技術名稱-中文資通所爪哇卡處理機軟體開發環境 的執行單位是工研院資通所 , 產出年度是95 , 計畫名稱是無線感測網路關鍵技術發展計畫 , 技術規格是此技術包括ANSI C Compiler, Assembler, ELF Linker, Source Level Deubgger, Instruction Set Simulator, and Library. , 潛力預估是國內SoC產業已經蓬勃發展, 但是軟體發展環境的支援卻尚未跟上腳步. 也因此造成相關toolchain實作與移植的. .
序號 1624 產出年度 95 技術名稱-中文 資通所爪哇卡處理機軟體開發環境 執行單位 工研院資通所 產出單位 (空) 計畫名稱 無線感測網路關鍵技術發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 此關鍵技術為開發ANSI C Compiler, Assembler, Linker, Debugger, 以及 Simulator 與相關基礎 library 給新型處理機或是 SoC 使用. Toolchain 與 Debugger 由 GNU 套件移植而來. 符合全球絕大部分系統開發者的使用習慣與需求. 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 此技術包括ANSI C Compiler, Assembler, ELF Linker, Source Level Deubgger, Instruction Set Simulator, and Library. 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 處理器或SoC的系統與軟體開發 潛力預估 國內SoC產業已經蓬勃發展, 但是軟體發展環境的支援卻尚未跟上腳步. 也因此造成相關toolchain實作與移植的. 聯絡人員 曾曉玲 電話 03-5919161 傳真 03-5820462 電子信箱 bertha@itri.org.tw 參考網址 http://www.gnu.org 所須軟硬體設備 可執行程式之電腦平台 (電腦系統為Microsoft Windows, Linux Family, UNIX Family, 或是Mac OSX皆可) 需具備之專業人才 配合GDB 使用過GNU Toolchain.
序號 1624 產出年度 95 技術名稱-中文 資通所爪哇卡處理機軟體開發環境 執行單位 工研院資通所 產出單位 (空) 計畫名稱 無線感測網路關鍵技術發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 此關鍵技術為開發ANSI C Compiler, Assembler, Linker, Debugger, 以及 Simulator 與相關基礎 library 給新型處理機或是 SoC 使用. Toolchain 與 Debugger 由 GNU 套件移植而來. 符合全球絕大部分系統開發者的使用習慣與需求. 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 此技術包括ANSI C Compiler, Assembler, ELF Linker, Source Level Deubgger, Instruction Set Simulator, and Library. 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 處理器或SoC的系統與軟體開發 潛力預估 國內SoC產業已經蓬勃發展, 但是軟體發展環境的支援卻尚未跟上腳步. 也因此造成相關toolchain實作與移植的. 聯絡人員 曾曉玲 電話 03-5919161 傳真 03-5820462 電子信箱 bertha@itri.org.tw 參考網址 http://www.gnu.org 所須軟硬體設備 可執行程式之電腦平台 (電腦系統為Microsoft Windows, Linux Family, UNIX Family, 或是Mac OSX皆可) 需具備之專業人才 配合GDB 使用過GNU Toolchain.
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執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中
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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等