功能性高分子分析研判與檢測
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文功能性高分子分析研判與檢測的執行單位是中科院化學所, 產出年度是102, 計畫名稱是高值化學品技術開發與應用四年計畫, 技術規格是官能基、分子量、成分組成分析。, 潛力預估是功能性高分子成分組成分析檢測技術，用於調整配方，以適合於尼龍等有機高分子材料之改質與性能提升應用。.

序號	6053
產出年度	102
技術名稱-中文	功能性高分子分析研判與檢測
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	高值化學品技術開發與應用四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	電子相關商品功能要求越來越高，所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候，具備功能性之高分子是不可或缺的選擇，首先自己要有分析能量作逆向工程，才能知己知彼並建立品管能力，且可辨別購買之高價功能性高分子之品質以免影響產品良率，最後建立合成能量基礎。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	官能基、分子量、成分組成分析。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	TGA、GPC、IR、GC-MS、HNMR、SiNMR分析技術可應用於各種有機材質特性分析，可用於新材料研發。
潛力預估	功能性高分子成分組成分析檢測技術，用於調整配方，以適合於尼龍等有機高分子材料之改質與性能提升應用。
聯絡人員	蘇文?
電話	(03)4712201#358047
傳真	(03)4719940
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://csist@csistdup.org.tw
所須軟硬體設備	熱分析儀、膠體層析儀、紅外線光譜儀、核磁共振儀、氣層質譜儀
需具備之專業人才	化學分析儀器專業背景

序號

6053

產出年度

102

技術名稱-中文

功能性高分子分析研判與檢測

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化學品技術開發與應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

電子相關商品功能要求越來越高，所需要的材料性能也越要更耐熱、更透明、更耐候，具備功能性之高分子是不可或缺的選擇，首先自己要有分析能量作逆向工程，才能知己知彼並建立品管能力，且可辨別購買之高價功能性高分子之品質以免影響產品良率，最後建立合成能量基礎。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

官能基、分子量、成分組成分析。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

TGA、GPC、IR、GC-MS、HNMR、SiNMR分析技術可應用於各種有機材質特性分析，可用於新材料研發。

潛力預估

功能性高分子成分組成分析檢測技術，用於調整配方，以適合於尼龍等有機高分子材料之改質與性能提升應用。

聯絡人員

蘇文?

電話

(03)4712201#358047

傳真

(03)4719940

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://csist@csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

熱分析儀、膠體層析儀、紅外線光譜儀、核磁共振儀、氣層質譜儀

需具備之專業人才

化學分析儀器專業背景

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含二環戊二烯之氧代氮代苯并環己烷與氰酸酯樹脂共聚物及其製備方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I 526498 \| 專利期間起: 105/03/21 \| 專利期間訖: 123/05/29 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 專利發明人: 蘇文烱 \| 林慶炫 \| 廖盛晨 \| 周裕偉 @ 技術司專利資料集
Crosslinkable Polysiloxane Molecule	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US9296865B1 \| 專利期間起: 103/11/18 \| 專利期間訖: 123/11/18 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 專利發明人: 蘇文烱 \| 劉英麟 @ 技術司專利資料集
高分子界面活性劑及聚?吩衍物檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 分子量＞200以上。 \| 潛力預估: 高分子原料分子量鑑定技術對研發、品管均為必要需求，可自行使用，開放技服商機無限。 @ 技術司可移轉技術資料集
無鹵難燃橡膠研發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無機填料SiO2：CaCO3：Al(OH)3約 0.5：1：3，NBR：天然橡膠比例自調。表面硬度 HB，通過UL94V0難燃等級。 \| 潛力預估: 溜冰場或須磨耗之場所橡膠地磚，市場包括中國大陸和東南亞。 @ 技術司可移轉技術資料集
環氧樹脂複材分析檢測	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 環氧樹脂種類、Tg點、TGA數據、無機成分分析等。 \| 潛力預估: 環氧樹脂複材分析檢測技術，用於調整配方，以適合於不同電子材料如基板材或膠材特性複材應用。 @ 技術司可移轉技術資料集
五碳衍生物溴化及羥基化之觸媒開發、五碳衍生物功能性高分子檢測與研判	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 金剛烷溴化衍生物產品規格指標：產率≧70%、純度≧95% \| 潛力預估: 金剛烷及其衍生物可應用於功能特材、光電特材等產業應用，開發高階特材將帶動石化產業高值化契機，產品可應用於電子產業新材料開發，提升整體產業競爭力；雙環戊二烯官能基化衍生物，可應用於環保可塑劑、耐候型高功... @ 技術司可移轉技術資料集
金剛烷與雙環戊二烯官能基衍生物製程開發	執行單位: 中科院化學研究所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 金剛烷溴化衍生物雛級製程1~5公升反應器試製能量，金剛烷溴產量50~500公克。金剛烷溴產品規格指標：產率≧70%、純度≧95% 。雙環戊二烯羥化衍生物合成技術開發，羥基雙環戊烯產品規格指標：產率≧... \| 潛力預估: 本計畫協助國內積極建立「五碳化學品雙環戊二烯(DCPD)與金剛烷(ADM)衍生物開發」，可藉由上游(台塑、中油、李長榮)結合下游(日邦樹脂、長興材料、集盛、雙鍵、日邦)產業鏈聯盟，自組研發平台與產品應... @ 技術司可移轉技術資料集
Phosphorus-containingbenzoxazineresinwithvarioussubstituentsandmethodforpreparingthesame	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US8114988B2 \| 專利期間起: 1999/2/3 \| 專利期間訖: 119/02/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 高值化學品技術開發與應用四年計畫 \| 專利發明人: 蘇文 \| 林慶炫 \| 鄭博文 @ 技術司專利資料集

金剛烷與雙環戊二烯官能基衍生物製程開發

執行單位: 中科院化學研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 金剛烷溴化衍生物雛級製程1~5公升反應器試製能量，金剛烷溴產量50~500公克。金剛烷溴產品規格指標：產率≧70%、純度≧95% 。雙環戊二烯羥化衍生物合成技術開發，羥基雙環戊烯產品規格指標：產率≧... | 潛力預估: 本計畫協助國內積極建立「五碳化學品雙環戊二烯(DCPD)與金剛烷(ADM)衍生物開發」，可藉由上游(台塑、中油、李長榮)結合下游(日邦樹脂、長興材料、集盛、雙鍵、日邦)產業鏈聯盟，自組研發平台與產品應...

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Phosphorus-containingbenzoxazineresinwithvarioussubstituentsandmethodforpreparingthesame

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低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高
平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低
毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。