薄膜電晶體的結構、其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文薄膜電晶體的結構、其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是198288, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是林炯暐, 葉永輝.

序號	846
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	薄膜電晶體的結構、其製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	林炯暐 \| 葉永輝
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	198288
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種薄膜電晶體的結構，其通道區的部份係由微晶系半導體層和非晶系半導體層兩疊層所構成。其中，微晶系半導體層係為靠近閘極電極的第一通道層，提供水平方向的電流流動路徑；非晶系半導體層係為遠離閘極電極的第二通道層，提供垂直方向的電流流動路徑。由於微晶系半導體層的高傳導性，因此可以提昇元件所需之驅動電流；由於非晶系半導體層的高阻值，因此可以抑制關閉元件時不必要的電流。此薄膜電晶體可應用於有機電激發光顯示器，或者其他有需要使用薄膜電晶體的顯示器或裝置。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

846

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

薄膜電晶體的結構、其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

林炯暐 | 葉永輝

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

198288

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種薄膜電晶體的結構，其通道區的部份係由微晶系半導體層和非晶系半導體層兩疊層所構成。其中，微晶系半導體層係為靠近閘極電極的第一通道層，提供水平方向的電流流動路徑；非晶系半導體層係為遠離閘極電極的第二通道層，提供垂直方向的電流流動路徑。由於微晶系半導體層的高傳導性，因此可以提昇元件所需之驅動電流；由於非晶系半導體層的高阻值，因此可以抑制關閉元件時不必要的電流。此薄膜電晶體可應用於有機電激發光顯示器，或者其他有需要使用薄膜電晶體的顯示器或裝置。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
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CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

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複合透鏡的制作方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL99118515.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 郭孟鑫, 韓偉國
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可擦拭之光學記錄材料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳至原, 莊永欽, 蔣東堯, 鄭尊仁, 姚永德, 黃得瑞, 陳雲嬌, 顏文信
以旋鍍模壓方式製作多層光學記錄媒體的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00109085.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃得瑞
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多層光資訊記錄載體的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192474 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅, 黃得瑞, 鄭尊仁, 黃建喨, 楊惠雯, 顏伯甫
資料儲存媒體用之花青TCNQ錯化合物色素	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190485 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅, 黃建喨, 顏春福, 楊惠雯, 鄭尊仁, 黃得瑞, 胡德, 李明家, 李重君
喜好色調之色彩轉換方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190237 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳君彥
適用於校正雷射三次元量測器之方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191497 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 羅文秀, 林明慧
以特徵線分割重建規則化三維模型的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194398 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳加珍, 羅文秀
液晶顯示器的彩色濾光片	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196458 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰
液晶顯示器的彩色濾光片	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,703,173 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 呂春福, 謝玉凌, 陳錦泰
多波長光源之光學掃描裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206645 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉貞豪
光傳送模組之封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192247 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蕭正達, 高旻聖, 王炯宏

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