酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發
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技術名稱-中文酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發的執行單位是中科院化學所, 產出年度是94, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫, 技術規格是鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg/min.×W ×cm2；鍍膜品質：1.附?性：膠帶實驗不脫落；2.硬度≧H；3.耐刮力≧100g。, 潛力預估是約新台幣30億元/年。.

序號	745
產出年度	94
技術名稱-中文	酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	採用TiO2 Anatase溶膠於鋁片表面噴塗鍍膜，使用矽氧烷偶合劑為黏著劑及鍍膜固化劑，經噴塗加工製得TiO2 Anatase鍍膜材料，具親水性、自潔性及抗菌能力。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg/min.×W ×cm2；鍍膜品質：1.附?性：膠帶實驗不脫落；2.硬度≧H；3.耐刮力≧100g。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發，具親水性、自潔性及抗菌能力，用於環境、空氣及水質品質改良。
潛力預估	約新台幣30億元/年。
聯絡人員	王偉洪
電話	(03)4458267
傳真	(03)4719940
電子信箱	lcc36@tsrp.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	溶膠鍍膜、鍍膜燒結及烘烤設備。
需具備之專業人才	化學、化工。

序號

745

產出年度

技術名稱-中文

酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

採用TiO2 Anatase溶膠於鋁片表面噴塗鍍膜，使用矽氧烷偶合劑為黏著劑及鍍膜固化劑，經噴塗加工製得TiO2 Anatase鍍膜材料，具親水性、自潔性及抗菌能力。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg/min.×W ×cm2；鍍膜品質：1.附?性：膠帶實驗不脫落；2.硬度≧H；3.耐刮力≧100g。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發，具親水性、自潔性及抗菌能力，用於環境、空氣及水質品質改良。

潛力預估

約新台幣30億元/年。

聯絡人員

王偉洪

電話

(03)4458267

傳真

(03)4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

溶膠鍍膜、鍍膜燒結及烘烤設備。

需具備之專業人才

化學、化工。

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TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg / min.×W×cm2 \| 潛力預估: 應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發，具親水性、自潔性及抗菌能力，用於環境、空氣及水質品質改 @ 技術司可移轉技術資料集
液晶混成溶膠技術開發－電子窗簾試製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能，經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉，配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術，奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m－1(Ag)n(OH)m＋n－1＋1銀錯離子殺菌，殺菌能力較A... \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年 @ 技術司可移轉技術資料集
電激光液晶混成溶膠技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle。 \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集
合成纖維光觸媒鍍膜技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光觸媒鍍膜合成纖維經切短與靜電劑加工，於窗簾布進行靜電植絨製得光觸媒鍍膜植絨窗簾布，光觸媒空氣清淨能力較以往光觸媒鍍膜窗簾布強10倍。 \| 潛力預估: 光觸媒鍍膜合成纖維用於光觸媒鍍膜植絨窗簾布，以200NT$/m2為單價，預估市場需求約105 m2，年產值約兩千萬元。若用於衣著紡織品，年產值約三千萬元。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm。 \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
玻璃抗反射鍍膜技術精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 此奈米SiO2溶膠，鍍膜溫度需在20℃，鍍膜燒結溫度450～550℃，鍍膜耐刮力可達500g。 \| 潛力預估: 目前抗反射鍍膜玻璃用於櫥窗玻璃與平面顯視器，其中平面顯視器面板表面加裝之抗反射玻璃，市場潛力大預估產值可達10億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集

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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。