光纖干涉式位置感測器
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技術名稱-中文光纖干涉式位置感測器的執行單位是工研院量測中心, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是Resolution:1nm, 潛力預估是可搶攻非接觸位置感測器市場.

序號	352
產出年度	93
技術名稱-中文	光纖干涉式位置感測器
執行單位	工研院量測中心
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	一種光纖式位移量測裝置及其相位控制裝置，係由一雷射光源、至少一個光纖耦合器、至少一個光偵測器、連接前述元件之複數條光纖及至少一智慧材料致動器所構成，量測解析度可達奈米等級，並可定位控制待測平台的運動方向。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Resolution:1nm
技術成熟度	雛型
可應用範圍	奈米定位平台、非接觸位置感測器
潛力預估	可搶攻非接觸位置感測器市場
聯絡人員	戴鴻名
電話	03-5732295
傳真	03-5722383
電子信箱	hmtai@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	一般工業電腦
需具備之專業人才	電子機械相關背景

序號

352

產出年度

技術名稱-中文

光纖干涉式位置感測器

執行單位

工研院量測中心

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

一種光纖式位移量測裝置及其相位控制裝置，係由一雷射光源、至少一個光纖耦合器、至少一個光偵測器、連接前述元件之複數條光纖及至少一智慧材料致動器所構成，量測解析度可達奈米等級，並可定位控制待測平台的運動方向。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Resolution:1nm

技術成熟度

雛型

可應用範圍

奈米定位平台、非接觸位置感測器

潛力預估

可搶攻非接觸位置感測器市場

聯絡人員

戴鴻名

電話

03-5732295

傳真

03-5722383

電子信箱

hmtai@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

一般工業電腦

需具備之專業人才

電子機械相關背景

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光纖干涉式位置感測器及其量測方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I278682 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名周榮宗鄭凱宇黃煥祺黃瓊輝葉清銘 @ 技術司專利資料集
光纖干涉式位置感測器及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,349,099 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名周榮宗鄭凱宇黃煥祺黃瓊輝葉清銘 @ 技術司專利資料集
光纖干涉式位置感測器及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,532,329 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名 ,周榮宗 ,鄭凱宇 ,黃煥祺 ,黃瓊輝 ,葉清銘 , @ 技術司專利資料集
光纖干涉式位置感測器及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7349099 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名周榮宗鄭凱宇黃煥祺黃瓊輝葉清銘 @ 技術司專利資料集
光纖干涉式位置感測器及其量測方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7532329 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴鴻名 ,周榮宗 ,鄭凱宇 ,黃煥祺 ,黃瓊輝 ,葉清銘 , @ 技術司專利資料集

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控制奈米碳管長度之方法與裝置	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: Tip length \| 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場 @ 技術司可移轉技術資料集
原子力顯微鏡技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3D nano-imaging. \| 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡市場 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米顯微鏡技術	執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧SPM 解析度：XY:100×100μm(1×1nm) \| 潛力預估: 半導體產業,粉體材料,光學元件產業 @ 技術司可移轉技術資料集
光學模仁三維檢測技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量測深度 : 50μm；縱向解析度 : 10 nm \| 潛力預估: 協助廠商降低生產成本2/3以上 @ 技術司可移轉技術資料集
三維形貌檢測系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.縱向解析度：1 nm 2.橫向解析度：0.6~4.5 um \| 潛力預估: 1.可於加工完成後直接在加工機上檢測加工精度，不需將工件卸下檢測，若檢測出加工精度不足，又需再重新上機定位加工的麻煩，可節省時間，提高效率。 2.可用於顯微鏡支架架構，用以檢測待測樣品之微結構三微形貌... @ 技術司可移轉技術資料集
缺陷溫度歧異點定位量測	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本計畫完成熱影像量測系統建立，至少在152cm 距離內對熱點或缺陷位置之解析度 8 cm以內 \| 潛力預估: 解決目前溫度空間解析度多在20公分以上之技術缺口 @ 技術司可移轉技術資料集
multi-sensors 共面度檢測模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵製造業製程高值化拔尖計畫 \| 領域: 製造精進 \| 技術規格: 檢測工件平面度最小 4 μm @ 350 x 350 mm^2 非接觸式抗震光學量測技術 \| 潛力預估: 此技術包含共面度檢測、高度檢測、透明膜厚度檢測(單頭)與厚度檢測(雙頭)等應用，能協助汽機車引擎核心零件、傳動軸零件等製程優化與誤差監控 @ 技術司可移轉技術資料集
精密車銑床加工正位度線上檢測模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵製造業製程高值化拔尖計畫 \| 領域: 製造精進 \| 技術規格: 1.正位度量測準確度：10μm@Ø \| 潛力預估: 各式機械加工件 @ 技術司可移轉技術資料集

控制奈米碳管長度之方法與裝置

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原子力顯微鏡技術

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奈米顯微鏡技術

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光學模仁三維檢測技術

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缺陷溫度歧異點定位量測

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multi-sensors 共面度檢測模組

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精密車銑床加工正位度線上檢測模組

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OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

光纖干涉式位置感測器 - 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

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