磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度, 潛力預估是垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產.

序號	4378
產出年度	99
技術名稱-中文	磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	垂直式記錄媒體於記錄位元體積縮小的同時，不致於影響到穩定性。然而，需具備有高矯頑磁場(Hc)的特性以維持讀寫品質的高密度記錄媒體，亦面臨到磁頭因翻轉場(switching field，簡稱Hs)過高而不易寫入的問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	磁記錄媒體
潛力預估	垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產
聯絡人員	賴志煌先生
電話	(03)-5715131 ex:33822
傳真	(03)-5722366
電子信箱	chlai@mx.nthu.edu.tw
參考網址	http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/
所須軟硬體設備	真空濺鍍系統
需具備之專業人才	真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力
同步更新日期	2019-07-24

序號

4378

產出年度

技術名稱-中文

磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

垂直式記錄媒體於記錄位元體積縮小的同時，不致於影響到穩定性。然而，需具備有高矯頑磁場(Hc)的特性以維持讀寫品質的高密度記錄媒體，亦面臨到磁頭因翻轉場(switching field，簡稱Hs)過高而不易寫入的問題。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

藉由離子佈植的方法，使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域，且有效地降低鐵鉑合金之序化溫度

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

磁記錄媒體

潛力預估

垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產

聯絡人員

賴志煌先生

電話

(03)-5715131 ex:33822

傳真

(03)-5722366

電子信箱

chlai@mx.nthu.edu.tw

參考網址

http://www.mse.nthu.edu.tw/~chlai/

所須軟硬體設備

真空濺鍍系統

需具備之專業人才

真空技術、磁性材料、材料研發與分析能力

同步更新日期

2019-07-24

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增加穿隧磁阻變化率的方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，可使穿隧磁阻變化率增加至30%以上 \| 潛力預估: 隨著穿隧磁阻變化率的提升，磁性記憶體之發展已有雛型，但因整體結構與既有之記憶體差異甚大，故仍需加以改善。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁性記錄裝置及其製造方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由離子佈植的方法，使膜間粗糙化，藉以改善記錄層之垂直異向性與矯頑場 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Tb中間層的引入可使垂直／水平矯頑場之比例由2.2大幅增加至21.4 \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
垂直記錄媒體(國立清華大學材料所／和喬科技股份有限公司)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 交互耦合層造成之矯頑場下降量達15%，去磁態翻轉場下降量達17% \| 潛力預估: 垂直磁記錄媒體為現今發展之趨勢，未來只需將所開發之技術引入，即可進行量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
具有序化結構鐵鉑合金膜的磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由Cu3Si的形成，引入底層應力，使鐵鉑合金之序化溫序降低至300℃，且矯頑場增加量高達250% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
磁記錄媒體及其製作方法(國立清華大學材料所)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 藉由錳鉑底層膜的引入，可使鐵鉑合金之序化溫度降至300℃，並使矯頑場增加達17% \| 潛力預估: 鐵鉑合金之發展已趨成熟，但仍需與記錄媒體之結構進行整合，故仍有相當長一段路要走。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

磁性記錄裝置的製造方法(國立清華大學材料所) - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

聯絡人員

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所須軟硬體設備

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