技術名稱-中文高性能穩定低變異MEA設計/製程技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是102, 計畫名稱是綠色電能材料與系統應用開發計畫, 技術規格是觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。, 潛力預估是導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品 發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。.
| 序號 | 6462 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 高性能穩定低變異MEA設計/製程技術 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 綠色電能材料與系統應用開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本研究藉由表面修飾技術將具lone pair官能基之含氮改質劑(N-modifier)作為結合觸媒與Nafion等高分子之用，提升觸媒/高分子分散性及均勻度，電極與膜電極組之反應活性有所提高。並結合表面修飾觸媒/線上再分散程序，導入塗布製程，電極之規格變異性降低， |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 此技術可放大製程規模，應用於量產MEA製程，採用此技術之MEA產品除已導入W~kW級DMFC系統外，亦吸引群翌能源等燃料電池相關廠商投資，進行MEA/Stack產品之合作開發及製作。 |
| 潛力預估 | 導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品 發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。 |
| 聯絡人員 | 蔡麗端 |
| 電話 | 03-5915310 |
| 傳真 | 03-5820442 |
| 電子信箱 | liduantsai@itri.org.tw |
| 參考網址 | - |
| 所須軟硬體設備 | 除泡混合分散設備、精密塗布機台、精密大面積(或多片式)熱壓合設備、電化學測試分析及放電量測機台 |
| 需具備之專業人才 | 燃料電池/電化學/量產製程 |
序號6462 |
產出年度102 |
技術名稱-中文高性能穩定低變異MEA設計/製程技術 |
執行單位工研院材化所 |
產出單位(空) |
計畫名稱綠色電能材料與系統應用開發計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文本研究藉由表面修飾技術將具lone pair官能基之含氮改質劑(N-modifier)作為結合觸媒與Nafion等高分子之用，提升觸媒/高分子分散性及均勻度，電極與膜電極組之反應活性有所提高。並結合表面修飾觸媒/線上再分散程序，導入塗布製程，電極之規格變異性降低， |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格觸媒loading 95%以上位於允收範圍(可用率>95%)，同時MEA之性能亦獲得提升，較原始製程之MEA增加約20%以上。 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍此技術可放大製程規模，應用於量產MEA製程，採用此技術之MEA產品除已導入W~kW級DMFC系統外，亦吸引群翌能源等燃料電池相關廠商投資，進行MEA/Stack產品之合作開發及製作。 |
潛力預估導入此高性能穩定低變異MEA製程技術，可改善電極/MEA之規格一致性，減少規格外品 發生機率及增加性能匹配性，提升Stack/系統穩定性及降低生產成本(高可用率)。配合原材料供應與相關產品銷售端成為一DMFC之產業鏈，未來極具市場競爭力。 |
聯絡人員蔡麗端 |
電話03-5915310 |
傳真03-5820442 |
電子信箱liduantsai@itri.org.tw |
參考網址- |
所須軟硬體設備除泡混合分散設備、精密塗布機台、精密大面積(或多片式)熱壓合設備、電化學測試分析及放電量測機台 |
需具備之專業人才燃料電池/電化學/量產製程 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915310 ...) | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。
2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 | 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... | 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 | 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... | 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。
2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達8... | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC | 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 | 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為... | 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸... | 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 | 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80... | 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；
(2)結合強度3000psi以上；
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 厚度 | 潛力預估: 降低聲壓負荷、提昇酬載效能與減輕樓板承重特色 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 | 潛力預估: 有賴技術推廣 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；
(2)結合強度3000psi以上；
(3)變形量 | 潛力預估: 基於光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，市場前景可期。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距20μm；深度1.1μm；形狀誤差 | 潛力預估: 塑膠繞射鏡片設計與元件製程技術，可應用於數位相機、照相手機、掃描器等之精密光學鏡頭。塑膠射出模仁提供量產製程技術，對降低成本提升產值，有很大助益。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA（320×240）、CIF（352×288）、VGA（640×480）、XVGA（1024×768）與1.3百萬（1280×1024）等格式，像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年，全球產量達237Mpcs。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE（Packet PC）或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I... |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像，可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組，預估其生產成本的降低後，可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台，創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會，亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米；厚度可達500微米；平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率：5GHz~6GHz，頻寬：100MHz~150MHz，插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路，通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上，現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口，創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
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