設備可靠度電腦化維修管理系統(CMMS)
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文設備可靠度電腦化維修管理系統(CMMS)的執行單位是工研院環安中心, 產出年度是93, 計畫名稱是產業環境與安全衛生應用技術發展計畫, 技術規格是派工單自動規劃、物料安全存量自動控管、檢測資料輸入管理, 潛力預估是˙ 提高工廠設備之使用率，節省設備維修成本效益達每廠每年達35%以上。 ˙ 減少化工類工廠因設備故障所產生之停工損失，每年每廠達450萬元以上增加競爭力及安全性。.

序號	356
產出年度	93
技術名稱-中文	設備可靠度電腦化維修管理系統(CMMS)
執行單位	工研院環安中心
產出單位	(空)
計畫名稱	產業環境與安全衛生應用技術發展計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	運用電腦化管理制度，以設備的運行歷史及成本為基礎，再配合工單的提出、審核、執行以及故障處理、計劃檢修、預防性維修、預知保養等幾種可能模式，提高設備綜合效率(Higher Availability and MTBF)及減低MTTR (Mean Time to Repair)。也就是以較少的總體維護成本將設備、庫存、人力資源，及安全管理集結在一個資料充分共用的資訊系統中，使設備在整個生命週期發揮出最大的價值。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	派工單自動規劃、物料安全存量自動控管、檢測資料輸入管理
技術成熟度	其他
可應用範圍	電腦化維修管理系統整合了機器設備、庫存物料、會計採購、人力資源、工單管理、預知保養、與工作規劃等相關管理模組，透過網際網路主從式架構，可隨時隨地掌握關鍵性資料，結合例行性保養作業之實施，建立機器設備與維修保養的關聯性資料庫，並針對設備進行長期性電子化追蹤管理與資料統計。
潛力預估	˙ 提高工廠設備之使用率，節省設備維修成本效益達每廠每年達35%以上。 ˙ 減少化工類工廠因設備故障所產生之停工損失，每年每廠達450萬元以上增加競爭力及安全性。
聯絡人員	賴加勳
電話	(03) 5915019
傳真	03-5820068
電子信箱	cslai@itri.org.tw
參考網址	http://www.cesh.itri.org.tw
所須軟硬體設備	無
需具備之專業人才	資料庫管理，JAVA程式設計，網路管理，設備檢測經驗

序號

356

產出年度

技術名稱-中文

設備可靠度電腦化維修管理系統(CMMS)

執行單位

工研院環安中心

產出單位

(空)

計畫名稱

產業環境與安全衛生應用技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

運用電腦化管理制度，以設備的運行歷史及成本為基礎，再配合工單的提出、審核、執行以及故障處理、計劃檢修、預防性維修、預知保養等幾種可能模式，提高設備綜合效率(Higher Availability and MTBF)及減低MTTR (Mean Time to Repair)。也就是以較少的總體維護成本將設備、庫存、人力資源，及安全管理集結在一個資料充分共用的資訊系統中，使設備在整個生命週期發揮出最大的價值。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

派工單自動規劃、物料安全存量自動控管、檢測資料輸入管理

技術成熟度

其他

可應用範圍

電腦化維修管理系統整合了機器設備、庫存物料、會計採購、人力資源、工單管理、預知保養、與工作規劃等相關管理模組，透過網際網路主從式架構，可隨時隨地掌握關鍵性資料，結合例行性保養作業之實施，建立機器設備與維修保養的關聯性資料庫，並針對設備進行長期性電子化追蹤管理與資料統計。

潛力預估

˙ 提高工廠設備之使用率，節省設備維修成本效益達每廠每年達35%以上。 ˙ 減少化工類工廠因設備故障所產生之停工損失，每年每廠達450萬元以上增加競爭力及安全性。

聯絡人員

賴加勳

電話

(03) 5915019

傳真

03-5820068

電子信箱

cslai@itri.org.tw

參考網址

http://www.cesh.itri.org.tw

所須軟硬體設備

無

需具備之專業人才

資料庫管理，JAVA程式設計，網路管理，設備檢測經驗

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網路設備之維修管理系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220826 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 林榮政 \| 林仁傑 \| 賴加勳 @ 技術司專利資料集
單人進出通行管制系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196399 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 林國照 \| 賴加勳 \| 劉健偉 @ 技術司專利資料集

網路設備之維修管理系統及方法

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單人進出通行管制系統及方法

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CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

CNT-BLU技術商品化規格驗證

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

設備可靠度電腦化維修管理系統(CMMS) - 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

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執行單位

產出單位

計畫名稱

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已申請專利之國家

已獲得專利之國家

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技術成熟度

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