IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術的執行單位是資策會, 產出年度是100, 產出單位是資策會, 計畫名稱是無線寬頻通訊技術與應用計畫, 領域是通訊與光電, 技術規格是1.符合IMT-Advanced 16m技術規範 2.符合WiMAX Forum NWG標準規範, 潛力預估是此技術包裝為Linux作業系統之模組,與基地台實體層晶片獨立發展,在不增加軟體開發成本的同時,可迅速移植至不同廠牌之基地台實體層晶片系統,大幅增加產品之附加價值。並可配合其他WiMAX IP Networking以及網路管理技術,提供國產WiMAX基地台軟體技術。.

序號5101
產出年度100
技術名稱-中文IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術
執行單位資策會
產出單位資策會
計畫名稱無線寬頻通訊技術與應用計畫
領域通訊與光電
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文基於近年來累積之無線通訊3G/WiMAX技術能量,進行IMT-Advanced 16m關鍵技術開發,發展無線存取層通訊協定軟體,協助建立我國下世代無線通訊協定技術能量,促進國內產業發展並跟上世界潮流,驅動我國廠商投入發展高毛利產品並投入全球市場競爭,轉型成為國際通訊大廠。
技術現況敘述-英文The IMT-Advanced 16m key technology is developed on the basis of technological competences in 3G/WiMAX. The development of the communication protocol for the wireless access layer is to build a solid foundation for the industry players in the next-generation wireless communication technology in Taiwan. By being part of the global trends, the manufacturers in Taiwan will be driven into the development of high-margin products and become world-classing players in the world market.
技術規格1.符合IMT-Advanced 16m技術規範 2.符合WiMAX Forum NWG標準規範
技術成熟度雛型
可應用範圍1. 發展WiMAX Pico/Femto/Relay產品 2. 發展WiMAX 系統模擬驗證產品
潛力預估此技術包裝為Linux作業系統之模組,與基地台實體層晶片獨立發展,在不增加軟體開發成本的同時,可迅速移植至不同廠牌之基地台實體層晶片系統,大幅增加產品之附加價值。並可配合其他WiMAX IP Networking以及網路管理技術,提供國產WiMAX基地台軟體技術。
聯絡人員資策會洪文堅主任
電話02-66073801
傳真02-66073507
電子信箱jelly@iii.org.tw
參考網址http://www.iii.org.tw
所須軟硬體設備1. WiMAX基地台實體層晶片系統平台。 2.以Linux作業系統為主要研發環境,再搭配Hyper-Terminal終端機連線程式、TFTP等軟體。
需具備之專業人才此技術需具備Linux核心系統、無線/有線寬頻網路通訊協定(包含WiMAX 無線通訊技術、TCP/IP通訊協定技術、SNMP通訊協定技術等)之專業知識和實作經驗。
同步更新日期2024-09-03

序號

5101

產出年度

100

技術名稱-中文

IMT-Advanced 16m基礎關鍵協定技術

執行單位

資策會

產出單位

資策會

計畫名稱

無線寬頻通訊技術與應用計畫

領域

通訊與光電

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

基於近年來累積之無線通訊3G/WiMAX技術能量,進行IMT-Advanced 16m關鍵技術開發,發展無線存取層通訊協定軟體,協助建立我國下世代無線通訊協定技術能量,促進國內產業發展並跟上世界潮流,驅動我國廠商投入發展高毛利產品並投入全球市場競爭,轉型成為國際通訊大廠。

技術現況敘述-英文

The IMT-Advanced 16m key technology is developed on the basis of technological competences in 3G/WiMAX. The development of the communication protocol for the wireless access layer is to build a solid foundation for the industry players in the next-generation wireless communication technology in Taiwan. By being part of the global trends, the manufacturers in Taiwan will be driven into the development of high-margin products and become world-classing players in the world market.

技術規格

1.符合IMT-Advanced 16m技術規範 2.符合WiMAX Forum NWG標準規範

技術成熟度

雛型

可應用範圍

1. 發展WiMAX Pico/Femto/Relay產品 2. 發展WiMAX 系統模擬驗證產品

潛力預估

此技術包裝為Linux作業系統之模組,與基地台實體層晶片獨立發展,在不增加軟體開發成本的同時,可迅速移植至不同廠牌之基地台實體層晶片系統,大幅增加產品之附加價值。並可配合其他WiMAX IP Networking以及網路管理技術,提供國產WiMAX基地台軟體技術。

聯絡人員

資策會洪文堅主任

電話

02-66073801

傳真

02-66073507

電子信箱

jelly@iii.org.tw

參考網址

http://www.iii.org.tw

所須軟硬體設備

1. WiMAX基地台實體層晶片系統平台。 2.以Linux作業系統為主要研發環境,再搭配Hyper-Terminal終端機連線程式、TFTP等軟體。

需具備之專業人才

此技術需具備Linux核心系統、無線/有線寬頻網路通訊協定(包含WiMAX 無線通訊技術、TCP/IP通訊協定技術、SNMP通訊協定技術等)之專業知識和實作經驗。

同步更新日期

2024-09-03

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IMT-Advanced基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合3GPP R8 Nomadic RRC/PDCP/RLC/MAC/PHY Protocol規範。 2.符合3GPP E-RAB Management Protocol規範。 3.符合3GPP ... | 潛力預估: 1.建立 WiMAX 自主系統技術能量與產業策略,由 16d、16e wave1、延伸至 16e wave2、16j、NWG 1.5 及 16m。 2.建立IMT-Advanced 自主關鍵系統技術能...

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FemtoCell安全與管理技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合Broadband Forum之管理通訊協定標準規範。 2.符合Broadband Forum之TR-196 Data Model規範for FemtoCell Home NodeB。 3.符... | 潛力預估: Femto管理技術可協助國內CPE廠商持續保有競爭力。

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WiMAX系統整合與測試技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IEEE802.16e規範。 2.符合WiMAX Forum NWG 1.5基本規格。 | 潛力預估: 開發WCDMA測試案例及提供測試Solution,協助手機與晶片廠商取得測試認證,提供測試案例至晶片公司,協助其推出3G晶片產品。

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FemtoCell整合與驗證技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循NWG 1.6 所制定的 R6+ 標準規範。 2.相容於過去開發的 PicoBS 技術的換手系統。 3.CSG/OSG 管理機制。 4.符合3GPP Iuh規範。 5.符合3GPP R5 (H... | 潛力預估: 可搭配國內CPE廠商提供Femtocell、Set To Box與數位相框或看板廣告管控能力,促使廠商解法更為完整。

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4G系統模擬平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 符合3GPP LTE-Advanced技術標準 | 潛力預估: 投入國際通訊標準提案,以取得國際 IPR 交互授權之有利地位。

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WiMAX Femtocell Field Trial技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合802.16e WiMAX網路架構 2.符合WiMAX Forum NWG Femtocell網路架構 3.符合WiMAX Forum NWG Femtocell協定技術 4.相容於商用Fem... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統實測技術與驗證能力,有利推廣產品設備與解決方案

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WiMAX Femtocell Gateway技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循WiMAX Forum NWG標準規範透過訊息取得Fmeotcell Gateway相關註冊資訊 2.具備AAA代理伺服器功能 3.相容於802.16e WiMAX網路 | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利推廣產品。

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WiMAX系統方案技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合WiMAX Forum NWG 1.2 標準規範 2.提供 Profile C之ASN Gateway 3.提供Network entry、MS-Initiated Handover之功能 4... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主End to End系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利進入國際運營商之產品供應鏈。

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IMT-Advanced基礎關鍵協定技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合3GPP R8 Nomadic RRC/PDCP/RLC/MAC/PHY Protocol規範。 2.符合3GPP E-RAB Management Protocol規範。 3.符合3GPP ... | 潛力預估: 1.建立 WiMAX 自主系統技術能量與產業策略,由 16d、16e wave1、延伸至 16e wave2、16j、NWG 1.5 及 16m。 2.建立IMT-Advanced 自主關鍵系統技術能...

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FemtoCell安全與管理技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合Broadband Forum之管理通訊協定標準規範。 2.符合Broadband Forum之TR-196 Data Model規範for FemtoCell Home NodeB。 3.符... | 潛力預估: Femto管理技術可協助國內CPE廠商持續保有競爭力。

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WiMAX系統整合與測試技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合IEEE802.16e規範。 2.符合WiMAX Forum NWG 1.5基本規格。 | 潛力預估: 開發WCDMA測試案例及提供測試Solution,協助手機與晶片廠商取得測試認證,提供測試案例至晶片公司,協助其推出3G晶片產品。

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FemtoCell整合與驗證技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循NWG 1.6 所制定的 R6+ 標準規範。 2.相容於過去開發的 PicoBS 技術的換手系統。 3.CSG/OSG 管理機制。 4.符合3GPP Iuh規範。 5.符合3GPP R5 (H... | 潛力預估: 可搭配國內CPE廠商提供Femtocell、Set To Box與數位相框或看板廣告管控能力,促使廠商解法更為完整。

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4G系統模擬平台

執行單位: 資策會 | 產出年度: 99 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 符合3GPP LTE-Advanced技術標準 | 潛力預估: 投入國際通訊標準提案,以取得國際 IPR 交互授權之有利地位。

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WiMAX Femtocell Field Trial技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合802.16e WiMAX網路架構 2.符合WiMAX Forum NWG Femtocell網路架構 3.符合WiMAX Forum NWG Femtocell協定技術 4.相容於商用Fem... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統實測技術與驗證能力,有利推廣產品設備與解決方案

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WiMAX Femtocell Gateway技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.依循WiMAX Forum NWG標準規範透過訊息取得Fmeotcell Gateway相關註冊資訊 2.具備AAA代理伺服器功能 3.相容於802.16e WiMAX網路 | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主Femtocell系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利推廣產品。

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WiMAX系統方案技術

執行單位: 資策會 | 產出年度: 100 | 產出單位: 資策會 | 計畫名稱: 無線寬頻通訊技術與應用計畫 | 領域: 通訊與光電 | 技術規格: 1.符合WiMAX Forum NWG 1.2 標準規範 2.提供 Profile C之ASN Gateway 3.提供Network entry、MS-Initiated Handover之功能 4... | 潛力預估: 國內WiMAX網路系統產業鏈可因此計畫成果,建立自主End to End系統,並節省研發時間與費用,建立WiMAX網路系統技術與增加產品掌握度與特殊應用彈性,有利進入國際運營商之產品供應鏈。

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毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio:50 ‧ 結構層:Poly Silicon,厚度範圍:1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio:50 ‧ 結構層:Poly Silicon,厚度範圍:1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

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