高性能穩定低變異MEA設計/製程技術
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技術名稱-中文高性能穩定低變異MEA設計/製程技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是102, 計畫名稱是綠色電能材料與系統應用開發計畫, 技術規格是觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。, 潛力預估是導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。.

序號	6462
產出年度	102
技術名稱-中文	高性能穩定低變異MEA設計/製程技術
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	綠色電能材料與系統應用開發計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本研究藉由表面修飾技術將具lone pair官能基之含氮改質劑(N-modifier)作為結合觸媒與Nafion等高分子之用，提升觸媒/高分子分散性及均勻度，電極與膜電極組之反應活性有所提高。並結合表面修飾觸媒/線上再分散程序，導入塗布製程，電極之規格變異性降低，
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	此技術可放大製程規模，應用於量產MEA製程，採用此技術之MEA產品除已導入W~kW級DMFC系統外，亦吸引群翌能源等燃料電池相關廠商投資，進行MEA/Stack產品之合作開發及製作。
潛力預估	導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。
聯絡人員	蔡麗端
電話	03-5915310
傳真	03-5820442
電子信箱	liduantsai@itri.org.tw
參考網址	-
所須軟硬體設備	除泡混合分散設備、精密塗布機台、精密大面積(或多片式)熱壓合設備、電化學測試分析及放電量測機台
需具備之專業人才	燃料電池/電化學/量產製程

序號

6462

產出年度

102

技術名稱-中文

高性能穩定低變異MEA設計/製程技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

綠色電能材料與系統應用開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本研究藉由表面修飾技術將具lone pair官能基之含氮改質劑(N-modifier)作為結合觸媒與Nafion等高分子之用，提升觸媒/高分子分散性及均勻度，電極與膜電極組之反應活性有所提高。並結合表面修飾觸媒/線上再分散程序，導入塗布製程，電極之規格變異性降低，

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

此技術可放大製程規模，應用於量產MEA製程，採用此技術之MEA產品除已導入W~kW級DMFC系統外，亦吸引群翌能源等燃料電池相關廠商投資，進行MEA/Stack產品之合作開發及製作。

潛力預估

導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

liduantsai@itri.org.tw

參考網址

所須軟硬體設備

除泡混合分散設備、精密塗布機台、精密大面積(或多片式)熱壓合設備、電化學測試分析及放電量測機台

需具備之專業人才

燃料電池/電化學/量產製程

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導電高分子固態電容器及其製造方法	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之... @ 技術司可移轉技術資料集
電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC \| 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心... @ 技術司可移轉技術資料集
提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 \| 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建... @ 技術司可移轉技術資料集
鋁晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... \| 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里... @ 技術司可移轉技術資料集
導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... \| 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集
導電高分子固態電容器材料及製程技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... \| 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集
多孔性結構電極成型及其燒結技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 \| 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊... @ 技術司可移轉技術資料集
晶片電容器單元電極技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... \| 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全... @ 技術司可移轉技術資料集

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磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm×300mm電子迴旋共振高密度電漿奈米碳管機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板大小:300mm×300mm，製程溫度低於450℃，均勻度為3% \| 潛力預估: 奈米碳管可用於場發射元件、奈米導線、奈米探針、儲能材料、結構複合材料等領域，為本世紀最具應用潛力的新材料，世界先進國家均積極投入研發，並列為各該國家奈米計畫研究重點項目。因此，開發大面積、高密度電漿源...
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線；蝕刻速率為2,500 A /min ；蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 定位精度：0.5μm；馬達最快速度: 120m/min；馬達最快加速度: 1.5g；切割速度:~4000 Aperture/Hour；具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機研製能力，生產...
油靜座滑軌	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 供油壓力：20 bar；潤滑油形式：VG32(溫度20~40℃)；切削力：Fa:1,000N,Ft:300N；滑軌長度:1,500mm；工作行程:750mm；工作台上最大荷重:750kg；最大運動速... \| 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標，本技術在前兩項目標之達成無庸置疑，對於經濟性，就機器製造成本而言，雖然需要較高之成本，但將無磨耗、壽命長納入考量後，將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...
極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 \| 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大，如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言，民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元，預估93年達到19億美元，至99年時可達65億美元
晶圓均溫加熱調整技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) \| 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求，以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台，大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300，價格約為200 ~ 3...
微型慣性感測元件研製	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元，由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點，根據美國Honeywell公司對產品評估，與傳統機電式慣性感測單元比較，體積上可縮小90%，電源消耗上減少8... \| 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛，未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上，發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量，完成核心組件專利佈局，協助業界...
有機奈米導電樹脂研究	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 覆膜厚度50-250nm、表面電阻104~109Ω/sq、透光率＞70％(550nm) \| 潛力預估: 因應EMI管制措施等，市場年成長率可達34%。
環保型耐燃熱熔膠研製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: UL94 V-0、耐熱吊重(1Kg)>80℃、軟化點>150℃、黏度(180℃)8000~11500mPas、接著剪斷強度(25℃)>2.0 N/mm2、接著剪斷強度(-10℃)>0.3 N/mm2 \| 潛力預估: 目前世界上尚未有廠家成功開發出無鹵環保型耐燃熱熔膠，但都已積極投入開發中；然而各大電子廠受限於歐美環保法規限制，對於環保型耐燃熱熔膠之需求十分殷切。
矽酮壓克力改質技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 \| 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。