厚膜光阻製程技術
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技術名稱-中文厚膜光阻製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30, 潛力預估是成本低、製程簡單之高深寬比結構。.

序號	988
產出年度	94
技術名稱-中文	厚膜光阻製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度	雛型
可應用範圍	Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估	成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	熱墊板,曝光機
需具備之專業人才	熟悉黃光單站製程

序號

988

產出年度

技術名稱-中文

厚膜光阻製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30

技術成熟度

雛型

可應用範圍

Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.

潛力預估

成本低、製程簡單之高深寬比結構。

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

熱墊板,曝光機

需具備之專業人才

熟悉黃光單站製程

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厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中 @ 技術司可移轉技術資料集
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集

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矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 @ 技術司可移轉技術資料集
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矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 @ 技術司可移轉技術資料集

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Software-based VoIP Middleware技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Jitter Buffer Control 2. Voice Codec : G.711/G.726/G.729AB and G.723.1A 3. VAD and CNG 4. Tones ... \| 潛力預估: 由於本技術可應用在RISC-only之開發平台,無須搭配DSP硬體元件，因此衍生之VoIP產品將具有價格之競爭力，可協助國內廠商大幅開拓IP電信設備之龐大市場，預計將為國內產業帶來數億元之商機。
下世代多業務光都會接取網路技術驗測技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合 Telcordia 標準 Physical、Framing、Synchronous、Jitter及SDH OAM等功能測試驗證流程 \| 潛力預估: 提供國內相關都會接取光通訊產業功能/效能驗測服務，以提昇光通訊產品品質
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Burst Mode CDR量測技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter \| 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一，IDC 估計2008年時，相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如...
DVB-T數位電視接收平台技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合DVB-T標準 2. 雙Tuner模組 3. Smart Card 界面 4. RGB 數位輸出 \| 潛力預估: 可擴大數位電視影音服務、數位電視地面廣播與行動接收服務、SD標準畫質顯示等需要多媒體視訊及數位影音內容展現之產業
廣播型MHP Middleware平台技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. MHP JavaTV 相容,DSM-CC OC 解碼, DVB-SI 解碼, AWT 中文顯示 2. Java-based AV Player, 電子節目表 EPG \| 潛力預估: 廣播式數位電視多媒體應用及數位內容產業，結合LCD高畫質顯示器產業與數位家庭，將驅動新一波數位娛樂服務平台應用
DTV IPMP多媒體資源智權管理技術	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... \| 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置，可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理，是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統，如數位學習、數位圖書館藏，也隨之存在極大的市場契機
支援多影音格式之串流平台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 符合RFC標準 2. 支援多種播放器及平台 \| 潛力預估: 視訊串流技術幾乎無所不在，以IP為base的多媒體應用，可提供各式各樣的multimedia services，目前家庭網路的成熟及以客廳為娛樂中心的概念之形成，使得家庭影音串流平台成為當下的發展重...
多點影音播放系統	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Video Codec : MPEG-1/2/4 WMV 2.Audio Codec : MP2/3 AAC AC3 \| 潛力預估: 隨著數位家庭的成熟，影音播放的DMA相關產品將成為主要的消費產品
iB3G數位電視即時串流錄影選台	執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Protocol : RTSP/HTTP \| 潛力預估: 即時視訊為行動影音最有吸引力的服務，使用者可看到即時新聞或球賽，對於網路服務業者來說，存在著很大的商機
低溫共燒基材製程技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ◆ Hermetic sealing : Leak Rate < 5×10-8 atm-cc/s He (bomb condition @ 75 psi dwell 1hr )◆ cavity siz... \| 潛力預估: 目前美國、日本及歐洲的德國、比利時等均已投入此方面之研究，如美國的Sandia國家實驗室與DuPont等大廠。而歐洲則有IZM、IMEC及Infineon等大廠及一些研究單位都朝此兩技術整合發展。
積層模組EMI抑制技術技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器 \| 潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
超薄壓電膜材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 壓電膜層具機電轉換效率40﹪，機械品質因素10，製作之振動板起始頻率低至100Hz等特性，同時具有可撓曲性。 \| 潛力預估: 壓電式聲音元件包括蜂鳴器、振鈴、收送話器、喇叭等，市場約有新台幣70億的規模，主要的材料為壓電薄片。配合寬音域與平面化的產品應用趨勢，降低壓電片厚度與直接製作於可撓基材上為關鍵性技術，超薄壓電膜材料技...
積層氧化鋅變阻器及其配方組成	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 積層氧化鋅變阻器具有吸收雷擊突波與靜電放電脈衝之功能，又由於其單層厚度較傳統變阻器小，更適用於低電壓之可攜式產品和IC元件之保護。 \| 潛力預估: 提升國內積層氧化鋅變器廠商技術與競爭力，並保護授權廠商之競爭優勢，形成更優質的投資與生產環境。目前全球市場規模約新台幣100億元/年，預估單一廠商初期年產值可達1億元。
高溫度穩定性材料技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立玻璃材料奈米微晶控制機制－經由不同升溫速率可配合Matusita & Sakka提出的計算式，計算結晶機制的各個參數，如Avrami exponent（n）及結晶活化能（E）；n值可以表示其為何... \| 潛力預估: 開發低熱膨脹係數玻璃陶瓷材料及製程技術，若順利開發及完成專利怖局，將可改善國內光電產業關鍵材料由國外進口的困境，達到關鍵性材料國產化的目的，並可改善關鍵材料及零組件掌握在國際大廠的窘境。