MRAM 元件製程技術
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技術名稱-中文MRAM 元件製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 技術規格是本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current, 潛力預估是MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。.

序號	675
產出年度	93
技術名稱-中文	MRAM 元件製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(operation current<10mA、standby current<1A) 及非揮發特性。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估	MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備	具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才	CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

序號

675

產出年度

技術名稱-中文

MRAM 元件製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體，本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心，所呈現獨特的磁阻特性，具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性，是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(operation current<10mA、standby current<1A) 及非揮發特性。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍，如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。

潛力預估

MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343

所須軟硬體設備

具記憶體元件開發能力之半導體廠

需具備之專業人才

CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

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自旋記憶體

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自旋記憶體

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集

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精密PCB鑽孔控制技術系統整合應用	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 鑽孔速度：400孔/分鐘 ‧ 檔案管理 ‧ 座標顯示 ‧ 加工路徑顯示 ‧ 翻、排版指令 ‧ 多次鑽孔功能 ‧ 擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令 ‧ 運轉/切削時間顯示 ‧ 從中斷點重新啟動功能 ‧ 斷針... \| 潛力預估: 具備畫面瀏覽器功能，可由機器製造商自由編輯設定顯示畫面以增加系統專有特色功能，提高市場競爭力。
即時運動控制模組應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Windows CE 作業平台，具6軸脈波輸出，6軸硬體閉迴路控制，384點輸入/384點輸出，9軸32位元(Bits)位置計數器，8 CHANNEL串列式A/D 界面，8 CHANNEL串列式D/A... \| 潛力預估: 本技術可應用於九成以上之產業控制器，CNC控制器，半導體設備控制器等。
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線型馬達控制及配機應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 線型馬達推力最高到3000~5000牛頓、解析度到0.5μm、有效行程最大370~650mm、可以控制於電流、速度和位置迴路、具有各項伺服馬達安全保護。 \| 潛力預估: 目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
永磁同步線型馬達分析設計技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3000~5000N中重型馬達，600N輕型背向有鐵心線型馬達。 \| 潛力預估: 目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
創新研發社群與智庫技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧以.Net應用XML及Web Services等跨平台整合方案 ‧ 本技術成果為網際網路協同作業平台 ‧ 採Module Based與Role Based積木式建構技術 ‧ 採Web Based及U... \| 潛力預估: 適合用在技術社群建構、知識管理網站、企業入口網站建立…等市場領域。
32 bit Configurable RISC Core	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Advanced RISC Core Architecture; 2. 32 bit Architecture with 32 bit Data Path, 32 bit Instruction ... \| 潛力預估: 32位元 RISC處理機, 應用於High Performance Embedded System / SoC，但由於主流之ARM / MIPS授權費昂貴，非一般設計公司所能負擔。嵌入式系統樣式繁多，...
CCL-CF232 Chi	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Fully software compatible with industry standard 16C550 type UARTs; 2. 16-bytes deep transmitter ... \| 潛力預估: 國內無相同產品,國外有OxFord / TI ,價錢較高(約5美元)
CCL Configurable Processor Toolchain/Debugger	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 相容於GCC 3.4.3版規格、GNU Binary Utility 2.15版規格、GDB 5.3版規格 \| 潛力預估: 雖然ARM處理器在嵌入式系統的普及，但是其高額的權利金與使用費對於規模較小的廠商仍是一大負擔。針對由八位元或十六位元處理器想要做升級的嵌入式系統廠商來說，工研院電通所的組合式處理機與完整的軟體開發環境...
CCL Image Processor (CXiMP) Toolchain/Debugger/Image Capture Applicatio	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 相容於GCC 3.4.3版規格、GNU Binary Utility 2.15版規格、GDB 5.3版規格 \| 潛力預估: 對於嵌入式影像擷取與監視系統廣大的市場，令人眼花撩亂的應用紛紛出籠。無論在家庭應用或是安全監護、玩具與嵌入式系統的應用、甚至是手機相機以及數位相機的影像擷取模組，都需要一個處理影像的核心技術。工研院電...
CCL Java Card System	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合Java Card 2.1.1版規範，加解密技術如RSA、AES、DES、ECC的軟硬體均可整合於SOC之內。 \| 潛力預估: 近幾年來，資訊安全越來越受重視，安全與否更需經過第三者的認證，因此CCL將朝向認證方向努力，目前正實作可信賴平台技術並認證中，只要打通認證關卡，未來在技術上將更具國際競爭力。
Global Platform SCP 01/02	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合GlobalPlatform Card Specification2.1版規範 \| 潛力預估: 近幾年來，IC卡需求量大增，不論是手機SIM卡或金融IC卡，產業已由原本之private platform轉向open platform趨勢（如台灣健保IC卡即是以Java Card為基礎）,而Jav...
Cryptography Technique	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 依照FIPS規格制定。 \| 潛力預估: 近幾年來，資訊安全越來越受重視，安全與否更需經過第三者的認證，因此CCL將朝向認證方向努力，目前正實作可信賴平台技術並認證中，只要打通認證關卡，未來在技術上將更具國際競爭力。
高速佈建自主隨意網路系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合Wifi 802.11a、802.11b、802.11g之規範 \| 潛力預估: 近幾年來，無線網路部建越發成熟，台灣在無線網路相關晶片、模組、設備皆有相當的成長，如過可以妥善結合這些優勢，開發出高速部見之新型態網路產品，可以加速國內廠商的進展。
Wi-Fi positioning technology	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Java 2 1.4; 2. Floor map image of the area (JPG format); 3. Wireless network: Standard 802.11b W... \| 潛力預估: LBS 市場規模2002年以來急速擴張，預計2008將達170億美元的規模，國內Wi-Fi普及度也迅速上升，預計將十分助於本技術之推廣。