金屬薄膜量測方法
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專利名稱-中文金屬薄膜量測方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是顧逸霞 ,張柏毅 ,陳義昌 ,龐秀蘭, 證書號碼是I463110.

序號	13271
產出年度	103
領域別	服務創新
專利名稱-中文	金屬薄膜量測方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院量測中心
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	顧逸霞 ,張柏毅 ,陳義昌 ,龐秀蘭
核准國家	中華民國
獲證日期	103/12/01
證書號碼	I463110
專利期間起	120/05/10
專利期間訖	一種金屬薄膜量測方法，包括下列步驟。量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之一電容值。根據電容值之變異量，計算金屬薄膜的厚度。在一實施例中，電容感測模組量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。在另一實施例中，採用上下相對之一組電容感測模組來量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種金屬薄膜量測方法，包括下列步驟。量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之一電容值。根據電容值之變異量，計算金屬薄膜的厚度。在一實施例中，電容感測模組量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。在另一實施例中，採用上下相對之一組電容感測模組來量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5918041
傳真	03-5917660
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

13271

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

金屬薄膜量測方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院量測中心

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

顧逸霞 ,張柏毅 ,陳義昌 ,龐秀蘭

核准國家

中華民國

獲證日期

103/12/01

證書號碼

I463110

專利期間起

120/05/10

專利期間訖

一種金屬薄膜量測方法，包括下列步驟。量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之一電容值。根據電容值之變異量，計算金屬薄膜的厚度。在一實施例中，電容感測模組量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。在另一實施例中，採用上下相對之一組電容感測模組來量測金屬薄膜形成前與形成後所感測之電容值，以計算金屬薄膜的厚度。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5918041

傳真

03-5917660

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

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備註

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特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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專利名稱-中文

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專利期間訖

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