微粒研磨裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文微粒研磨裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是李文宇, 周大鑫, 證書號碼是202535.

序號1023
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微粒研磨裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人李文宇, 周大鑫
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼202535
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種微粒研磨裝置，其特徵在於用以分離微粒和研磨介質的分離結構設計，其分離結構由兩組交錯之同軸葉片所組成，相鄰之外圍葉片邊緣和內圈葉片邊緣間係形成一縫隙以作為微粒的篩選機制，其內圈葉片之邊緣部分係高於內側之環狀部分，使外圍葉片相鄰於內圈葉片內側環狀部分的間隔大於縫隙，且內圈葉片之環狀部分設有複數個導孔。使微粒一旦尺寸夠小足以通過縫隙，即可快速進入較大的間隔並由導孔流出。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

1023

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

微粒研磨裝置

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

李文宇, 周大鑫

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

202535

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種微粒研磨裝置，其特徵在於用以分離微粒和研磨介質的分離結構設計，其分離結構由兩組交錯之同軸葉片所組成，相鄰之外圍葉片邊緣和內圈葉片邊緣間係形成一縫隙以作為微粒的篩選機制，其內圈葉片之邊緣部分係高於內側之環狀部分，使外圍葉片相鄰於內圈葉片內側環狀部分的間隔大於縫隙，且內圈葉片之環狀部分設有複數個導孔。使微粒一旦尺寸夠小足以通過縫隙，即可快速進入較大的間隔並由導孔流出。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

呂美玲

電話

03-5915898

傳真

03-5820316

電子信箱

meilingleu@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼 202535 找到的相關資料

情人公園

災民收容所編號: SB435-0016 | 臺中市 | 梧棲區 | 中正里 | 收容所地址: 雲集街

@ 災民收容所

情人公園

災民收容所編號: SB435-0016 | 臺中市 | 梧棲區 | 中正里 | 收容所地址: 雲集街

@ 災民收容所
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根據名稱 微粒研磨裝置 找到的相關資料

# 微粒研磨裝置 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號4745
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文微粒研磨裝置
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人李文宇 周大鑫
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL03149628.8
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種微粒研磨裝置，其特徵在於用以分離微粒和研磨介質的分離結構設計，其分離結構由兩組交錯之同軸葉片所組成，相鄰之外圍葉片邊緣和內圈葉片邊緣間係形成一縫隙以作為微粒的篩選機制，其內圈葉片之邊緣部分係高於內側之環狀部分，使外圍葉片相鄰於內圈葉片內側環狀部分的間隔大於縫隙，且內圈葉片之環狀部分設有複數個導孔。使微粒一旦尺寸夠小足以通過縫隙，即可快速進入較大的間隔並由導孔流出。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4745
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微粒研磨裝置
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 李文宇 周大鑫
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL03149628.8
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種微粒研磨裝置，其特徵在於用以分離微粒和研磨介質的分離結構設計，其分離結構由兩組交錯之同軸葉片所組成，相鄰之外圍葉片邊緣和內圈葉片邊緣間係形成一縫隙以作為微粒的篩選機制，其內圈葉片之邊緣部分係高於內側之環狀部分，使外圍葉片相鄰於內圈葉片內側環狀部分的間隔大於縫隙，且內圈葉片之環狀部分設有複數個導孔。使微粒一旦尺寸夠小足以通過縫隙，即可快速進入較大的間隔並由導孔流出。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)
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根據姓名 李文宇 周大鑫 找到的相關資料

(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 李文宇 周大鑫 ...)

微粒研磨方法及其裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周大鑫, 李文宇, 陳來毅 | 證書號碼: 6,719,610

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

微粒研磨方法及其裝置

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周大鑫、李文宇、陳來毅 | 證書號碼: 3688261

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

手持式光纖切割裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 | 證書號碼: 6754426

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

微粒研磨方法及其裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周大鑫, 李文宇, 陳來毅 | 證書號碼: 6,719,610

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

微粒研磨方法及其裝置

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周大鑫、李文宇、陳來毅 | 證書號碼: 3688261

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

手持式光纖切割裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李文宇, 周大鑫 | 證書號碼: 6754426

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
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根據電話 03-5915898 找到的相關資料

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# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1007
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189523
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1007
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 鑽石/鑽石薄膜之延性加工技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 林宏彝, 吳東權
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189523
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種鑽石類材質之延性加工技術，其中包括：提供一熱量加熱鑽石類 材質後施力於該受熱之鑽石類材質，藉由該加熱及施力可對鑽石類材質進行延性加 工；對鑽石薄膜施行延性加工技術時包括：一熱量加熱鑽石薄膜並以京輪研磨該受 熱之鑽石類材質，藉由該加熱及計算京輪研磨(grinding)臨界切深 (或加工壓力大 小) 可對鑽石類材質進行延性加工。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號1008
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼189396
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1008
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林熙翔, 陳建洋
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 189396
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1009
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人林熙翔, 陳建洋
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,730,922
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1009
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改善電子束近接效應之抗電子反射層結構
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 林熙翔, 陳建洋
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,730,922
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種改善電子束近接效應之抗電子反射層結構，主要包含一基板、一電子阻劑層， 形成於該基板上方；以及至少一層抗電子反射層，形成於該基板、與該電子阻劑層 之間，其中，該抗電子反射層係允許一電子束循入射方向通過而達到該基板內部， 並能減少該電子束中經由該基板內部反射而返回至該電子阻劑層之電子數量。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1010
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,656,668
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1010
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蔡宏營, 潘正堂, 周敏傑, 陳世洲, 林育生
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,656,668
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種準分子雷射對微球面與非球面高分子結構陣列製程，藉由在以一 光罩上設有預定之曲線圖案，該曲線圖案於沿一直線方向上的寬度並不是 定值。當準分子雷射光源透過光罩上之曲線圖案照射並衝擊一基板上所塗 佈之高分子材而使其剝離蝕刻。並且當進行照射時，同時將基板沿著垂直 於該直線方向移動，使高分子材於沿著該直線方向上的不同位置處係受到 不同時間長度的照射，造成不同蝕刻深度，因而可將高分子材蝕刻成預定 形狀之立體圖案。並且，藉由兩次不同方向或是不同光罩圖案的照射蝕刻 ，可得到類球面或非球面的微陣列結構。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1011
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微鏡片定位裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL01110627.1
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1011
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微鏡片定位裝置
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 潘正堂, 陳世洲, 李國賓, 楊賢敏, 謝宸碩
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL01110627.1
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種微鏡片定位裝置，主要包括水平定位單元、垂直定位單元及免干擾機制單元， 其中水平定位單元具有可固定微鏡片之功能，使微鏡片在攜帶及運送過程中，避免 震動、碰撞造成之微鏡片移位或損壞；垂直定位單元具有可將微鏡片作精準垂直定 位的功能；免干擾機制單元則可保障微鏡片免於微鏡片陣列中其他微鏡片之操作磁 場及外界磁場之干擾，故可保障微鏡片陣列之整體運作不受磁場干擾。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1012
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文微結構探針卡之製法及其成品
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家日本
獲證日期(空)
證書號碼3584219
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1012
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 微結構探針卡之製法及其成品
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 周敏傑, 王宏杰, 彭駿光, 吳東權, 蔡宏營
核准國家: 日本
獲證日期: (空)
證書號碼: 3584219
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種探針卡之製法及其成品，其製法包含：準備基材；在基材上若干位置分別蝕刻 一長槽氣臂空間及一自懸臂空間底部一端凹入之針頭空間；在懸臂空間及針頭空間 內電鑄成型懸臂及針頭；在基材頂面塗佈光阻，並以光刻法將光阻對應各懸臂遠離 針頭一端之部份蝕穿成穿透空缺；在光阻頂面覆上絕緣之座板，並以光刻法成型貫 穿座板並與懸臂接通之基座空間；在基座空間內電鑄成型探針基座；去除基材及光 阻。依此製出之探針卡具有探針密度高、接觸性佳、可作高速測試等優點。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號1013
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文改良之近場光學飛行頭
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼221801
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1013
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 改良之近場光學飛行頭
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 羅士哲, 王鴻年, 林熙翔
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 221801
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 一種可進行近場光學記錄之飛行頭，係包含一可維持於光碟片近場距離之承載台， 其前端設一固態浸沒式鏡片（ＳＩＬ），較內側設一可將雷射光聚焦至該ＳＩＬ之 聚焦鏡片；本創作提供之改良結構之一，係在該ＳＩＬ之折射面上鍍一光散射層及 一介電層，當受光或受熱時可分解出銀原子，銀原子能增強雷射光通過折射面之電 磁波，形同開啟一微小之光學孔穴；另一方式係在該折射面上鍍一遮罩層及一介電 層，其折射率可因雷射光之熱能而改變，使聚焦處開啟一微小孔穴供電磁波通過； 如此，射至光碟片之雷射光點較小，可作線寬更細之近場曝光。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03-5915898 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號1014
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼196456
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員呂美玲
電話03-5915898
傳真03-5820316
電子信箱meilingleu@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1014
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 以雙離子槍濺鍍薄膜於微米/奈米級結構表面之方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 蘇建彰, 蔡宏營, 林宏彝, 蔡哲正
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 196456
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種以雙離子槍濺鍍薄膜於微結構表面之方法，係利用一濺鍍離子槍對一靶材進行 轟擊以將靶材原子鍍製到一基板上形成薄膜，一加工離子槍則對該微結構表面剛形 成有薄膜之基板預定位置處進行轟擊加工，以促使該處表面獲得均勻膜厚。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 呂美玲
電話: 03-5915898
傳真: 03-5820316
電子信箱: meilingleu@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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與微粒研磨裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

電容器介電皮膜之形成及修補機台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 彭裕民, 劉士山, 黃振豊, 丁朝陽, 陳皇壯, 李獻章 | 證書號碼: 209152

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

平面型燃料電池單體及其電池組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助, 康顧嚴, 許平源, 薛康琳 | 證書號碼: 190383

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 6,680,148

以噴霧電漿熱解法製造奈米結構材料之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑, 陳金銘, 洪松慰, 劉茂煌, 謝建德 | 證書號碼: 196500

含酯類添加劑之非水性電解液及其二次電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李志聰, 詹益松, 林月微, 吳茂松, 莊文源 | 證書號碼: 197251

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 3566681

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

電容器介電皮膜之形成及修補機台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 彭裕民, 劉士山, 黃振豊, 丁朝陽, 陳皇壯, 李獻章 | 證書號碼: 209152

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

平面型燃料電池單體及其電池組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助, 康顧嚴, 許平源, 薛康琳 | 證書號碼: 190383

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 6,680,148

以噴霧電漿熱解法製造奈米結構材料之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑, 陳金銘, 洪松慰, 劉茂煌, 謝建德 | 證書號碼: 196500

含酯類添加劑之非水性電解液及其二次電池

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李志聰, 詹益松, 林月微, 吳茂松, 莊文源 | 證書號碼: 197251

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 3566681

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