電鑄模仁低溫增厚技術
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技術名稱-中文電鑄模仁低溫增厚技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是96, 計畫名稱是光電輸出入模組與應用技術計畫, 技術規格是接合溫度200-400℃；結合強度3000psi以上；變形量<0.5μm/㎝；增厚厚度10mm以上。, 潛力預估是光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。.

序號2196
產出年度96
技術名稱-中文電鑄模仁低溫增厚技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱光電輸出入模組與應用技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用超音波進行無鉛活性銲料銲接電鑄模片，達到快速增厚電鑄光學微模仁之目的。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格接合溫度200-400℃；結合強度3000psi以上；變形量<0.5μm/㎝；增厚厚度10mm以上。
技術成熟度試量產
可應用範圍光學微模具及手機零組件等快速製模。
潛力預估光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。
聯絡人員張家華
電話03-4712201#354073
傳真03-4713119
電子信箱csist.meo@gmail.com
參考網址(空)
所須軟硬體設備超音波接合機、活性銲料、熱壓機及相關測試設備。
需具備之專業人才機械、材料科學。
同步更新日期2024-09-03

序號

2196

產出年度

96

技術名稱-中文

電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電輸出入模組與應用技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用超音波進行無鉛活性銲料銲接電鑄模片，達到快速增厚電鑄光學微模仁之目的。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

接合溫度200-400℃；結合強度3000psi以上；變形量<0.5μm/㎝；增厚厚度10mm以上。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

光學微模具及手機零組件等快速製模。

潛力預估

光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。

聯絡人員

張家華

電話

03-4712201#354073

傳真

03-4713119

電子信箱

csist.meo@gmail.com

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

超音波接合機、活性銲料、熱壓機及相關測試設備。

需具備之專業人才

機械、材料科學。

同步更新日期

2024-09-03

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電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。

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電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；(2)結合強度3000psi以上；(3)變形量<0.5μm/㎝；(4)增厚厚度10mm以上。 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。

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電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃； (2)結合強度3000psi以上； (3)變形量<0.5μm/㎝。 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。

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電鑄模仁低溫增厚技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；(2)結合強度3000psi以上；(3)變形量<0.5μm/㎝；(4)增厚厚度10mm以上。 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。

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微光件精密電鑄製程技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 中科院振興傳統產業計畫 | 領域: | 技術規格: (1)最大尺寸15吋。 (2)快速增厚製程，接合強度大於3000psi以上，增厚厚度10mm以上。 | 潛力預估: 3C產業對模具開發需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命。

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電鑄殼模的增厚方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張家華、蘇程裕、吳貞欽、徐駿龍 | 證書號碼: 發明第 I 256328號

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利用凝膠法製作長效型磷光微細粉末之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 專利發明人: 王健源、劉如熹、王進龍、蔡吉清、徐敏瑜、張錦泉 | 證書號碼: 第188134號

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結合模殼與模座的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 專利發明人: 吳貞欽、張家華、王明仁 | 證書號碼: 第I 224045號

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微光件精密電鑄製程技術

執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 中科院振興傳統產業計畫 | 領域: | 技術規格: (1)最大尺寸15吋。 (2)快速增厚製程，接合強度大於3000psi以上，增厚厚度10mm以上。 | 潛力預估: 3C產業對模具開發需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命。

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電鑄殼模的增厚方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 專利發明人: 張家華、蘇程裕、吳貞欽、徐駿龍 | 證書號碼: 發明第 I 256328號

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利用凝膠法製作長效型磷光微細粉末之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 專利發明人: 王健源、劉如熹、王進龍、蔡吉清、徐敏瑜、張錦泉 | 證書號碼: 第188134號

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結合模殼與模座的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 專利發明人: 吳貞欽、張家華、王明仁 | 證書號碼: 第I 224045號

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。

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