低溫共燒基材製程技術授權
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技術名稱-中文低溫共燒基材製程技術授權的執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 技術規格是◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity size: , 潛力預估是目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。.

序號	230
產出年度	93
技術名稱-中文	低溫共燒基材製程技術授權
執行單位	工研院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用LTCC技術開發適用於多頻多模的行動通訊射頻模組技術。以LTCC材料/製程為基礎，可整合電路設計與MEMS元件。核心技術包括可切換的開關及濾波器技術與LTCC元件整合、氣密封裝、三維電路等相關技術。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity size: <3.5Lx3.5Wx1.0Hmm3
技術成熟度	試量產
可應用範圍	無線通訊與光通訊射頻模組。對於未來行動通訊走向多頻與多模的發展趨勢，如手機結合無線區域網路(802.11a/b/g)、藍芽、GPS等，系統射頻電路複雜化。光通訊寬頻到家(FTTH)，對於通訊模組低價與小型化的需求，皆可以利用LTCC及MEMS的優勢整合。
潛力預估	目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
聯絡人員	林鴻欽
電話	03-5915200
傳真	03-5820206
電子信箱	linsc@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	硬體：三滾筒、流變儀、LTCC製程設備、恆溫恆濕箱軟體：SPC分析軟體、溫度特性測試軟體、
需具備之專業人才	材料、化工、電機電子、化學

序號

230

產出年度

技術名稱-中文

低溫共燒基材製程技術授權

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用LTCC技術開發適用於多頻多模的行動通訊射頻模組技術。以LTCC材料/製程為基礎，可整合電路設計與MEMS元件。核心技術包括可切換的開關及濾波器技術與LTCC元件整合、氣密封裝、三維電路等相關技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity size: <3.5Lx3.5Wx1.0Hmm3

技術成熟度

試量產

可應用範圍

無線通訊與光通訊射頻模組。對於未來行動通訊走向多頻與多模的發展趨勢，如手機結合無線區域網路(802.11a/b/g)、藍芽、GPS等，系統射頻電路複雜化。光通訊寬頻到家(FTTH)，對於通訊模組低價與小型化的需求，皆可以利用LTCC及MEMS的優勢整合。

潛力預估

目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。

聯絡人員

林鴻欽

電話

03-5915200

傳真

03-5820206

電子信箱

linsc@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

硬體：三滾筒、流變儀、LTCC製程設備、恆溫恆濕箱軟體：SPC分析軟體、溫度特性測試軟體、

需具備之專業人才

材料、化工、電機電子、化學

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低溫高導電性材料開發技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銀膏熱處理溫度 \| 潛力預估: 此技術應用在高可靠度電容元件的端電極，最終希望能取代鉭質電容器，其產值可創造數億規模。 @ 技術司可移轉技術資料集
高導電金屬膠材料與製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 低溫製程(溫度 \| 潛力預估: 目前美國、日本均已投入此方面之研究，如美國 DuPont 以及Georgia Tech-Packaging Research Center 等研究單位都朝此發展。本技術所得之膜層導電度已達世界水準，... @ 技術司可移轉技術資料集
智慧標籤天線材料與產品設計評價技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電油墨特性：烘烤溫度～160度_x000D_2.基版材料：紙_x000D_3.標籤特性：讀取距離大於5公尺 \| 潛力預估: 依據IDTechEx於2007年Printed Electronics Europe會議所提出印刷式有機電子產品機會及市場預估中，其中conductors (ink only)於2010、2014及2... @ 技術司可移轉技術資料集
低溫快速製程導電材料技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 開發高均質緻密化之銀膏材料粘度:20~30kcps@10 s-1 銀膏熱處理溫度 \| 潛力預估: 通訊應用產品中，導電材料是不可或缺的製造原料之一。在軟性、可撓的產品特性要求下，必須針對低溫的材料開發與製程進行突破。此原料的應用包括：顯示器、智慧標籤…等，將對產業的產值有極大的助益。 @ 技術司可移轉技術資料集
智慧標籤天線材料與產品設計評價技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 物流用低溫油墨印製RFID 天線封裝於紙內，適合連續式製程。 2. 標籤讀取距離平均可超過6米 3. 低功率下，自製RFID標籤讀取距離優於商用標籤 4. 薄型化的抗金屬標籤，尺寸面積小於... \| 潛力預估: 目前開發的抗金屬干擾標籤是商品中厚度最小的標籤，在智慧標籤的天線材料著重在低製程溫度的導電性能的提升，可以降低標籤的成本，刺激應用智慧標籤的意願，增加實證應用的機會，縮短應用的差距。期望未來能在國內推... @ 技術司可移轉技術資料集
低溫金屬油墨材料技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 黏度範圍：20~30k cps@S.R.=10 1/s 金屬粒徑≦40 nm 熱處理溫度≦150℃ 電阻率≦10μΩcm \| 潛力預估: 因應未來低溫製程及導體材料技術應用需求，以解決目前國內尚無相關印刷製程用奈米導體材料及最新原材料取得不易之困境，協助國內產業建立更具前瞻競爭力的全新材料製程技術。2010~2015年間預計可促成國內相... @ 技術司可移轉技術資料集
可印式金屬油墨材料應用及評估技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）利用結構化有機金屬鹽類操控技術，使其有效分散於特定溶劑中，形成高濃度且具有微黏彈性特性之無奈米粒子添加高固含量之Solvent Type Ag Ink，其燒附反應溫度小於130℃；電阻率可小於1... \| 潛力預估: 運用可印式金屬油墨材料應用及評估技術可有效降低現有銀電極線路導電材料之使用量，進而降低貴重金屬導電物之使用量，有效降低生產成本；而微細線路的實現化，將有助於產品之縮小化及功能化，有效提高產品效能。對於... @ 技術司可移轉技術資料集
金屬包裝袋之RFID埋入技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 利用金屬袋體之金屬成為天線，RFID金屬袋讀取距離可達五米以上 (2) 此技術主要透過適當之尺寸調整，來達到匹配之效果，可適用於各種金屬袋體與不同廠牌之RFID晶片 (3) 此內埋技術並不影響... \| 潛力預估: 目前在電子業使用的方式是在金屬包裝袋貼合一阻隔材料後，再將一般的市售標籤貼附上去，除了製作上的多道工程外，更增加標籤與阻隔材料的成本，且標籤更因為只是浮貼在金屬袋上，容易被撕毀，反造成管理上的困難，因... @ 技術司可移轉技術資料集

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低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。