真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術
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技術名稱-中文真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術的執行單位是中科院飛彈火箭研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術。, 潛力預估是線性蒸鍍、CIGS製程開發。.

序號	7242
產出年度	103
技術名稱-中文	真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術
執行單位	中科院飛彈火箭研究所
產出單位	(空)
計畫名稱	CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	中華民國
已獲得專利之國家	中華民國
技術現況敘述-中文	以DSMC技術分析真空腔體內之蒸鍍流場情形，並藉以驗證不同蒸鍍噴嘴之鍍膜結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	CIGS太陽電池製程。
潛力預估	線性蒸鍍、CIGS製程開發。
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#356460
傳真	03-471-3318
電子信箱	sp718982@tpts5.seed.net.tw
參考網址	http://www.csistdup.org.tw
所須軟硬體設備	線性蒸鍍設備。
需具備之專業人才	機械、熱流分析、材料。

序號

7242

產出年度

103

技術名稱-中文

真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術

執行單位

中科院飛彈火箭研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

中華民國

已獲得專利之國家

中華民國

技術現況敘述-中文

以DSMC技術分析真空腔體內之蒸鍍流場情形，並藉以驗證不同蒸鍍噴嘴之鍍膜結果。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

真空蒸鍍流場之DSMC(直接蒙地卡羅法)分析模擬技術。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

CIGS太陽電池製程。

潛力預估

線性蒸鍍、CIGS製程開發。

聯絡人員

潘文玨

電話

03-4712201#356460

傳真

03-471-3318

電子信箱

sp718982@tpts5.seed.net.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

線性蒸鍍設備。

需具備之專業人才

機械、熱流分析、材料。

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用於玻璃基板之硒化製程設備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I523963 \| 專利期間起: 105/03/01 \| 專利期間訖: 123/12/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 徐滄銘 \| 韋士珊 \| 陳燦桐 \| 李人傑 @ 技術司專利資料集
液滴滴下時之重量即時量測方法及其裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I328113 \| 專利期間起: 1999/8/1 \| 專利期間訖: 115/12/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 賴哲雄 \| 范陽鑑 \| 郭豐河 \| 黃啟芳 \| 方健維 @ 技術司專利資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.5μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
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軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍模組開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素，於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性，並因而獲致較佳之噴嘴設計型態，其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集

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平面光波導製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Thickness U% \| 潛力預估: *各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1N splitter AWG module,未來發展潛力高**
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毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
散熱模組熱阻快速量測系統	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 \| 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...
光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... \| 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...
超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大