Self-Calibrating High-Speed Analog-To-Digital Converter (交通大學,電機系)
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文Self-Calibrating High-Speed Analog-To-Digital Converter (交通大學,電機系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是在本發明中，利用三態反相器改變aspect ratio可以微調Vth的特性，當作比較器，其開關可經由適當的控制，選擇最適當的Vth當比較器，而且減少不必要的功率消耗。由三態反相器所組成的多工器，將比較器輸出的訊號放大，並將不必要的通道關閉，減少功率消耗。, 潛力預估是創作目的二: 自我校正比較器之Vth準位，加強應用彈性.

序號	3802
產出年度	99
技術名稱-中文	Self-Calibrating High-Speed Analog-To-Digital Converter (交通大學,電機系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已獲証
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	在本發明中，利用三態反相器改變aspect ratio可以微調Vth的特性，當作比較器，其開關可經由適當的控制，選擇最適當的Vth當比較器，而且減少不必要的功率消耗。由三態反相器所組成的多工器，將比較器輸出的訊號放大，並將不必要的通道關閉，減少功率消耗。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	發明領域 : 高速傳輸介面，也可以應用在類比數位轉換介面。創作目的一: 降低功率消耗，增加操作速度
潛力預估	創作目的二: 自我校正比較器之Vth準位，加強應用彈性
聯絡人員	可以矽智產方式轉移或授權
電話	張志華
傳真	03-5738251
電子信箱	03-5131441
參考網址	http://alpha@mail.nctu.edu.tw
所須軟硬體設備	http://www.tlo.nctu.edu.tw
需具備之專業人才	僅需電路技術授權
同步更新日期	2024-09-03

序號

3802

產出年度

技術名稱-中文

Self-Calibrating High-Speed Analog-To-Digital Converter (交通大學,電機系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已獲証

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

在本發明中，利用三態反相器改變aspect ratio可以微調Vth的特性，當作比較器，其開關可經由適當的控制，選擇最適當的Vth當比較器，而且減少不必要的功率消耗。由三態反相器所組成的多工器，將比較器輸出的訊號放大，並將不必要的通道關閉，減少功率消耗。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

發明領域 : 高速傳輸介面，也可以應用在類比數位轉換介面。創作目的一: 降低功率消耗，增加操作速度

潛力預估

創作目的二: 自我校正比較器之Vth準位，加強應用彈性

聯絡人員

可以矽智產方式轉移或授權

電話

張志華

傳真

03-5738251

電子信箱

03-5131441

參考網址

http://alpha@mail.nctu.edu.tw

所須軟硬體設備

http://www.tlo.nctu.edu.tw

需具備之專業人才

僅需電路技術授權

同步更新日期

2024-09-03

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手指指向偵測系統及方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明提出一種手指指向偵測系統及方法，可同時達到穩定及簡便之優點，並可允許使用者之手部於空間中任意移動。本發明之主要目的係在提供一種手指指向偵測系統及方法，可偵測出使用者指向空間中一平面上之任意目標點... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合時序姿態比對與模糊法則推論於人類動作辨識(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明是關於一種人類動作辨識方法，藉由結合時序姿態比對與模糊法則來完成人類動作的識別。首先，以減少照明對前景人物抽取的影響，每一張影像的前景人物利用一個基於前後影像比值而建立之統計背景模型抽取出來，... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
影像式指向方向之偵測系統及方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明提供一種影像式指向方向之偵測系統及方法，其係以兩台或以上之影像擷取器擷取使用者之數張指向媒介物之影像，如徒手手臂或原子筆之長條狀物體，並以一處理器對擷取之數張指向媒介物影像進行影像處理，機率運算... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
人臉辨識與合成方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本發明係提供一種辨識與合成人臉影像的方法，其步驟包括：找出人臉上的重要局部特徵與其基本類型 \| 潛力預估: 電腦視覺產業、安全監控產業 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
虹膜辨識方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種虹膜辨識方法，藉由匹配搜尋演算法來簡化虹膜特徵的擷取與重組，以縮減每筆虹膜特徵向量在資料庫裡所佔之空間並同時維持虹膜辨識的準確度。該虹膜辨識方法同時包含了一個虹膜地方化元件與一個特徵比對元件。地方... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
張志華	職稱: 監察人 \| 持有股份數: 5000 \| 所代表法人: \| 有志竟成股份有限公司 \| 統一編號: 94055301 @ 董監事資料集
照明控制模組、包含其之攝影機及照明控制方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 視訊安全監控是近年來產界、學界持續關注的議題。而長久以來，夜間監控畫面的品質，不論清晰度或對比度等，皆不如日間監控畫面，故容易形成監控的死角，因此改善夜間監控的影像品質是非常重要的。目前市面上的近紅外... \| 潛力預估: 可技術移轉、建教合作 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
生死之間: 死後世界的催眠紀實	作者: 朵洛莉絲.侃南(Dolores Cannon)著; 張志華, 陳柏宇, 張嘉芸譯 \| 出版機構: 宇宙花園 \| 版次: 二版 \| 預訂出版日: 2024-08-00 \| 適讀對象: 成人(一般) \| 頁數: 352 \| 得獎紀錄: \| ISBN: 9789860674255 @ 臺灣出版新書預告書訊

張志華

職稱: 監察人 | 持有股份數: 5000 | 所代表法人: | 有志竟成股份有限公司 | 統一編號: 94055301

@ 董監事資料集

照明控制模組、包含其之攝影機及照明控制方法(國立交通大學電腦視覺研發中心)

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

生死之間: 死後世界的催眠紀實

@ 臺灣出版新書預告書訊

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矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...
銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... \| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內...
銅晶片打線接合構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Test Vehicle：Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定，並由電子所與合作廠商共同 \| 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_，Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_，Wire bond qua...
Flip Chip CSP 設計與構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 球間距(Ball Pitch)：0.8mm BGA_x000D_；球陣列(Ball Array)：6-8 I/O_x000D_；構裝尺寸(Package Size)：6mm-9mm_x000D_；構裝... \| 潛力預估: 整個技術環節的重點，會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上，以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力，同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。
Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） \| 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達50%左右）
散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard）；散熱增益 35~40%，電性電感增益 10~20%_x000D_ \| 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_，獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。