品管分析平台技術
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技術名稱-中文品管分析平台技術的執行單位是工研院生醫所, 產出年度是101, 計畫名稱是天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發, 技術規格是"牛樟菇子實體樣品化學及HPLC品管分析方法 ", 潛力預估是因應未來牛樟菇菌產品品管規範之訂立.

序號5481
產出年度101
技術名稱-中文品管分析平台技術
執行單位工研院生醫所
產出單位(空)
計畫名稱天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文建立牛樟椴木牛樟菇子實體HPLC/UV及MS分析方法及Zhankuic acid A, Zhankuic acid C,antcin C, antcin K , Zhankuic acid B主要指標成分分離與結構鑑定、外觀、顯微鏡檢、乾燥減重、灰分(total ash、acid insoluble ash)、水抽提、稀醇抽提、醇抽提、總三?類、TLC、重金屬限量、農藥殘留、微生物限量等分析品管檢測方法、建立UPLC-HRMS / Target Analysis fingerprint分析品管檢測方法。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格"牛樟菇子實體樣品化學及HPLC品管分析方法 "
技術成熟度(空)
可應用範圍1.可應用於牛樟菇相關產品之品管檢測 2.可應用於其他天然物開發時衡量天然物素材與產品品管方法之參考模式。"
潛力預估因應未來牛樟菇菌產品品管規範之訂立
聯絡人員潘一紅
電話03-5732615
傳真03-5732373
電子信箱I-HorngPan@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備實驗室基本化學分析儀器及HPLC設備等
需具備之專業人才化學分析相關背景

序號

5481

產出年度

101

技術名稱-中文

品管分析平台技術

執行單位

工研院生醫所

產出單位

(空)

計畫名稱

天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

建立牛樟椴木牛樟菇子實體HPLC/UV及MS分析方法及Zhankuic acid A, Zhankuic acid C,antcin C, antcin K , Zhankuic acid B主要指標成分分離與結構鑑定、外觀、顯微鏡檢、乾燥減重、灰分(total ash、acid insoluble ash)、水抽提、稀醇抽提、醇抽提、總三?類、TLC、重金屬限量、農藥殘留、微生物限量等分析品管檢測方法、建立UPLC-HRMS / Target Analysis fingerprint分析品管檢測方法。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

"牛樟菇子實體樣品化學及HPLC品管分析方法 "

技術成熟度

(空)

可應用範圍

1.可應用於牛樟菇相關產品之品管檢測 2.可應用於其他天然物開發時衡量天然物素材與產品品管方法之參考模式。"

潛力預估

因應未來牛樟菇菌產品品管規範之訂立

聯絡人員

潘一紅

電話

03-5732615

傳真

03-5732373

電子信箱

I-HorngPan@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

實驗室基本化學分析儀器及HPLC設備等

需具備之專業人才

化學分析相關背景

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天然物特殊水相萃取分離技術開發

執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.分離純化倍率≧3~200(視目標物而定)_x000D_ 2.總回收率≧50%~90%(視目標物而定) | 潛力預估: 全球天然物熱-特別在植物提取有效活性成分之萃取分離技術發展上逐漸受到廣泛重視與關注,尤其許多活性成分可應用於醫藥、食品、化粧品及特化品之產業。而傳統分離技術受限於步驟繁瑣與污染性,在製程效率提升上具相...

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全身性紅斑性狼瘡治療潛力評估技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 自體免疫疾病in vitro及in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於自體免疫疾病治療之產品研發

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過敏性疾病(氣喘) 治療潛力評估技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 過敏性氣喘in vitro及in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於過敏性疾病(氣喘)治療之產品研發

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肝癌疾病動物模式藥效技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 抗肝癌in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發

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抗腫瘤細胞活性評估

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 抗腫瘤in vitro藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發

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天然物特殊水相萃取分離技術開發

執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.分離純化倍率≧3~200(視目標物而定)_x000D_ 2.總回收率≧50%~90%(視目標物而定) | 潛力預估: 全球天然物熱-特別在植物提取有效活性成分之萃取分離技術發展上逐漸受到廣泛重視與關注,尤其許多活性成分可應用於醫藥、食品、化粧品及特化品之產業。而傳統分離技術受限於步驟繁瑣與污染性,在製程效率提升上具相...

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全身性紅斑性狼瘡治療潛力評估技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 自體免疫疾病in vitro及in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於自體免疫疾病治療之產品研發

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過敏性疾病(氣喘) 治療潛力評估技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 過敏性氣喘in vitro及in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於過敏性疾病(氣喘)治療之產品研發

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肝癌疾病動物模式藥效技術

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 抗肝癌in vivo藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發

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抗腫瘤細胞活性評估

執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 抗腫瘤in vitro藥理功效評估技術 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發

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直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

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