晶技 - 上市公司營益分析查詢彙總表(全體公司彙總報表) @ 金融監督管理委員會證券期貨局 公司名稱晶技 的年度是108 , 季別是2 , 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入)是6.94 , 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入)是6.01 , 營業收入(百萬元)是3568.24 , 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入)是5.35 , 出表日期是108/10/31 .
出表日期 108/10/31 年度 108 季別 2 公司代號 3042 公司名稱 晶技 營業收入(百萬元) 3568.24 毛利率(%)(營業毛利)/(營業收入) 22.29 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入) 5.35 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入) 6.94 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入) 6.01
出表日期 108/10/31 年度 108 季別 2 公司代號 3042 公司名稱 晶技 營業收入(百萬元) 3568.24 毛利率(%)(營業毛利)/(營業收入) 22.29 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入) 5.35 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入) 6.94 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入) 6.01
根據識別碼 3042 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 3042 黃啟軒 | 臺南市 | 場域: 學校 | 74181臺南市善化區進學路63號
@ 文化部公共藝術 公司統一編號: 公司/商業登記 | 台北市萬華區萬大路533號/v540 | 食品業者登錄字號: A-200061970-00000-2
@ 食品業者登錄資料集 公司統一編號: 販售場所 | 台北市萬華區萬大路533號/v540 | 食品業者登錄字號: A-200061970-00001-3
@ 食品業者登錄資料集 英文商品名稱: TFAA30000394193 | 分類: 粉狀(粉劑) | 公司或商業登記名稱: 味特生物科技股份有限公司 | 食品業者登錄字號: N-128151176-00000-2
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000256517 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 糧億企業有限公司 | 食品業者登錄字號: A-123764274-00000-3
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000007465 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 糧億企業有限公司 | 食品業者登錄字號: A-123764274-00000-3
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000007465 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 建聆企業有限公司 | 食品業者登錄字號: N-125169139-00000-7
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 作者: 動物 | 描述:
@ 台灣采風翦影
黃啟軒 | 臺南市 | 場域: 學校 | 74181臺南市善化區進學路63號
@ 文化部公共藝術 公司統一編號: 公司/商業登記 | 台北市萬華區萬大路533號/v540 | 食品業者登錄字號: A-200061970-00000-2
@ 食品業者登錄資料集 公司統一編號: 販售場所 | 台北市萬華區萬大路533號/v540 | 食品業者登錄字號: A-200061970-00001-3
@ 食品業者登錄資料集 英文商品名稱: TFAA30000394193 | 分類: 粉狀(粉劑) | 公司或商業登記名稱: 味特生物科技股份有限公司 | 食品業者登錄字號: N-128151176-00000-2
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000256517 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 糧億企業有限公司 | 食品業者登錄字號: A-123764274-00000-3
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000007465 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 糧億企業有限公司 | 食品業者登錄字號: A-123764274-00000-3
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 英文商品名稱: AROMATIC MIXTURE 3042 | 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000007465 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 建聆企業有限公司 | 食品業者登錄字號: N-125169139-00000-7
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根據名稱 晶技 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 晶技 序號 106 產出年度 93 技術名稱-中文 晶片/晶圓鍵合技術 執行單位 工研院機械所 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進，應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程，所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發，而且多家公司已著手進入商品化開發階段，如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰，其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一，此項技術目前全球鮮有商品化之機型，現今我國若能及早研發完成此項技術，並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術，即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境，提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有：Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等，其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接，具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢，至今已成功應用於各式光電與通訊產品。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技術，辨識精度: ± 2μm/晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N；最大40kN/薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)/覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP 技術成熟度 試量產 可應用範圍 光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory，CMOS Image Sensor，CSP，CPU，SiP等產品 潛力預估 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮短客制化設備開發時程 聯絡人員 黃國興 電話 06-5089239 傳真 06-5089056 電子信箱 Story@itri.org.tw 參考網址 http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/itri_show.jsp?idx=1871 所須軟硬體設備 光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗 需具備之專業人才 光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計
序號: 106 產出年度: 93 技術名稱-中文: 晶片/晶圓鍵合技術 執行單位: 工研院機械所 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進，應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程，所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發，而且多家公司已著手進入商品化開發階段，如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰，其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一，此項技術目前全球鮮有商品化之機型，現今我國若能及早研發完成此項技術，並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術，即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境，提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有：Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等，其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接，具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢，至今已成功應用於各式光電與通訊產品。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技術，辨識精度: ± 2μm/晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N；最大40kN/薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)/覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory，CMOS Image Sensor，CSP，CPU，SiP等產品 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮短客制化設備開發時程 聯絡人員: 黃國興 電話: 06-5089239 傳真: 06-5089056 電子信箱: Story@itri.org.tw 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/itri_show.jsp?idx=1871 所須軟硬體設備: 光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗 需具備之專業人才: 光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計
序號 1574 產出年度 95 技術名稱-中文 晶片/晶圓鍵合技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進，應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程，所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發，而且多家公司已著手進入商品化開發階段，如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰，其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一，此項技術目前全球鮮有商品化之機型，現今我國若能及早研發完成此項技術，並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術，即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境，提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有：Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等，其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接，具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢，至今已成功應用於各式光電與通訊產品。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_；大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃；瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃；視覺對位技術，辨識精度: ± 2μm；晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N；最大40kN；薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)_x000D_；覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP。 技術成熟度 試量產 可應用範圍 光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory，CMOS Image Sensor，CSP，CPU，SiP等產品。 潛力預估 光電業及半導體業 聯絡人員 黃國興 電話 06-6939239 傳真 06-6939056 電子信箱 Story@itri.org.tw 參考網址 無 所須軟硬體設備 光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗。 需具備之專業人才 光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計。
序號: 1574 產出年度: 95 技術名稱-中文: 晶片/晶圓鍵合技術 執行單位: 工研院南分院 產出單位: (空) 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 先進IC構裝技術朝向輕薄短小的趨勢演進，應用於Ⅲ-Ⅴ族通訊光電產品或IC Card的主流構裝製程，所使用的晶片厚度已要求在50μm以下。因此國內外已有許多研發團隊進行晶圓薄化技術以及3D構裝技術的開發，而且多家公司已著手進入商品化開發階段，如德國IZM、日本Toshiba、Fujitsu等。然而晶片薄型化卻使相關製程設備面臨極大的挑戰，其中薄型晶片精密取放技術即為重要的核心技術之一，此項技術目前全球鮮有商品化之機型，現今我國若能及早研發完成此項技術，並配合各種晶片/晶圓取放、對位、鍵合等構裝設備之關鍵技術，即能破除新型設備仰賴國外進口之窘境，提昇國內於先進構裝製程設備的自製率。覆晶技術具有導電性佳、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，而廣泛應用於高功率產品的封裝製程。現行成熟的覆晶鍵合技術有：Solder、Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP等，其中熱超音波覆晶黏晶技術是運用超音波能量進行晶片與基板之間接點的熔接，具有快速、低溫熔接、輕黏晶置放力以及不需助焊劑等製程優勢，至今已成功應用於各式光電與通訊產品。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_；大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃；瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃；視覺對位技術，辨識精度: ± 2μm；晶片/晶圓鍵合力量控制技術: 最小0.5N；最大40kN；薄型晶片取放技術: 晶片尺寸40x40x2 mil (長x寬x厚度)_x000D_；覆晶鍵合技術: Thermo-sonic, Thermo-compression, ACF/ACP, NCP。 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 光電產業之高亮度LED、通訊產業之SAW、TCXO、FPD產業之顯示器Diver IC、半導體產業之Memory，CMOS Image Sensor，CSP，CPU，SiP等產品。 潛力預估: 光電業及半導體業 聯絡人員: 黃國興 電話: 06-6939239 傳真: 06-6939056 電子信箱: Story@itri.org.tw 參考網址: 無 所須軟硬體設備: 光電與半導體構裝、測試設備製造經驗、機密機械設備研發經驗。 需具備之專業人才: 光電與半導體構裝製程、光電與半導體測試製程、精密機械設計。
序號 1002 產出年度 94 技術名稱-中文 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 執行單位 工研院電子所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i 技術成熟度 量產 可應用範圍 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。 潛力預估 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。 聯絡人員 溫國城 電話 03-5915654 傳真 03-5820412 電子信箱 kcwen@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 封裝相關設備 需具備之專業人才 具電機電子相關知識
序號: 1002 產出年度: 94 技術名稱-中文: 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 執行單位: 工研院電子所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i 技術成熟度: 量產 可應用範圍: 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。 聯絡人員: 溫國城 電話: 03-5915654 傳真: 03-5820412 電子信箱: kcwen@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 封裝相關設備 需具備之專業人才: 具電機電子相關知識
序號 4809 產出年度 99 技術名稱-中文 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子與光電領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。 電光所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.Die size:10*10mm 2.Pitch: 0.8mm, 1.0mm 3.Solder ball:eutectic @lead free solder 4.Wafer size: 6" or 8" Si wafer 5.Design: Fan-i 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢。 潛力預估 電光所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，ROC patent: 419764，US patent: 6277669)。其結構設計，第一層之應力緩衝層(1st compliant layer)可同時作為底保護層(Bottom passivation layer)及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。 聯絡人員 溫國城 電話 03-5915654 傳真 03-5913941 電子信箱 kcwen@itri.org.tw 參考網址 - 所須軟硬體設備 光阻塗佈機、顯影機、金屬石刻機。 需具備之專業人才 電機，電子，材料，化工。
序號: 4809 產出年度: 99 技術名稱-中文: 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 執行單位: 工研院電光所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。 電光所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.Die size:10*10mm 2.Pitch: 0.8mm, 1.0mm 3.Solder ball:eutectic @lead free solder 4.Wafer size: 6" or 8" Si wafer 5.Design: Fan-i 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢。 潛力預估: 電光所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，ROC patent: 419764，US patent: 6277669)。其結構設計，第一層之應力緩衝層(1st compliant layer)可同時作為底保護層(Bottom passivation layer)及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。 聯絡人員: 溫國城 電話: 03-5915654 傳真: 03-5913941 電子信箱: kcwen@itri.org.tw 參考網址: - 所須軟硬體設備: 光阻塗佈機、顯影機、金屬石刻機。 需具備之專業人才: 電機，電子，材料，化工。
序號 3486 產出年度 98 技術名稱-中文 Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 電子產品正走向輕薄短小、元件功能增加、I/O接點腳數亦增加之發展趨勢，覆晶構裝技術具有高密度、低電感、高頻雜訊易控制及構裝尺寸縮小等優點，正符合未來高效能和攜帶式產品所需之構裝技術。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 接合有機基板覆晶構裝： 接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300） 增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） 技術成熟度 試量產 可應用範圍 微處理器、繪圖晶片、高階特定功用積體電路、晶片組等高速高功能高腳數之積體電路。 潛力預估 由於相關產業在PC晶片組及顯示卡晶片上的應用日益逢勃發展, 面對更高腳數高性能的要求, 熬傳增益的覆晶技術必然隨著PC的發展而更形重要。 聯絡人員 溫國城 電話 03-5915654 傳真 03-5917193 電子信箱 kcwen@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 Flip-Chip Assembly Line 需具備之專業人才 BGA基板技術 IC構裝技術
序號: 3486 產出年度: 98 技術名稱-中文: Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 電子產品正走向輕薄短小、元件功能增加、I/O接點腳數亦增加之發展趨勢，覆晶構裝技術具有高密度、低電感、高頻雜訊易控制及構裝尺寸縮小等優點，正符合未來高效能和攜帶式產品所需之構裝技術。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝： 接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300） 增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 微處理器、繪圖晶片、高階特定功用積體電路、晶片組等高速高功能高腳數之積體電路。 潛力預估: 由於相關產業在PC晶片組及顯示卡晶片上的應用日益逢勃發展, 面對更高腳數高性能的要求, 熬傳增益的覆晶技術必然隨著PC的發展而更形重要。 聯絡人員: 溫國城 電話: 03-5915654 傳真: 03-5917193 電子信箱: kcwen@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: Flip-Chip Assembly Line 需具備之專業人才: BGA基板技術 IC構裝技術
序號 1232 產出年度 94 技術名稱-中文 氮化鎵基板 執行單位 工研院光電所 產出單位 (空) 計畫名稱 國際科技交流及技術合作四年推動計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 氮化鎵厚膜磊晶技術。氮化鎵基板製程技術。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 GaN可見光、紫外光及白光LED及GaN LD磊晶所需之基板。 潛力預估 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基板。 聯絡人員 張弘文 電話 03-5918018 傳真 03-5917702 電子信箱 hwchang@itri.org.tw 參考網址 http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。 需具備之專業人才 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。
序號: 1232 產出年度: 94 技術名稱-中文: 氮化鎵基板 執行單位: 工研院光電所 產出單位: (空) 計畫名稱: 國際科技交流及技術合作四年推動計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 氮化鎵厚膜磊晶技術。氮化鎵基板製程技術。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: GaN可見光、紫外光及白光LED及GaN LD磊晶所需之基板。 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基板。 聯絡人員: 張弘文 電話: 03-5918018 傳真: 03-5917702 電子信箱: hwchang@itri.org.tw 參考網址: http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備: 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。 需具備之專業人才: 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。
序號 7566 產出年度 104 技術名稱-中文 GaN on Si 磊晶及元件技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 領域 綠能科技 已申請專利之國家 TW/CN/US 已獲得專利之國家 TW/CN/US 技術現況敘述-中文 本技術包含GaN on Si之磊晶及元件技術，Si基板尺寸為6~8吋，可應用於LED發光二極體、Power和Rf功率元件，自有緩衝層專利結構可解決GaN/Si晶片裂縫問題、提升薄膜品質。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)AlGaN/GaN HEMT元件： electron mobility > 1200 cm2 V-1 s-1，sheet carrier density > 1 x 1013 cm-2，Breakdown voltage >600V，厚度均勻度 技術成熟度 雛型 可應用範圍 (1)LED：交通號誌、交通照明燈具、全彩化顯示幕、照明用。 (2)HEMT：電力及車用電子、無線通訊的高頻功率放大器等產業。 潛力預估 大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。 聯絡人員 張弘文 電話 03-5918018 傳真 03-5915138 電子信箱 hwchang@itri.org.tw 參考網址 https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_cont.aspx?&SiteID=1&MmmID=620621110650707703&ST=D&TD=B&OZ=51&MSid=4565 所須軟硬體設備 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。 需具備之專業人才 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之專業。
序號: 7566 產出年度: 104 技術名稱-中文: GaN on Si 磊晶及元件技術 執行單位: 工研院電光所 產出單位: (空) 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 領域: 綠能科技 已申請專利之國家: TW/CN/US 已獲得專利之國家: TW/CN/US 技術現況敘述-中文: 本技術包含GaN on Si之磊晶及元件技術，Si基板尺寸為6~8吋，可應用於LED發光二極體、Power和Rf功率元件，自有緩衝層專利結構可解決GaN/Si晶片裂縫問題、提升薄膜品質。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)AlGaN/GaN HEMT元件： electron mobility > 1200 cm2 V-1 s-1，sheet carrier density > 1 x 1013 cm-2，Breakdown voltage >600V，厚度均勻度 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: (1)LED：交通號誌、交通照明燈具、全彩化顯示幕、照明用。 (2)HEMT：電力及車用電子、無線通訊的高頻功率放大器等產業。 潛力預估: 大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。 聯絡人員: 張弘文 電話: 03-5918018 傳真: 03-5915138 電子信箱: hwchang@itri.org.tw 參考網址: https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_cont.aspx?&SiteID=1&MmmID=620621110650707703&ST=D&TD=B&OZ=51&MSid=4565 所須軟硬體設備: 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。 需具備之專業人才: 需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之專業。
序號 3234 產出年度 96 領域別 (空) 專利名稱-中文 DRAM空心柱型電容及其製造方法 執行單位 工研院院本部 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人 李亨元 梁虔碩 李隆盛 核准國家 中華民國 獲證日期 (空) 證書號碼 I284318 專利期間起 (空) 專利期間訖 (空) 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種DRAM空心柱型電容器的製造方法，包括提供具有一多晶矽插塞的基底，再於基底上提供具有開口的一模型介電層，其中開口暴露出多晶矽插塞。接著，於開口側壁上形成一非晶矽間隙壁，並暴露出部分多晶矽插塞。然後，去除暴露出的多晶矽插塞之部分厚度，再利用種晶技術，於非晶矽間隙壁表面產生一半球形矽晶粒層。之後，於半球形矽晶粒層表面形成一電容介電層，再於電容介電層上形成一導電層。由於多晶矽插塞部份不會形成半球形矽晶粒，所以電容接觸面積不會被縮小，並可藉此避免因電容介電層成膜不易導致的良率降低。_x000D_ 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 劉展洋 電話 03-5916037 傳真 03-5917431 電子信箱 JamesLiu@Itri.org.tw 參考網址 http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 特殊情形 (空)
序號: 3234 產出年度: 96 領域別: (空) 專利名稱-中文: DRAM空心柱型電容及其製造方法 執行單位: 工研院院本部 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人: 李亨元 梁虔碩 李隆盛 核准國家: 中華民國 獲證日期: (空) 證書號碼: I284318 專利期間起: (空) 專利期間訖: (空) 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種DRAM空心柱型電容器的製造方法，包括提供具有一多晶矽插塞的基底，再於基底上提供具有開口的一模型介電層，其中開口暴露出多晶矽插塞。接著，於開口側壁上形成一非晶矽間隙壁，並暴露出部分多晶矽插塞。然後，去除暴露出的多晶矽插塞之部分厚度，再利用種晶技術，於非晶矽間隙壁表面產生一半球形矽晶粒層。之後，於半球形矽晶粒層表面形成一電容介電層，再於電容介電層上形成一導電層。由於多晶矽插塞部份不會形成半球形矽晶粒，所以電容接觸面積不會被縮小，並可藉此避免因電容介電層成膜不易導致的良率降低。_x000D_ 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 劉展洋 電話: 03-5916037 傳真: 03-5917431 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸 特殊情形: (空)
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年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 8.95 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 7.57 | 營業收入(百萬元): 142771.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.21 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 6.01 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 4.02 | 營業收入(百萬元): 4991.35 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 5.29 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 4.57 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.36 | 營業收入(百萬元): 9081.90 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.93 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 16.67 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 12.65 | 營業收入(百萬元): 10546.33 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 9.17 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 43.66 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 43.44 | 營業收入(百萬元): 1117.70 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -0.07 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 0.71 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 0.08 | 營業收入(百萬元): 583.88 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 0.49 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 6.61 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 5.19 | 營業收入(百萬元): 419.83 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 4.29 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 4.42 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 4.40 | 營業收入(百萬元): 1690.25 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.84 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 0.60 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 0.45 | 營業收入(百萬元): 264.49 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -5.06 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -21.76 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -21.75 | 營業收入(百萬元): 600.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -15.54 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 14.80 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 12.37 | 營業收入(百萬元): 24089.60 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 6.24 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 126.35 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 126.35 | 營業收入(百萬元): 10.69 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -80.26 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 64.28 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 237.67 | 營業收入(百萬元): 322.69 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 52.14 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 966.20 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 862.28 | 營業收入(百萬元): 106.29 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -90.56 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -22.64 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -23.03 | 營業收入(百萬元): 735.59 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -20.67 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 8.95 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 7.57 | 營業收入(百萬元): 142771.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.21 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 6.01 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 4.02 | 營業收入(百萬元): 4991.35 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 5.29 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 4.57 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.36 | 營業收入(百萬元): 9081.90 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.93 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 16.67 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 12.65 | 營業收入(百萬元): 10546.33 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 9.17 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 43.66 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 43.44 | 營業收入(百萬元): 1117.70 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -0.07 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 0.71 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 0.08 | 營業收入(百萬元): 583.88 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 0.49 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 6.61 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 5.19 | 營業收入(百萬元): 419.83 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 4.29 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 4.42 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 4.40 | 營業收入(百萬元): 1690.25 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.84 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 0.60 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 0.45 | 營業收入(百萬元): 264.49 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -5.06 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -21.76 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -21.75 | 營業收入(百萬元): 600.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -15.54 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 14.80 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 12.37 | 營業收入(百萬元): 24089.60 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 6.24 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 126.35 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 126.35 | 營業收入(百萬元): 10.69 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -80.26 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 64.28 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 237.67 | 營業收入(百萬元): 322.69 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 52.14 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 966.20 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 862.28 | 營業收入(百萬元): 106.29 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -90.56 | 出表日期: 108/09/25
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -22.64 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -23.03 | 營業收入(百萬元): 735.59 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -20.67 | 出表日期: 108/09/25