加工設備之運動位置檢知裝置及其方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文加工設備之運動位置檢知裝置及其方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I494726, 專利期間起是104/08/01, 專利期間訖是121/12/23, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是104, 計畫名稱是金屬中心產業技術環境建構計畫, 專利發明人是林大裕、吳文傑.

序號16840
產出年度104
領域別製造精進
專利名稱-中文加工設備之運動位置檢知裝置及其方法
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫
專利發明人林大裕 | 吳文傑
核准國家中華民國
獲證日期104/08/01
證書號碼I494726
專利期間起104/08/01
專利期間訖121/12/23
專利性質發明
技術摘要-中文一種振動電化學加工之運動位置檢知方法
技術摘要-英文(空)
聯絡人員吳文傑
電話04-23502169
傳真04-23501174
電子信箱wcwu@mail.mirdc.org.tw
參考網址http://www.mirdc.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)

序號

16840

產出年度

104

領域別

製造精進

專利名稱-中文

加工設備之運動位置檢知裝置及其方法

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

金屬中心產業技術環境建構計畫

專利發明人

林大裕 | 吳文傑

核准國家

中華民國

獲證日期

104/08/01

證書號碼

I494726

專利期間起

104/08/01

專利期間訖

121/12/23

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種振動電化學加工之運動位置檢知方法

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

吳文傑

電話

04-23502169

傳真

04-23501174

電子信箱

wcwu@mail.mirdc.org.tw

參考網址

http://www.mirdc.org.tw

備註

(空)

特殊情形

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驅動裝置及其軸承

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I386558 | 專利期間起: 102/02/21 | 專利期間訖: 118/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 張振輝 | 劉淑娟 | 邱冠智 | 林大裕 | 任春平

@ 技術司專利資料集

具有動壓軸承之驅動器及其注油方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I395886 | 專利期間起: 102/05/11 | 專利期間訖: 118/06/07 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 邱冠智 | 張振輝 | 劉淑娟 | 林大裕

@ 技術司專利資料集

電化學製程之加工電極,其製法及製造設備

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I384096 | 專利期間起: 102/02/01 | 專利期間訖: 117/11/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 張振暉 | 劉淑娟 | 邱冠智 | 林大裕

@ 技術司專利資料集

潤滑流體補充結構及振動裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I548831 | 專利期間起: 105/09/11 | 專利期間訖: 121/12/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 林大裕 | 吳文傑

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便利整合傳輸介面模組之工作平台

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330117 | 專利期間起: 1999/9/11 | 專利期間訖: 117/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 江文欽 洪榮洲 吳文傑 林大裕

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具多介面傳輸模組裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I369045 | 專利期間起: 101/02/11 | 專利期間訖: 116/12/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 洪榮洲 | 吳文傑 | 林大裕 | 溫梓宏 | 許志成

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加工设备的运动位置检知装置及其方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 2293097 | 專利期間起: 101/12/27 | 專利期間訖: 121/12/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 林大裕

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電化學加工方法及電化學加工裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I337107 | 專利期間起: 100/02/11 | 專利期間訖: 116/12/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 邱冠智 | 林大裕

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驅動裝置及其軸承

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I386558 | 專利期間起: 102/02/21 | 專利期間訖: 118/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 張振輝 | 劉淑娟 | 邱冠智 | 林大裕 | 任春平

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具有動壓軸承之驅動器及其注油方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I395886 | 專利期間起: 102/05/11 | 專利期間訖: 118/06/07 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 邱冠智 | 張振輝 | 劉淑娟 | 林大裕

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電化學製程之加工電極,其製法及製造設備

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I384096 | 專利期間起: 102/02/01 | 專利期間訖: 117/11/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 金屬元件之精微設備開發計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 張振暉 | 劉淑娟 | 邱冠智 | 林大裕

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潤滑流體補充結構及振動裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I548831 | 專利期間起: 105/09/11 | 專利期間訖: 121/12/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 林大裕 | 吳文傑

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便利整合傳輸介面模組之工作平台

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330117 | 專利期間起: 1999/9/11 | 專利期間訖: 117/09/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 江文欽 洪榮洲 吳文傑 林大裕

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具多介面傳輸模組裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I369045 | 專利期間起: 101/02/11 | 專利期間訖: 116/12/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 江文欽 | 洪榮洲 | 吳文傑 | 林大裕 | 溫梓宏 | 許志成

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加工设备的运动位置检知装置及其方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: 2293097 | 專利期間起: 101/12/27 | 專利期間訖: 121/12/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 林大裕

@ 技術司專利資料集

電化學加工方法及電化學加工裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I337107 | 專利期間起: 100/02/11 | 專利期間訖: 116/12/27 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 吳文傑 | 邱冠智 | 林大裕

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精微成形設備開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 下死點精度≦1μm 、沖壓能力:0.5噸 、 滑塊行程:10mm、 滑塊回轉數:30~100 spm_x000D_ | 潛力預估: 隨系統廠微形裝置之開發,其所需之精微扣件微機構元件等之需求將會逐年上升,預估每年會有10%以上之成長率。 _x000D_

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防護裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I481467 | 專利期間起: 104/04/21 | 專利期間訖: 119/12/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 劉衾瑋 | 林大裕 | 陳佑論 | 陳弘毅

@ 技術司專利資料集

防護裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201310579215.9 | 專利期間起: 105/03/02 | 專利期間訖: 120/12/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 劉衾瑋 | 陳弘毅 | 林大裕 | 陳佑論

@ 技術司專利資料集

多向閥機構設計開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。 | 潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作,預計可取代同類型之進口產品,預估單價8,000元,量產初期10,000個/年,產值可達8,000萬元以上。

@ 技術司可移轉技術資料集

超鏡面加工技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。 | 潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作,預計可取代傳統加工方式,提升產品穩定性及加工效率,利用內管拋光之自動化,提高效率約30%。

@ 技術司可移轉技術資料集

超精密沖壓設備設計分析技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 下死點精度 :≦ 0.006mm 、公稱壓力:30KN、滑塊行程:15mm。 | 潛力預估: 隨系統廠微型裝置之開發,其所需之精微扣件、傳動軸件、微機構元件、微結構零件與殼件之需求會逐年上升,預估每年會有10%以上之成長率。

@ 技術司可移轉技術資料集

壓力調節閥機構設計開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。 | 潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作,預計可取代同類型之進口產品,預估單價35,000元,量產初期1,500個/年,產值可達5,000萬元以上。

@ 技術司可移轉技術資料集

電解複合研磨加工技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 表面精度≦ 0.05μm。 | 潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作,預計可取代傳統加工方式,提升產品穩定性及加工效率,利用內管拋光之自動化,提高效率約50%。

@ 技術司可移轉技術資料集

精微成形設備開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 下死點精度≦1μm 、沖壓能力:0.5噸 、 滑塊行程:10mm、 滑塊回轉數:30~100 spm_x000D_ | 潛力預估: 隨系統廠微形裝置之開發,其所需之精微扣件微機構元件等之需求將會逐年上升,預估每年會有10%以上之成長率。 _x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

防護裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I481467 | 專利期間起: 104/04/21 | 專利期間訖: 119/12/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 劉衾瑋 | 林大裕 | 陳佑論 | 陳弘毅

@ 技術司專利資料集

防護裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201310579215.9 | 專利期間起: 105/03/02 | 專利期間訖: 120/12/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 精微製造之系統整合與智慧化研發計畫 | 專利發明人: 劉衾瑋 | 陳弘毅 | 林大裕 | 陳佑論

@ 技術司專利資料集

多向閥機構設計開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 10kg /cm2、逸散率25000次。 | 潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作,預計可取代同類型之進口產品,預估單價8,000元,量產初期10,000個/年,產值可達8,000萬元以上。

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超鏡面加工技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 表面精度≦ 0.13μm、鏡面反射率≧ 60%、鈍化膜厚度≧25 A。 | 潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作,預計可取代傳統加工方式,提升產品穩定性及加工效率,利用內管拋光之自動化,提高效率約30%。

@ 技術司可移轉技術資料集

超精密沖壓設備設計分析技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 下死點精度 :≦ 0.006mm 、公稱壓力:30KN、滑塊行程:15mm。 | 潛力預估: 隨系統廠微型裝置之開發,其所需之精微扣件、傳動軸件、微機構元件、微結構零件與殼件之需求會逐年上升,預估每年會有10%以上之成長率。

@ 技術司可移轉技術資料集

壓力調節閥機構設計開發技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作溫度-10~80℃、工作壓力≦ 35kg /cm2、調壓範圍 0~3.5kg /cm2、逸散率25000次。 | 潛力預估: 應用於高潔淨閥之開發與製作,預計可取代同類型之進口產品,預估單價35,000元,量產初期1,500個/年,產值可達5,000萬元以上。

@ 技術司可移轉技術資料集

電解複合研磨加工技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 表面精度≦ 0.05μm。 | 潛力預估: 應用於高潔淨管閥件之製作,預計可取代傳統加工方式,提升產品穩定性及加工效率,利用內管拋光之自動化,提高效率約50%。

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與加工設備之運動位置檢知裝置及其方法同分類的技術司專利資料集

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君 | 魏明達 | 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 許志榮 | 李鈞道 | 李正中

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6656772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6605491 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德 | 張世明 | 林文迪

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 林瑞進 | 吳家宏 | 周坤和

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3533205 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 林俊仁 | 陳仲竹

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223402 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 蘇慧琪 | 陳宜孝 | 梁兆鈞 | 李政鴻 | 莊政恩

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184677 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6651325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184681 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 盧慧娟

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6700783 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 姜信騰

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6759305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 崔秉鉞 | 李正中

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6741039 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 李正中 | 許志榮 | 張悠揚

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188211 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪 | 江松燦

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6764887 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君 | 魏明達 | 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 許志榮 | 李鈞道 | 李正中

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6656772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6605491 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德 | 張世明 | 林文迪

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 林瑞進 | 吳家宏 | 周坤和

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3533205 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 林俊仁 | 陳仲竹

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223402 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕 | 蘇慧琪 | 陳宜孝 | 梁兆鈞 | 李政鴻 | 莊政恩

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184677 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6651325 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184681 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 盧慧娟

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6700783 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷 | 姜信騰

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6759305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 崔秉鉞 | 李正中

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6741039 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道 | 李正中 | 許志榮 | 張悠揚

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188211 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪 | 江松燦

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6764887 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東

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