 張榮芳 \| 許財源 \| 胡文智 \| 王亮棠
動態影像灰階檢測方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200272 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊

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