TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作的執行單位是中科院材料所, 產出年度是101, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展第二期計畫, 技術規格是單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。, 潛力預估是開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。.

序號	5585
產出年度	101
技術名稱-中文	Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米材料及製程技術發展第二期計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	開發Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠，進行玻璃鍍膜500℃燒結，獲得紫外線吸收鍍膜玻璃。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃。
潛力預估	開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。
聯絡人員	王偉洪
電話	03-4712201#358267
傳真	03-4458233
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	無
所須軟硬體設備	溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備
需具備之專業人才	化工、材料、機械、化學
同步更新日期	2024-09-03

序號

5585

產出年度

101

技術名稱-中文

Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展第二期計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠，進行玻璃鍍膜500℃燒結，獲得紫外線吸收鍍膜玻璃。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃。

潛力預估

開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4712201#358267

傳真

03-4458233

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

無

所須軟硬體設備

溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備

需具備之專業人才

化工、材料、機械、化學

同步更新日期

2024-09-03

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Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
Fe2O3/TiO2、Ce2O3/TiO2 混成溶膠紫外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 單層雙面鍍膜玻璃，紫外線吸收率可達70％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發紫外線吸收鍍膜玻璃，用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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奈米撥水自潔雷達天線設施製法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 專利發明人: 王偉洪、姚錦富、邱智謀 \| 證書號碼: 發明第I430959號 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜折射率≦1.35，單層雙面抗反射鍍膜玻璃，最低反射率＜2.0%，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發具抗反射鍍膜玻璃之平面電視螢幕、手機、PDA及太陽能板，預估未來市場具10億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
TiO2混成溶膠高折射率鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜折射率≧1.70，單面高折射率鍍膜，消除透明導電觸控線路影像，提高觸控面板品質，鍍膜硬度率≧H。 \| 潛力預估: 開發平面電視螢幕、手機、PDA觸控螢幕背光光學鍍膜，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米Sb doped SnO2混成溶膠紅外線吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達kΩ/□等級，雙面ATO鍍膜玻璃，可降低熱幅射穿透率≧50％，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發觸控面板用於平面電視螢幕、手機、PDA，預估市場具1億年產值。開發隔熱玻璃用於建築產業，預估市場具2億年產值。開發抗靜電玻璃用於半導體產業，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 獲得SiO2/TiO2比例為0/1、1/3、2/2、3/1、1/0之奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠，進行玻璃單層雙面鍍膜，獲得透明彩色鍍膜玻璃，鍍膜硬度≧3H。 \| 潛力預估: 開發奈米金透明彩色鍍膜玻璃，用於觸控面板具抗菌功能，預估市場具2億年產值。用於建築玻璃及汽車玻璃，預估市場具1億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
WO3奈米結晶溶膠製備技術。	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效，其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.003(min×WL×gcat)-1。 \| 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 用於室內奈米觸媒塗料，具空氣清淨功效，其光觸媒可見光乙酸丁酯分解速率可達0.005(min×WL×gcat)-1。 \| 潛力預估: 用於廢氣處理觸媒製備用材料，增加廢氣處理能力，降低廢氣處理溫度。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

奈米撥水自潔雷達天線設施製法

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SiO2混成溶膠低折射率鍍膜玻璃製作

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奈米金Au-SiO2-TiO2混成溶膠可見光吸收鍍膜玻璃製作

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WO3奈米結晶溶膠製備技術。

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TiO2 Rutile奈米結晶溶膠製備技術。

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鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% <2% R/I=1.4598, U<+-0.0005 PSG, SiOxNy,GSG R/I =1.4645, U<+-0.0005 BPSG R/I =1.4598, U<... \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

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