高頻偶合電感材料及元件技術
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技術名稱-中文高頻偶合電感材料及元件技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是101, 計畫名稱是行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫, 技術規格是高頻偶合電感材料及元件技術，以積層元件之低溫燒結 (910℃)製程開發，導磁率ui~400，頻率4MHz，高飽和磁束密度(Bs400mT)之磁蕊材料，經由電感磁路模擬模型分析與積層共燒製程，設計兩相耦合電感，高頻偶合型電感電感量L~0.3(uH)，工作頻率達6MHz ，10A負載電流，載具驗証1...., 潛力預估是提高能源使用效率及節能減碳是現代社會與地球永續經營的目標，目前電子產業中APU/CPU/GPU等電力轉換器需求逐漸多元化，但發展趨勢不約而同朝向高頻化，因此關鍵組件-控制IC及儲能電感均需滿足高頻化要求，高頻偶合電感材料及元件技術可以幫助產業界在數位化及高頻化需求之電源端電力轉換領域朝向高頻化並推出....

序號5760
產出年度101
技術名稱-中文高頻偶合電感材料及元件技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高頻偶合電感材料與元件技術，以高純度磁蕊材料固相反應及微量?雜添加，開發ui~400，且有高飽和磁束密度之低溫燒結(910℃)ferrite材料，結合電磁模擬模型之分析與設計，與積層堆疊製程開發高頻偶合電感，以應用於電能轉換之DC-DC模組。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高頻偶合電感材料及元件技術，以積層元件之低溫燒結 (910℃)製程開發，導磁率ui~400，頻率4MHz，高飽和磁束密度(Bs400mT)之磁蕊材料，經由電感磁路模擬模型分析與積層共燒製程，設計兩相耦合電感，高頻偶合型電感電感量L~0.3(uH)，工作頻率達6MHz ，10A負載電流，載具驗証1.0~3.0V輸出電壓。
技術成熟度雛型
可應用範圍因應地球暖化趨勢，如何提高能源使用效率及節能減碳是大家追求的目標，所以近幾年來電子產品之電能轉換模組朝向高頻化、高功率密度與高效能的趨勢發展，由roadmap可知未來電力轉換器之工作頻率由~500KHz提高至幾MHz甚至幾十MHz等級，使得高頻偶合電感應用日漸廣泛，如電子產品NB、平板電腦、智慧型手機、電子書等產品之電源端領域。
潛力預估提高能源使用效率及節能減碳是現代社會與地球永續經營的目標，目前電子產業中APU/CPU/GPU等電力轉換器需求逐漸多元化，但發展趨勢不約而同朝向高頻化，因此關鍵組件-控制IC及儲能電感均需滿足高頻化要求，高頻偶合電感材料及元件技術可以幫助產業界在數位化及高頻化需求之電源端電力轉換領域朝向高頻化並推出新產品，以提升相關產業的國際競爭力，預期技術推廣落實廠商，將促成投資~5千萬，相關產值超過2億。
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820217
電子信箱MJTung@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備硬體：材料粉體混合機、高溫燒結爐、球磨機、生胚刮刀成型機、網印機、積層堆疊機、熱均壓機、LCR meter等測量儀器。 軟體：電磁路模擬分析軟體。
需具備之專業人才大學院校以上之材料、化學、物理、機械、電機等理工科人才。
同步更新日期2023-07-22

序號

5760

產出年度

101

技術名稱-中文

高頻偶合電感材料及元件技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

高頻偶合電感材料與元件技術，以高純度磁蕊材料固相反應及微量?雜添加，開發ui~400，且有高飽和磁束密度之低溫燒結(910℃)ferrite材料，結合電磁模擬模型之分析與設計，與積層堆疊製程開發高頻偶合電感，以應用於電能轉換之DC-DC模組。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

高頻偶合電感材料及元件技術，以積層元件之低溫燒結 (910℃)製程開發，導磁率ui~400，頻率4MHz，高飽和磁束密度(Bs400mT)之磁蕊材料，經由電感磁路模擬模型分析與積層共燒製程，設計兩相耦合電感，高頻偶合型電感電感量L~0.3(uH)，工作頻率達6MHz ，10A負載電流，載具驗証1.0~3.0V輸出電壓。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

因應地球暖化趨勢，如何提高能源使用效率及節能減碳是大家追求的目標，所以近幾年來電子產品之電能轉換模組朝向高頻化、高功率密度與高效能的趨勢發展，由roadmap可知未來電力轉換器之工作頻率由~500KHz提高至幾MHz甚至幾十MHz等級，使得高頻偶合電感應用日漸廣泛，如電子產品NB、平板電腦、智慧型手機、電子書等產品之電源端領域。

潛力預估

提高能源使用效率及節能減碳是現代社會與地球永續經營的目標，目前電子產業中APU/CPU/GPU等電力轉換器需求逐漸多元化，但發展趨勢不約而同朝向高頻化，因此關鍵組件-控制IC及儲能電感均需滿足高頻化要求，高頻偶合電感材料及元件技術可以幫助產業界在數位化及高頻化需求之電源端電力轉換領域朝向高頻化並推出新產品，以提升相關產業的國際競爭力，預期技術推廣落實廠商，將促成投資~5千萬，相關產值超過2億。

聯絡人員

唐敏注

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03-5916901

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所須軟硬體設備

硬體：材料粉體混合機、高溫燒結爐、球磨機、生胚刮刀成型機、網印機、積層堆疊機、熱均壓機、LCR meter等測量儀器。 軟體：電磁路模擬分析軟體。

需具備之專業人才

大學院校以上之材料、化學、物理、機械、電機等理工科人才。

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號231
產出年度93
技術名稱-中文積層模組EMI抑制技術技術授權
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文EMI濾波器通常是指由電感器和電容器所組合而構成的低通濾波器，低通濾波器可以由僅使用電容器及電感器的情形，到使用數個電感器和電容器所組合而成，有各種不同型態的電路元件成品，積層晶片EMI濾波器即是將數個積層晶片電感器與積層晶片電容器，經電路設計及積層晶片元件製程整合為一體，具有單石結構(monolithic structure)且小型化(尺寸3.2×1.6mm以下)，適用於表面黏著技術。材料所將技術輔導力毅精密電子股份有限公司製作多埠列積層晶片EMI濾波器模組件，以實驗室製作技術，將實驗室之製程參數，包括EMI濾波器電磁路模擬設計、使用材料、使用設備及使用方法。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器
技術成熟度試量產
可應用範圍應用於LCD顯示器/TV、桌上型/筆記型電腦、行動電話、GPS、PDA、AV設備、數位相機及藍芽產品等3C產品之雜訊濾波之用
潛力預估預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820206
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所須軟硬體設備硬體：漿料混練機、流變儀、刮刀機、網印機、切割機、燒結爐、LCR meter、Multimeter、恆溫恆濕箱 軟體：SPC分析軟體、溫度特性測試軟體、電磁場模擬軟體
需具備之專業人才材料、化工、電機電子、物理、化學
序號: 231
產出年度: 93
技術名稱-中文: 積層模組EMI抑制技術技術授權
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: EMI濾波器通常是指由電感器和電容器所組合而構成的低通濾波器，低通濾波器可以由僅使用電容器及電感器的情形，到使用數個電感器和電容器所組合而成，有各種不同型態的電路元件成品，積層晶片EMI濾波器即是將數個積層晶片電感器與積層晶片電容器，經電路設計及積層晶片元件製程整合為一體，具有單石結構(monolithic structure)且小型化(尺寸3.2×1.6mm以下)，適用於表面黏著技術。材料所將技術輔導力毅精密電子股份有限公司製作多埠列積層晶片EMI濾波器模組件，以實驗室製作技術，將實驗室之製程參數，包括EMI濾波器電磁路模擬設計、使用材料、使用設備及使用方法。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 元件尺寸3.20.21.60.20.850.15(mm),截止頻率100 MHz,額定電流100 mA,額定電壓10V,串音-20dB,8信號線端,2接地端之四組型陣列LC濾波器
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 應用於LCD顯示器/TV、桌上型/筆記型電腦、行動電話、GPS、PDA、AV設備、數位相機及藍芽產品等3C產品之雜訊濾波之用
潛力預估: 預計至96年時產能可達144KKpcs,總產值可達3億6千萬元以上,帶動投資額二億五千萬,可帶動該公司2.97之EPS
聯絡人員: 唐敏注
電話: 03-5916901
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所須軟硬體設備: 硬體：漿料混練機、流變儀、刮刀機、網印機、切割機、燒結爐、LCR meter、Multimeter、恆溫恆濕箱 軟體：SPC分析軟體、溫度特性測試軟體、電磁場模擬軟體
需具備之專業人才: 材料、化工、電機電子、物理、化學

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1057
產出年度94
技術名稱-中文RFID電磁場增強片
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依目標系統之要求,選擇具有導磁及導電性質之粉體材料,調整其需要特性並用適當之高分子有機材料製作成為電磁場增強片
技術現況敘述-英文(空)
技術規格RFID電磁場增強片具柔軟可繞性，厚度範圍0.3~1.0mm，尺寸可依需求作裁切，最大為150×150mm，導磁率=3~12， freq~3GHz,增強效果:5~10dB
技術成熟度雛型
可應用範圍適用於UHF(860MHz~1GHz)頻率範圍之RFID Tag、RFID天線、RFID辨識系統
潛力預估RFID電磁場增強片主要應用於RFID辨識系統，預估潛力會因RFID辨識系統的普及與否而變化，初期預估於2008年全球市場潛力有3千萬美元以上
聯絡人員唐敏注
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所須軟硬體設備硬體：混練機、流變儀、刮刀機、切割機、壓片機、LCR meter、Multimeter、阻抗分析儀、網路分析儀。軟體：SPC分析軟體、電磁場模擬軟體
需具備之專業人才材料、化工、電機電子、物理、化學
序號: 1057
產出年度: 94
技術名稱-中文: RFID電磁場增強片
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依目標系統之要求,選擇具有導磁及導電性質之粉體材料,調整其需要特性並用適當之高分子有機材料製作成為電磁場增強片
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: RFID電磁場增強片具柔軟可繞性，厚度範圍0.3~1.0mm，尺寸可依需求作裁切，最大為150×150mm，導磁率=3~12， freq~3GHz,增強效果:5~10dB
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 適用於UHF(860MHz~1GHz)頻率範圍之RFID Tag、RFID天線、RFID辨識系統
潛力預估: RFID電磁場增強片主要應用於RFID辨識系統，預估潛力會因RFID辨識系統的普及與否而變化，初期預估於2008年全球市場潛力有3千萬美元以上
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所須軟硬體設備: 硬體：混練機、流變儀、刮刀機、切割機、壓片機、LCR meter、Multimeter、阻抗分析儀、網路分析儀。軟體：SPC分析軟體、電磁場模擬軟體
需具備之專業人才: 材料、化工、電機電子、物理、化學

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1058
產出年度94
技術名稱-中文低溫反應之EMI抑制粉體技術
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文此EMI抑制粉體係以自發性之強氧化還原反應為主要方法,鹽類及還原劑反應,處理溫度可達300℃,其結構是以金屬/鐵氧體核殼結構之合成進行設計,主要著眼於可藉由金屬與鐵氧體之比例而控制其吸收/反射比,300℃時己有鐵氧體之尖晶石相產生。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格EMI抑制粉體具核殼結構，粉體顆粒接近次微米，並表面處理有良好分散效果，導磁率=2~8插入損失~10dB/mm, f~20GHz
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍適合於高密度裝配之電路設計，可應用於液晶顯示器、遊戲機、液晶電視、手機、筆記型電腦、個人電腦、通訊模組、厚膜積體電路等高頻及數位電子產品之EMI抑制。
潛力預估電機、電子、通訊等技術日新月異，其電子產品走向輕、薄、短、小之趨勢，使得裝配於電子產品內之電子元組件相對地要求愈薄愈好，使用低溫反應之EMI抑制粉體可以製成厚度較薄之EMI抑制薄片，以取代現有傳統之EMI材料。
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820206
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參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備硬體：混合機、氧化還原槽、刮刀機、網印機、燒結爐、阻抗分析儀、Multimeter、振動磁力儀。軟體：溫度特性測試軟體
需具備之專業人才材料、化工、電機電子、物理、化學
序號: 1058
產出年度: 94
技術名稱-中文: 低溫反應之EMI抑制粉體技術
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 此EMI抑制粉體係以自發性之強氧化還原反應為主要方法,鹽類及還原劑反應,處理溫度可達300℃,其結構是以金屬/鐵氧體核殼結構之合成進行設計,主要著眼於可藉由金屬與鐵氧體之比例而控制其吸收/反射比,300℃時己有鐵氧體之尖晶石相產生。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: EMI抑制粉體具核殼結構，粉體顆粒接近次微米，並表面處理有良好分散效果，導磁率=2~8插入損失~10dB/mm, f~20GHz
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 適合於高密度裝配之電路設計，可應用於液晶顯示器、遊戲機、液晶電視、手機、筆記型電腦、個人電腦、通訊模組、厚膜積體電路等高頻及數位電子產品之EMI抑制。
潛力預估: 電機、電子、通訊等技術日新月異，其電子產品走向輕、薄、短、小之趨勢，使得裝配於電子產品內之電子元組件相對地要求愈薄愈好，使用低溫反應之EMI抑制粉體可以製成厚度較薄之EMI抑制薄片，以取代現有傳統之EMI材料。
聯絡人員: 唐敏注
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傳真: 03-5820206
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參考網址: http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備: 硬體：混合機、氧化還原槽、刮刀機、網印機、燒結爐、阻抗分析儀、Multimeter、振動磁力儀。軟體：溫度特性測試軟體
需具備之專業人才: 材料、化工、電機電子、物理、化學

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號3237
產出年度98
技術名稱-中文磁場屏蔽油墨材料技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文磁場屏蔽油墨材料是開發高導磁率之鐵氧體材料，經由噴霧複合化特有製程製作圓球狀鐵氧體粉末材料，經大小微粒匹配及高填充配置導入，調製為塗料與墨料，而實現高導磁高感抗之特性，可塗抹於凹凸不平的電路板或網印為薄膜或形成可撓性薄片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格屏蔽油墨材料具有導磁與介電性，導磁率uiac=10，可撓性薄片導磁率最高達200。墨料薄片屏蔽特性S21達20dB。
技術成熟度試量產
可應用範圍可應用於RFID tag抗金屬塗層、內埋式通訊模組電感、抗電磁波干擾等產業。
潛力預估屏蔽油墨材料應用於高速訊號傳輸之電磁雜訊的阻隔，與磁性迴路之遮蔽，也應用於內埋式電路模組之電感，可縮小整體電路模組的體積，且提升電感值倍數，其應用範圍涵蓋消費性、資訊、通訊等電子產品如數位相機、筆記型電腦、RFID tag、通訊組件等電子電路上以避免EMI與EMC問題。初期預估市場超過1億元以上，可幫助業者於短時間內解決電子產品EMI問題，使產品符合EMC法規而迅速上市，就應用端而言幫助產業界在快速變更機型的時代，迅速解決EMI問題，提昇產業競爭力。
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
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所須軟硬體設備高速混合機、燒結爐、墨料混合機、三滾桶機、
需具備之專業人才電子材料、化學、陶瓷材料相關背景
序號: 3237
產出年度: 98
技術名稱-中文: 磁場屏蔽油墨材料技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 磁場屏蔽油墨材料是開發高導磁率之鐵氧體材料，經由噴霧複合化特有製程製作圓球狀鐵氧體粉末材料，經大小微粒匹配及高填充配置導入，調製為塗料與墨料，而實現高導磁高感抗之特性，可塗抹於凹凸不平的電路板或網印為薄膜或形成可撓性薄片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 屏蔽油墨材料具有導磁與介電性，導磁率uiac=10，可撓性薄片導磁率最高達200。墨料薄片屏蔽特性S21達20dB。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 可應用於RFID tag抗金屬塗層、內埋式通訊模組電感、抗電磁波干擾等產業。
潛力預估: 屏蔽油墨材料應用於高速訊號傳輸之電磁雜訊的阻隔，與磁性迴路之遮蔽，也應用於內埋式電路模組之電感，可縮小整體電路模組的體積，且提升電感值倍數，其應用範圍涵蓋消費性、資訊、通訊等電子產品如數位相機、筆記型電腦、RFID tag、通訊組件等電子電路上以避免EMI與EMC問題。初期預估市場超過1億元以上，可幫助業者於短時間內解決電子產品EMI問題，使產品符合EMC法規而迅速上市，就應用端而言幫助產業界在快速變更機型的時代，迅速解決EMI問題，提昇產業競爭力。
聯絡人員: 唐敏注
電話: 03-5916901
傳真: 03-5820206
電子信箱: mjtung@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 高速混合機、燒結爐、墨料混合機、三滾桶機、
需具備之專業人才: 電子材料、化學、陶瓷材料相關背景

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號4449
產出年度99
技術名稱-中文大電流電感設計與應用技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高頻軟磁磁蕊材料設計，透過材料粉體細化反應與晶粒間高阻抗層之添加反應，提高磁蕊材料之高頻磁特性，結合大電流電感元件電磁路模擬設計與積層製程，開發高頻大電流電感技術，同時藉由電能轉換載具之驗證，朝向CPU/GPU V-core之電源轉換器應用領域發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格經由磁蕊材料特性，磁蕊之晶界粒間有高阻抗層，有助於提高大電流電感之工作頻率及整合大電流電感磁路結構模擬分析，達到最佳化之設計，高頻低背型大電流電感，工作頻率>1MHz，額定電流1~10A。
技術成熟度試量產
可應用範圍因應可攜式電子產品高頻化與大電流之發展趨勢，大電流電感設計與應用技術，廣泛應用於小型DC-DC converter之高頻電力電感，如ICT產業中的伺服器、NB、NetBook、智慧型手機、電子書等產品電源端之電能轉換器領域。
潛力預估因應節能減碳及地球暖化趨勢，如何提高能源之使用效率是大家追求的目標，目前ICT產業中Intel其roadmap將電力轉換器之工作頻率需提高至數MHz等級，以追求更高的電源使用效率，國際大廠己有4MHz等級之控制IC，但電感元件尚付之闕如，因此高頻化之電感元件研製開發，可謂是提昇電力轉換效率之關鍵技術，期望本技術能提升國內ICT產業與電源模組產業之技術層級與新產品開發應用，維持相關產業競爭優勢地位。
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820217
電子信箱MJTung@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備磁蕊粉體材料設備-混合機、球磨機、燒結爐、噴霧造粒機。 大電流電感設備-成型機、網印機、熱均壓機、燒結爐、端銀機、測試機。 大電流電感設計-電磁路模擬分析軟體。
需具備之專業人才主修理工學科如材料、化學、化工、電子、電機等學科。
序號: 4449
產出年度: 99
技術名稱-中文: 大電流電感設計與應用技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 高頻軟磁磁蕊材料設計，透過材料粉體細化反應與晶粒間高阻抗層之添加反應，提高磁蕊材料之高頻磁特性，結合大電流電感元件電磁路模擬設計與積層製程，開發高頻大電流電感技術，同時藉由電能轉換載具之驗證，朝向CPU/GPU V-core之電源轉換器應用領域發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 經由磁蕊材料特性，磁蕊之晶界粒間有高阻抗層，有助於提高大電流電感之工作頻率及整合大電流電感磁路結構模擬分析，達到最佳化之設計，高頻低背型大電流電感，工作頻率>1MHz，額定電流1~10A。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 因應可攜式電子產品高頻化與大電流之發展趨勢，大電流電感設計與應用技術，廣泛應用於小型DC-DC converter之高頻電力電感，如ICT產業中的伺服器、NB、NetBook、智慧型手機、電子書等產品電源端之電能轉換器領域。
潛力預估: 因應節能減碳及地球暖化趨勢，如何提高能源之使用效率是大家追求的目標，目前ICT產業中Intel其roadmap將電力轉換器之工作頻率需提高至數MHz等級，以追求更高的電源使用效率，國際大廠己有4MHz等級之控制IC，但電感元件尚付之闕如，因此高頻化之電感元件研製開發，可謂是提昇電力轉換效率之關鍵技術，期望本技術能提升國內ICT產業與電源模組產業之技術層級與新產品開發應用，維持相關產業競爭優勢地位。
聯絡人員: 唐敏注
電話: 03-5916901
傳真: 03-5820217
電子信箱: MJTung@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 磁蕊粉體材料設備-混合機、球磨機、燒結爐、噴霧造粒機。 大電流電感設備-成型機、網印機、熱均壓機、燒結爐、端銀機、測試機。 大電流電感設計-電磁路模擬分析軟體。
需具備之專業人才: 主修理工學科如材料、化學、化工、電子、電機等學科。

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號4931
產出年度100
技術名稱-中文高頻損失與阻抗分析技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱材料與化工領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文氧化物材料可利用高能量射頻訊號進行高溫熱處理製程，高頻能量瞬間將被材料吸收並轉換熱能，提供材料結晶成核/成相之趨動力，其優點包括快速加熱，降低製程溫度及改善物理及機械性質等。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高頻損失量測分析 (1MHz~6GHz) 材料阻抗及等效電路解析 (101 ~109 Ohm )
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍高頻能量因材質差異具不同之穿透/吸收率，本技術可針對各種材料進行高頻量測，以提供未來製程調控頻段之參考依據。
潛力預估本技術可分析各種高頻材料之吸收頻段特性，進行選擇性加熱以提升材料製程效率及穩定性
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820241
電子信箱MJTung@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備光電材料設備
需具備之專業人才具光電背景
序號: 4931
產出年度: 100
技術名稱-中文: 高頻損失與阻抗分析技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 氧化物材料可利用高能量射頻訊號進行高溫熱處理製程，高頻能量瞬間將被材料吸收並轉換熱能，提供材料結晶成核/成相之趨動力，其優點包括快速加熱，降低製程溫度及改善物理及機械性質等。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高頻損失量測分析 (1MHz~6GHz) 材料阻抗及等效電路解析 (101 ~109 Ohm )
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 高頻能量因材質差異具不同之穿透/吸收率，本技術可針對各種材料進行高頻量測，以提供未來製程調控頻段之參考依據。
潛力預估: 本技術可分析各種高頻材料之吸收頻段特性，進行選擇性加熱以提升材料製程效率及穩定性
聯絡人員: 唐敏注
電話: 03-5916901
傳真: 03-5820241
電子信箱: MJTung@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 光電材料設備
需具備之專業人才: 具光電背景

# 03-5916901 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號5158
產出年度100
技術名稱-中文高頻大電流電感與材料技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高頻大電流電感與材料以高純度材料粉體固相反應及微量添加於晶界反應成高阻抗層，以提高磁蕊材料之高頻磁特性，結合電磁模擬模型之分析與設計，應用積層堆疊製程開發高頻大電流電感，同時藉由電能轉換載具之驗證，朝向DC-DC電源模組轉換器應用領域發展。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高頻電感材料以NiCuZnferrite多元組成設計，朝向高飽和磁束密度，於低溫燒結 (900℃) 緻密具有高飽和磁束密度(Bs＞4300Gauss)，經由積層堆疊製程開發高頻大電流電感，頻率2MHz，直流特性>10A，電感特性藉由電源轉換材料與載具驗証，載具驗証1.0~3.0V輸出電壓。
技術成熟度雛型
可應用範圍最近幾年來可攜式電子產品之高頻化與高功率密度的蓬勃發展，使得高頻大電流電感應用日漸廣泛，舉凡可攜式電子產品內部分散電源架構之小型DC-DC converter之電能轉換模組或ICT產業中的伺服器、NB、NetBook、智慧型手機、電子書等產品電源端之電能轉換器領域。
潛力預估因應地球暖化趨勢，如何提高能源使用效率及節能減碳是大家追求的目標，目前電子產業中APU/CPU/GPU等電力轉換器需求逐漸多元化，但發展趨勢不約而同朝向高頻化，由roadmap可知未來電力轉換器之工作頻率提高至幾MHz甚至幾十MHz等級，因此關鍵組件-控制IC及儲能電感均需滿足高頻化要求，前者己有4MHz等級之控制IC，但電感元件尚付之闕如，因此高頻化電感元件研製開發，可謂是提昇電力轉換效率之關鍵技術，期望本技術開發能提升國內電源模組相關產業之技術層級與新產品開發應用，維持產業競爭優勢地位。
聯絡人員唐敏注
電話03-5916901
傳真03-5820217
電子信箱MJTung@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備硬體：材料粉體混合機、高溫燒結爐、球磨機、生胚刮刀成型機、網印機、堆疊機、熱均壓機、LCR meter等測量儀器。 軟體：電磁路模擬分析軟體。
需具備之專業人才大學院校以上之物理、材料、化學、機械、電機等理工科人才。
序號: 5158
產出年度: 100
技術名稱-中文: 高頻大電流電感與材料技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 高頻大電流電感與材料以高純度材料粉體固相反應及微量添加於晶界反應成高阻抗層，以提高磁蕊材料之高頻磁特性，結合電磁模擬模型之分析與設計，應用積層堆疊製程開發高頻大電流電感，同時藉由電能轉換載具之驗證，朝向DC-DC電源模組轉換器應用領域發展。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高頻電感材料以NiCuZnferrite多元組成設計，朝向高飽和磁束密度，於低溫燒結 (900℃) 緻密具有高飽和磁束密度(Bs＞4300Gauss)，經由積層堆疊製程開發高頻大電流電感，頻率2MHz，直流特性>10A，電感特性藉由電源轉換材料與載具驗証，載具驗証1.0~3.0V輸出電壓。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 最近幾年來可攜式電子產品之高頻化與高功率密度的蓬勃發展，使得高頻大電流電感應用日漸廣泛，舉凡可攜式電子產品內部分散電源架構之小型DC-DC converter之電能轉換模組或ICT產業中的伺服器、NB、NetBook、智慧型手機、電子書等產品電源端之電能轉換器領域。
潛力預估: 因應地球暖化趨勢，如何提高能源使用效率及節能減碳是大家追求的目標，目前電子產業中APU/CPU/GPU等電力轉換器需求逐漸多元化，但發展趨勢不約而同朝向高頻化，由roadmap可知未來電力轉換器之工作頻率提高至幾MHz甚至幾十MHz等級，因此關鍵組件-控制IC及儲能電感均需滿足高頻化要求，前者己有4MHz等級之控制IC，但電感元件尚付之闕如，因此高頻化電感元件研製開發，可謂是提昇電力轉換效率之關鍵技術，期望本技術開發能提升國內電源模組相關產業之技術層級與新產品開發應用，維持產業競爭優勢地位。
聯絡人員: 唐敏注
電話: 03-5916901
傳真: 03-5820217
電子信箱: MJTung@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 硬體：材料粉體混合機、高溫燒結爐、球磨機、生胚刮刀成型機、網印機、堆疊機、熱均壓機、LCR meter等測量儀器。 軟體：電磁路模擬分析軟體。
需具備之專業人才: 大學院校以上之物理、材料、化學、機械、電機等理工科人才。
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與高頻偶合電感材料及元件技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

四行程泛用小引擎雛型機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量：26 CC、點火方式：TCI 、供油方式：膜片式化油器、冷卻系統：氣冷式、閥系統：2閥OHV設計、馬力0.53kW/7000rpm、扭力0.86 N-m/3500rpm、符合美國加州CARB ... | 潛力預估: 小型、輕量化與高轉速運轉之OHV閥系統設計，濕式機油潤滑系統，設計簡單，信賴度高，並可多角度翻轉使用

小引擎微電腦引擎管理系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 含引擎控制策略、流程與程式軟體、引擎控制器硬體、八位元微電腦控制器，具備下列功能:燃油控制：啟動控制、正常控制、加速控制、減速控制、切油控制、補償控制、點火控制：啟動控制、正常控制、切油控制 | 潛力預估: 開迴路燃油控制或閉迴路燃油控制及機車引擎點火控制

微脈動噴油技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦：熱泡式無閥構造，晶片尺寸5.5x7.8mm，設80個微泵浦，噴孔徑80μm，可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦：壓電板式無閥結構，噴孔板14x17mm，噴孔徑50μm，可噴射汽油，噴射裝置：... | 潛力預估: 無

自行車傳/制動系統技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程，有效建立產品之專利技術，建立傳/制動系統功能驗證技術，作為發展系統設計

自行車電動助力模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達：350W、輔助方式：比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎

375c.c.四行程稀薄燃燒引擎

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量：373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式：四行程、汽缸數：雙缸、閥門數：4閥/缸、排列方式：V型-90、冷卻方式：水冷、燃油系統：氣道噴射、點火系統：電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計，稀油燃燒進氣氣道設計，EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制

液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm、工作頻率：12～20 kHz 、驅動電壓：27～35Vpk-pk、消耗功率：1mW以下、噴射液滴直徑：10～50μm(視設計需求而定)、噴射流量：最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計，壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造，以及陣列微孔批量製造技術。

車載資訊系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術

自動離合手排變速箱(AcMT)技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar； Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度：3維 解析度：400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

四行程泛用小引擎雛型機

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量：26 CC、點火方式：TCI 、供油方式：膜片式化油器、冷卻系統：氣冷式、閥系統：2閥OHV設計、馬力0.53kW/7000rpm、扭力0.86 N-m/3500rpm、符合美國加州CARB ... | 潛力預估: 小型、輕量化與高轉速運轉之OHV閥系統設計，濕式機油潤滑系統，設計簡單，信賴度高，並可多角度翻轉使用

小引擎微電腦引擎管理系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 含引擎控制策略、流程與程式軟體、引擎控制器硬體、八位元微電腦控制器，具備下列功能:燃油控制：啟動控制、正常控制、加速控制、減速控制、切油控制、補償控制、點火控制：啟動控制、正常控制、切油控制 | 潛力預估: 開迴路燃油控制或閉迴路燃油控制及機車引擎點火控制

微脈動噴油技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦：熱泡式無閥構造，晶片尺寸5.5x7.8mm，設80個微泵浦，噴孔徑80μm，可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦：壓電板式無閥結構，噴孔板14x17mm，噴孔徑50μm，可噴射汽油，噴射裝置：... | 潛力預估: 無

自行車傳/制動系統技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程，有效建立產品之專利技術，建立傳/制動系統功能驗證技術，作為發展系統設計

自行車電動助力模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達：350W、輔助方式：比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎

375c.c.四行程稀薄燃燒引擎

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量：373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式：四行程、汽缸數：雙缸、閥門數：4閥/缸、排列方式：V型-90、冷卻方式：水冷、燃油系統：氣道噴射、點火系統：電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計，稀油燃燒進氣氣道設計，EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制

液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm、工作頻率：12～20 kHz 、驅動電壓：27～35Vpk-pk、消耗功率：1mW以下、噴射液滴直徑：10～50μm(視設計需求而定)、噴射流量：最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計，壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造，以及陣列微孔批量製造技術。

車載資訊系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術

自動離合手排變速箱(AcMT)技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar； Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度：3維 解析度：400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

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