液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法
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技術名稱-中文液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法的執行單位是工研院能環所, 產出年度是95, 計畫名稱是能源與環境領域環境建構計畫, 技術規格是水中微量有機物偵測範圍ppt~ppb level。, 潛力預估是無.

序號	1681
產出年度	95
技術名稱-中文	液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法
執行單位	工研院能環所
產出單位	(空)
計畫名稱	能源與環境領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本發明揭示一種將液態樣品中的有機污染物採樣濃縮並將之導入分析儀器的方法，其中結合吸附、除水、熱脫附等步驟。該方法可設計成自動化操作，並連接分析儀器進行液態樣品中的有機污染物的監測，如氣相層析儀、氣相層析質譜儀、紅外線光譜儀等可分析氣態有機物之分析儀器。本發明方法尤其針對無法以吹洗捕集法(Purge & Trap)或頂空採樣之半揮發性有機污染物的採樣濃縮。本發明方法可使偵測極限推展至ppt等級。本發明的其它優點包括：可線上操作，可降低人為操作誤差，無溶劑二次污染、快速、省時，高準確率及高靈敏度。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	水中微量有機物偵測範圍ppt~ppb level。
技術成熟度	概念
可應用範圍	奈米製程用水微污染分析、工業用水/民生用水/飲用水水質檢測、製程排水水質確認。
潛力預估	無
聯絡人員	金光祖
電話	03-5913294
傳真	無
電子信箱	kinkontsu@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/trtfm.j
所須軟硬體設備	GC-FID，GC-MS，熱脫附儀。
需具備之專業人才	基礎分析化學背景及分析儀器如GC-FID、GC-MS操作經驗。
同步更新日期	2019-07-24

序號

1681

產出年度

技術名稱-中文

液態樣品中微量有機物的採樣濃縮方法

執行單位

工研院能環所

產出單位

(空)

計畫名稱

能源與環境領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本發明揭示一種將液態樣品中的有機污染物採樣濃縮並將之導入分析儀器的方法，其中結合吸附、除水、熱脫附等步驟。該方法可設計成自動化操作，並連接分析儀器進行液態樣品中的有機污染物的監測，如氣相層析儀、氣相層析質譜儀、紅外線光譜儀等可分析氣態有機物之分析儀器。本發明方法尤其針對無法以吹洗捕集法(Purge & Trap)或頂空採樣之半揮發性有機污染物的採樣濃縮。本發明方法可使偵測極限推展至ppt等級。本發明的其它優點包括：可線上操作，可降低人為操作誤差，無溶劑二次污染、快速、省時，高準確率及高靈敏度。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

水中微量有機物偵測範圍ppt~ppb level。

技術成熟度

概念

可應用範圍

奈米製程用水微污染分析、工業用水/民生用水/飲用水水質檢測、製程排水水質確認。

潛力預估

無

聯絡人員

金光祖

電話

03-5913294

傳真

無

電子信箱

kinkontsu@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/trtfm.j

所須軟硬體設備

GC-FID，GC-MS，熱脫附儀。

需具備之專業人才

基礎分析化學背景及分析儀器如GC-FID、GC-MS操作經驗。

同步更新日期

2019-07-24

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製程酸排水回收技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 提高處理效率並延長活性碳再生與薄膜更換成本。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
全廠機台排水回收規劃技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 熟悉半導體產業機台操作程序，可充分掌控排水特性與分流最佳時間點。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
金屬腐蝕抑制的方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.上述反應溶液的較佳臭氧濃度範圍為0.1~30百萬分比濃度(ppm)。2.添加物可包含碳酸、磷酸、硝酸、硼酸及矽酸所組成的族群其中之一，較佳濃度為10-5~10-1莫耳濃度。 \| 潛力預估: 改善光電業之化學後清洗製程所造成之金屬導線腐蝕現象，可衍生應用在含金屬材質之零組件的清洗及表面處理。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
氣泡式反應清洗裝置及其方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
超純水微量有機物質之去除方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 純化水質至 TOC含量低於1 ppb以下。 \| 潛力預估: 無 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
廢水中有機物氧化去除系統與方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 去除廢水有機物至 TOC含量低於1ppm以下。 \| 潛力預估: 無 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高科技產業之製程生產用水及排水回收規劃	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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奈米高分子塗層材料及其製法	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 \| 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
半導體基材輸送設備控制器開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 \| 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導...
磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3% \| 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源...
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: 我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估...
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：0.5μm；馬達最快速度: 120m/min；馬達最快加速度: 1.5g；切割速度:~4000 Aperture/Hour；具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機研製能力，生產...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 供油壓力：20 bar；潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃)；切削力：Fa:1,000N,Ft:300N；滑軌長度:1,500mm；工作行程:750mm；工作台上最大荷重:750kg；最大運動速... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...