環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術
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技術名稱-中文環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術的執行單位是中科院化學所, 產出年度是97, 計畫名稱是先進化學品技術發展與應用四年計畫, 技術規格是灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。, 潛力預估是目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外匯。.

序號	2770
產出年度	97
技術名稱-中文	環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	先進化學品技術發展與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用氧化鋁等無機導熱材與環氧樹脂混練，取代有毒之錫膏，製備之導熱膠使用於電子產品散熱裝置之黏著。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	電子器材之散熱模組件、電腦、PC、LED、顯示器及一般電子器材之南北橋及散熱模組。
潛力預估	目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外匯。
聯絡人員	楊正乾
電話	(03)4458063
傳真	(03)4719940
電子信箱	lcc36@tsrp.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	混練加工設施、材料分析設備、物性測試設備。
需具備之專業人才	化學或化工研發與操作人員。
同步更新日期	2019-07-24

序號

2770

產出年度

技術名稱-中文

環氧導熱接著劑原材料改質與檢測技術

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

先進化學品技術發展與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用氧化鋁等無機導熱材與環氧樹脂混練，取代有毒之錫膏，製備之導熱膠使用於電子產品散熱裝置之黏著。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

灰色黏稠狀、黏度80，000±20，000mpa.s/25℃、硬度(Shore D)≧85、導熱係數≧1.80W/m.。k。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

電子器材之散熱模組件、電腦、PC、LED、顯示器及一般電子器材之南北橋及散熱模組。

潛力預估

目前台灣仍處於初始階段，尚無高性能產品應市，主要市場產品仍以進口世界大廠牌為主。國內需求殷切，羿望能由國內得到貨源，已成未來趨勢，本產品開發成功估計年產值5000萬元以上，帶動進口品牌降價，節省可觀外匯。

聯絡人員

楊正乾

電話

(03)4458063

傳真

(03)4719940

電子信箱

lcc36@tsrp.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

混練加工設施、材料分析設備、物性測試設備。

需具備之專業人才

化學或化工研發與操作人員。

同步更新日期

2019-07-24

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Manufacturing method of ladder-like phosphorous-containing polysilsesquioxanes nanocomposite materia...	核准國家: 美國 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 專利發明人: 楊正乾、馬振基 \| 證書號碼: 7700711B2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
含乙烯基矽氧烷主鏈劑合成	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乙烯基：0.01~1.1mmole/g，粘度：0.001~4.0kp(25℃)，比重：0.7~1.1，揮發度：＜2%，顏色：透明 \| 潛力預估: LSR可取代HTV，節省人工、可大量生產，隨著汽車安全氣囊之發展，市場潛力很大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
高分子型催化劑合成與分析	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 分子量：約1000g/mole，分布度：＜3.0 \| 潛力預估: 高分子型催化劑合成技術大大提高矽酮高分子合成之穩定性及再現性，預期將取代一般催化劑之使用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
矽酮壓克力改質技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 \| 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
反應型熱熔膠配方研發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: NCO含量2~10％，多元醇分子量2000~10000 \| 潛力預估: 提升傳統熱熔膠耐熱性能，取代並開發新應用範圍。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
高透明度及高機械強度矽橡膠製程研究與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 撕裂強度(die C)：>40kgf/cm、伸長率：>750%、抗拉強度：>80kgf/cm2、穿透率(550nm)：~50%(厚度:2mm) \| 潛力預估: 混?強化劑後，提升矽橡膠機能性與功能性，增廣矽橡膠之應用範圍與附加價值。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
長效型抗靜電塗料配方評估與分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) \| 潛力預估: 可做為半導體與液晶製程防靜電披覆膜，市場年成長率可達20%。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
聚醇合成與應用研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 產物名稱：PEA(polyethylene glycol adipate)_x000D_分子量：2000，酸值：＜1，OH值：＜28，含水量＜1%。 \| 潛力預估: 用於潛水衣、汽車車燈及粘扣帶膠黏劑，取代傳統熱熔膠，產量100噸/月，產值約8千萬元。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。