低應力薄膜製程技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是SIN Film Stress , 潛力預估是穩定可量產.
| 序號 | 990 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 低應力薄膜製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | SIN Film Stress <= 100Mpa。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
| 潛力預估 | 穩定可量產 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務 |
| 需具備之專業人才 | 具備爐管設備維修及製程人才 |
序號990 |
產出年度94 |
技術名稱-中文低應力薄膜製程技術 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格SIN Film Stress <= 100Mpa。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
潛力預估穩定可量產 |
聯絡人員羅政 |
電話06-3847128 |
傳真06-3847294 |
電子信箱chenglo@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務 |
需具備之專業人才具備爐管設備維修及製程人才 |
根據名稱 低應力薄膜製程技術 找到的相關資料
(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 低應力薄膜製程技術 ...) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 @ 技術司可移轉技術資料集 |
[ 搜尋所有 低應力薄膜製程技術 ... ]
根據電話 06-3847128 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 06-3847128 ...) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
[ 搜尋所有 06-3847128 ... ]
在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.接觸角>150°
2.百格測試 100/100
3.耐刷洗>5000次 | 潛力預估: 臺灣的塗料工業是市場規模大的特用化學品，以產值而言，在特用化學品中佔第二位，僅次於醫藥工業。92年高達266.5億元的產值，其中建築塗料佔40％左右約100億的產值。目前國內使用自潔塗料甚少，因此極具... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.金觸媒粒徑 | 潛力預估: 1.奈米金觸媒於室溫氧化一氧化碳的去除相關應用
2.室溫高濃度氫氣流中氧化一氧化碳相關應用
3.工業氫化觸媒的保護裝置 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 實驗室純化技術及微量不純物分析，各別金屬不純物小於10 ppm。 | 潛力預估: 本技術預期將可應用於有機電激發光平面顯示器元件材料、市場產品潛力預估可達2億元。 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 反射率≦1.5%、穿透度≧93%、表面硬度≧2H | 潛力預估: 平面顯示器用抗反射光學薄膜為平面顯示器之重要關鍵零組件，且相關需求急遽增加，其產業關連性大，市場潛力大，附加價值高，然國內廠商仍無生產能力需仰賴國外進口，該產品2003年全球市場達新台幣95億元，平均... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場，微光學元件與平面顯示器光學模組 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格（混練後Delta H需達165 J/g）
2.押出平板（12*12 cm）* 5 m與金屬片貼合技術之建立，所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積：151~661m2/g，孔徑：4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板（Polyimides）的填充材料，使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8（測試頻率為1MHz），且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制，此結果優於美國... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 樹脂之延伸率：500%、耐水壓：8000 mmH2O、透濕度：6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用，預估可促進投... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2，。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發，預估可具有7億元以上之市... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體，純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元，市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年，增亮膜市場約新台幣3000萬/年 |
| 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗，不僅可提升回收水質與水回率，且因機台排管分流資料庫的建立，大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。 |
| 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後，基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50％之目標，故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備，此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。 |
| 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題，任何的微量有機殘留都會影響製程與良率，因此有機物殘留檢測技術的建立，除了可以驗證清洗效率外，並能確保substrate表面之潔淨度。 |
| 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格：TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格，科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。 |
| 執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載，或直流變頻壓縮機，展現節能效益，或更進一步的控制。此為其商業淺力。 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.接觸角>150°
2.百格測試 100/100
3.耐刷洗>5000次 | 潛力預估: 臺灣的塗料工業是市場規模大的特用化學品，以產值而言，在特用化學品中佔第二位，僅次於醫藥工業。92年高達266.5億元的產值，其中建築塗料佔40％左右約100億的產值。目前國內使用自潔塗料甚少，因此極具... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.金觸媒粒徑 | 潛力預估: 1.奈米金觸媒於室溫氧化一氧化碳的去除相關應用
2.室溫高濃度氫氣流中氧化一氧化碳相關應用
3.工業氫化觸媒的保護裝置 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 實驗室純化技術及微量不純物分析，各別金屬不純物小於10 ppm。 | 潛力預估: 本技術預期將可應用於有機電激發光平面顯示器元件材料、市場產品潛力預估可達2億元。 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 反射率≦1.5%、穿透度≧93%、表面硬度≧2H | 潛力預估: 平面顯示器用抗反射光學薄膜為平面顯示器之重要關鍵零組件，且相關需求急遽增加，其產業關連性大，市場潛力大，附加價值高，然國內廠商仍無生產能力需仰賴國外進口，該產品2003年全球市場達新台幣95億元，平均... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場，微光學元件與平面顯示器光學模組 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格（混練後Delta H需達165 J/g）
2.押出平板（12*12 cm）* 5 m與金屬片貼合技術之建立，所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積：151~661m2/g，孔徑：4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板（Polyimides）的填充材料，使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8（測試頻率為1MHz），且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制，此結果優於美國... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 樹脂之延伸率：500%、耐水壓：8000 mmH2O、透濕度：6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用，預估可促進投... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2，。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發，預估可具有7億元以上之市... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體，純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元，市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年，增亮膜市場約新台幣3000萬/年 |
執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗，不僅可提升回收水質與水回率，且因機台排管分流資料庫的建立，大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。 |
執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後，基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50％之目標，故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備，此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。 |
執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題，任何的微量有機殘留都會影響製程與良率，因此有機物殘留檢測技術的建立，除了可以驗證清洗效率外，並能確保substrate表面之潔淨度。 |
執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格：TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格，科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。 |
執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載，或直流變頻壓縮機，展現節能效益，或更進一步的控制。此為其商業淺力。 |
|