具有主動控制之可調式場發射顯示器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有主動控制之可調式場發射顯示器的核准國家是中華民國, 證書號碼是202493, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是王右武, 李鈞道, 李正中.

序號	811
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具有主動控制之可調式場發射顯示器
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	王右武 \| 李鈞道 \| 李正中
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	202493
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係一種具有主動控制之可調式場發射型顯示器(active matrix current source controlled gray level tunable FED)，其利用主動元件將電壓控制訊號轉換為電流輸出，並利用電容記錄及維持上述電壓控制信號，以產生低控制電壓主動電流源驅動場發射型顯示器(low control voltage and active current source driving FED)，可達到調整與維持其灰階及亮度(brightness)的目的。經由使用上述主動元件及電容，使亮度維持固定，如此，場發射型顯示器(FED)操作於較低電壓及亮度下，即可得到高瞬間亮度(high transient brightness)以產生高平均亮度(high average brightness)，同時，也可避開高壓時產生的電弧電流(arc current)問題。另外，由於可由電流源控制流過場發射型顯示器的電流，故因真空不良而產生的大電弧電流，會被固定電流源壓制，使電流保持在定值，防止電弧(arc)產生，提升場發射型顯示器的良率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

811

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有主動控制之可調式場發射顯示器

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

王右武 | 李鈞道 | 李正中

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

202493

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係一種具有主動控制之可調式場發射型顯示器(active matrix current source controlled gray level tunable FED)，其利用主動元件將電壓控制訊號轉換為電流輸出，並利用電容記錄及維持上述電壓控制信號，以產生低控制電壓主動電流源驅動場發射型顯示器(low control voltage and active current source driving FED)，可達到調整與維持其灰階及亮度(brightness)的目的。經由使用上述主動元件及電容，使亮度維持固定，如此，場發射型顯示器(FED)操作於較低電壓及亮度下，即可得到高瞬間亮度(high transient brightness)以產生高平均亮度(high average brightness)，同時，也可避開高壓時產生的電弧電流(arc current)問題。另外，由於可由電流源控制流過場發射型顯示器的電流，故因真空不良而產生的大電弧電流，會被固定電流源壓制，使電流保持在定值，防止電弧(arc)產生，提升場發射型顯示器的良率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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主動陣列可調灰階奈米碳管場發射顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6882112 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王右武 \| 李鈞道 \| 李正中 @ 技術司專利資料集
薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 221341 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 何家充 \| 李仁豪 \| 李正中 \| 王右武 \| 李鈞道 \| 林鵬 @ 技術司專利資料集
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206590 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武 @ 技術司專利資料集
場發射型顯示器之三極結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道李正中許志榮張悠揚何家充王右武 @ 技術司專利資料集
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道李正中許志榮張悠揚何家充王右武 @ 技術司專利資料集
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4854691 \| 專利期間起: 100/11/04 \| 專利期間訖: 112/05/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武 @ 技術司專利資料集
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4854711 \| 專利期間起: 100/11/04 \| 專利期間訖: 112/05/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武 @ 技術司專利資料集
薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 5095068 \| 專利期間起: 101/09/28 \| 專利期間訖: 112/12/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 專利發明人: 李仁豪 \| 何家充 \| 李正中 \| 林鵬 \| 李鈞道 \| 王右武 @ 技術司專利資料集

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
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4"10"20" 奈米碳管背光技術

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

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控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6750834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁
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領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

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專利期間訖

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