類LIGA電鑄模技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文類LIGA電鑄模技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖..., 潛力預估是可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高.

序號	660
產出年度	93
技術名稱-中文	類LIGA電鑄模技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈性常數0.2
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	Ink Jet Head, Nozzle Plate
潛力預估	可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電化學,化工或,機械背景人才。

序號

660

產出年度

技術名稱-中文

類LIGA電鑄模技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈性常數0.2

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

Ink Jet Head, Nozzle Plate

潛力預估

可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820412

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

電化學,化工或,機械背景人才。

根據名稱類LIGA電鑄模技術找到的相關資料

無其他類LIGA電鑄模技術資料。

[ 搜尋所有 類LIGA電鑄模技術 ... ]

根據電話 03-5914393 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914393 ...)

電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5914393 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與類LIGA電鑄模技術同分類的技術司可移轉技術資料集

光通訊TO-Can雷射銲接機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 雷射束數目：3/雷射型式：Nd:YAG/功率：20 W/視覺與雷射頭分離/X1 軸行程: 50mm, 定位精度: 5μm, 解析度: 0.2μm/Y1軸 (手動) \| 潛力預估: 高
光隔絕器自動對光與自動錫銲固著技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧??? 自動對光技術：單光束自動對光 < 3 分鐘/自動錫銲技術：錫銲固著後，插入損失小於0.2dB \| 潛力預估: 自動對光技術為光電元件構裝相關產業之關鍵技術，未來具有廣大的市場發展潛力。自動錫銲技術可以較高的品質及穩定性來取代人工，除已被廣為使用的電子產業外，於新興的光電產業亦具有高度發產空間
平面光波導自動構裝系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光通訊多通道元件對光技術對光型式：Fiber Array to Fiber Array/‧ 通道數：8 \| 潛力預估: 以光通訊元件的發展趨勢來看，均朝向模組化、高頻寬、多通道數、低成本、小體積發展，所以平面光波導將會是未來光通訊網路中相當重要的元件。目前日本及歐美等國正極力促成光通訊網路的建立，因此未來平面光波導元件...
晶片/晶圓鍵合技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... \| 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮...
晶圓液相沉積金屬薄膜技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 6吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 4％，TIR平均值< 1μm/8吋晶圓，凸塊厚度18μm，電鍍均勻性< 5％，TIR平均值< 1μm \| 潛力預估: Multi-cup電鍍模組可整合成不同型式量產機台，並具備即時電壓/電流監測功能，確保晶圓電鍍之品質
高速大面積電漿光阻剝離技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板尺寸：620×750 mm，第3.5代LCD面板尺寸/製程溫度：≦250℃/‧ 去光阻速度：2μm/min \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸)/高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用
切割模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 劃線寬度：3~5 μm/劃線深度：3~5 μm/晶圓厚度量測精度：± 1 μm/劃線力量：5~100g，解析度0.3g \| 潛力預估: 可因應未來生醫晶片、微機電晶片及覆晶片等薄型晶片，在切割預留寬度(street)由50μm期望下降到20μm的產品需求及無碎屑切割裂片技術
脆硬材料裂片裝置	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用晶圓尺寸：6吋/Z軸行程：3mm (可程式控制)/Z軸速度：0.2sec (最快)/Z1軸行程：0.8mm (可程式控制)/Z1軸速度速度：0.3sec (最快)/裂片氣壓缸速度：0.15sec ... \| 潛力預估: 本裝置可整合於鐳射劃線機或鑽石尖點劃線機進行精密的自動劃線裂片製程而廣泛運用於光電與半導體產業
晶圓背磨設備	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主軸最高轉速：4000 rpm/主軸功率：5.5/7.5 kW/主軸迴轉精度：0.1/1000 rpm/最大工件尺寸：ψ300mm/工作台最高轉速：500rpm/垂直軸行程： 120 mm/垂直軸進給... \| 潛力預估: 針對國內蓬勃發展之半導體產業，光電及其週邊產業，提供合適的加工機具，高精度的設計，適合微米級的加工，尤其是硬脆材料
永磁電機應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大轉矩：800Nm @ 150rpm,220V or 380V \| 潛力預估: 整合國內傳統電機既有能力，可完整提供新型應用之永磁電機之設計、製作。
次微米平台控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 二軸次微米運動控制系統： ‧ 二軸行程均≧100mm ‧ 載重≧15公斤 ‧ 最小可驅動單位≦0.05μm ‧ 重覆精度≦0.5μm \| 潛力預估: 具備長行程與次微米精度等特性，可應用於微放電加工機、微銑床、微車床、超精密磨床等高精密的CNC加工機上。引領國內業者進入光電、通訊、3C產品與生醫領域等高附加價值的微細加工設備市場。
視窗基底控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 硬體中斷即時性≦100μsec，預視≧200 blocks， ITRI人機元件， ITRI RT Wrapper，RTX即時應用程式，程式範例，使用手冊。 \| 潛力預估: 目前產業界的競爭很激烈，大家所使用的產品元件幾乎在功能上沒有差異性。因此，要讓產品能得到更高的附加價值，只有將製程及使用的Know-how加入產品設計，並且減少維護成本，以增加獲利。故視窗基底應用技術...
2.0L/1.8L/1.6L汽車模組化引擎技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 型式：DOHC 直列4缸、引擎長度：536 mm、排氣量：1998c.c.、缸徑：86 mm、行程：86 mm、汽門數：每缸4閥、壓縮比：10.0、燃油：95 RON、冷卻方式：水、最大馬力：108 ... \| 潛力預估: 乾式汽缸套全鋁合金汽缸體設計發展技術、VVT系統整合應用技術、EGR系統整合應用技術、NLEV引擎設計及EMS整合應用技術
1.2L四行程汽車引擎與後輪傳動五速手排變速箱雛型機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 引擎：1200 c.c. 8汽門、水冷、直列四缸、微電腦控制多點式噴油；馬力50.6 kW/6000 rpm、扭力102 Nm/4500 rpm；變速箱：後輪傳動、五速手排單桿式換擋機構，具備擴充四... \| 潛力預估: 曲軸系及閥門系工程輔助分析，零組件專業工程資訊同步整合及配合發展，引擎管理系統調教及發展
四行程125 C.C.水冷式機車引擎雛型機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量：125 C.C.、點火方式：CDI、供油方式：化油器、冷卻方式：水冷式、傳動方式：CVT、汽門數：2閥、馬力7.0 kw/7500 rpm、扭力10.0 Nm/6000 rpm \| 潛力預估: 建立四行程水冷式速克達機車引擎，含CVT匹配設計發展技術