寬頻射頻調製解調晶片
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技術名稱-中文寬頻射頻調製解調晶片的執行單位是工研院資通所, 產出年度是105, 計畫名稱是電子電機與軟體領域工業基礎技術研究計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是操作頻率為0.7~3.8GHz,發射端OIP3=16.5dBm,接收端NF=5.5dB,頻率合成器之integrated phase noise < 1.3deg, 潛力預估是可應用於各式寬頻無線傳輸,5G 大寬頻行動網路系統,4G LTE repeater等。.

序號8281
產出年度105
技術名稱-中文寬頻射頻調製解調晶片
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱電子電機與軟體領域工業基礎技術研究計畫
領域智慧科技
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文晶片目前整合了射頻前端之寬頻頻率合成器、調製解調器、低噪放大器(LNA),TRX部分皆為analog IQ介面,具SPI控制介面,可調整操作頻率與增益。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格操作頻率為0.7~3.8GHz,發射端OIP3=16.5dBm,接收端NF=5.5dB,頻率合成器之integrated phase noise < 1.3deg
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍應用面包括寬頻無線傳輸,Software Defined Radio (SDR)等
潛力預估可應用於各式寬頻無線傳輸,5G 大寬頻行動網路系統,4G LTE repeater等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820462
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備所須軟體:Cadence Spectre, Virtuoso
需具備之專業人才具射頻電路設計能力之人員
同步更新日期2023-07-22

序號

8281

產出年度

105

技術名稱-中文

寬頻射頻調製解調晶片

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子電機與軟體領域工業基礎技術研究計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

晶片目前整合了射頻前端之寬頻頻率合成器、調製解調器、低噪放大器(LNA),TRX部分皆為analog IQ介面,具SPI控制介面,可調整操作頻率與增益。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

操作頻率為0.7~3.8GHz,發射端OIP3=16.5dBm,接收端NF=5.5dB,頻率合成器之integrated phase noise < 1.3deg

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

應用面包括寬頻無線傳輸,Software Defined Radio (SDR)等

潛力預估

可應用於各式寬頻無線傳輸,5G 大寬頻行動網路系統,4G LTE repeater等。

聯絡人員

陳俊吉

電話

03-5914465

傳真

03-5820462

電子信箱

idchen@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

所須軟體:Cadence Spectre, Virtuoso

需具備之專業人才

具射頻電路設計能力之人員

同步更新日期

2023-07-22

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# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號5103
產出年度100
技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP LTE R9標準規範。 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
序號: 5103
產出年度: 100
技術名稱-中文: LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合3GPP LTE R9標準規範。 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估: 3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號5116
產出年度100
技術名稱-中文下世代WiMAX行動通訊baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據IEEE 802.16m之規範,完成MAC Protocol設計。 符合IEEE 802.16m D10版規格。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合IEEE 802.16m基本功能要求。
技術成熟度雛型
可應用範圍1. 行動通訊協定與系統設計 2. 下世代WiMAX行動通訊
潛力預估WiMAX為我國投入大量資源發展之產業,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才1. 具備通訊基頻演算法設計者 2. 熟悉OFMDA技術者
序號: 5116
產出年度: 100
技術名稱-中文: 下世代WiMAX行動通訊baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據IEEE 802.16m之規範,完成MAC Protocol設計。 符合IEEE 802.16m D10版規格。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合IEEE 802.16m基本功能要求。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 1. 行動通訊協定與系統設計 2. 下世代WiMAX行動通訊
潛力預估: WiMAX為我國投入大量資源發展之產業,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: -
所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 1. 具備通訊基頻演算法設計者 2. 熟悉OFMDA技術者

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號5190
產出年度100
技術名稱-中文衛星通訊接收機基頻技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文可解調衛星訊號。 有真正field try過,可以清楚解出衛星訊號的QPSK星狀點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合MF-TDMA的通訊標準
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍須接收衛星訊號之相關產業
潛力預估此技術針對衛星訊號進行解調,為特定需求之應用技術,應用潛力低。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址-
所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才熟悉無線通訊技術、衛星通訊相關技術者。
序號: 5190
產出年度: 100
技術名稱-中文: 衛星通訊接收機基頻技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 可解調衛星訊號。 有真正field try過,可以清楚解出衛星訊號的QPSK星狀點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合MF-TDMA的通訊標準
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 須接收衛星訊號之相關產業
潛力預估: 此技術針對衛星訊號進行解調,為特定需求之應用技術,應用潛力低。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊技術、衛星通訊相關技術者。

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號5446
產出年度101
技術名稱-中文可見光通訊平台
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用LED傳送IP封包,可做為兼具照明與無線上網之接取點。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可在3公尺的距離下達到22.5 Mbps的傳輸率。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍室內無線AP,可用在如居家,辦公室,機場,會議廳等室內場合。
潛力預估可紓解wi-fi頻寬擁擠的問題,以及無法使用wi-fi如醫院,機艙等場合。
聯絡人員陳駿吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備LED傳送接收模祖
需具備之專業人才通訊IC設計人才
序號: 5446
產出年度: 101
技術名稱-中文: 可見光通訊平台
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用LED傳送IP封包,可做為兼具照明與無線上網之接取點。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 可在3公尺的距離下達到22.5 Mbps的傳輸率。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 室內無線AP,可用在如居家,辦公室,機場,會議廳等室內場合。
潛力預估: 可紓解wi-fi頻寬擁擠的問題,以及無法使用wi-fi如醫院,機艙等場合。
聯絡人員: 陳駿吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: LED傳送接收模祖
需具備之專業人才: 通訊IC設計人才

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號5456
產出年度101
技術名稱-中文以操作區間為主的最小頻寬資源分配法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文我們所提出的資源分配法是先滿足最小操作區間的AP,再逐一滿足其他操作區間較大的AP,因此可以在同樣的資源下,容納更多AP,達到更高效率的資源利用。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格支援的頻率範圍為30 ~ 1500 MHz,頻寬為536 MHz,可處理的電視通道數量為136個,AP的頻率延展為15 MHz,子載波個數為1024。
技術成熟度概念
可應用範圍本計畫所發展的資源分配演算法可適用於各種TVWS的系統,可用於802.11af、802.15.4m、及802.22等標準(現有的TVWS標準)的資源分配。
潛力預估為國內WiFi及系統廠提供一個演算法驗證的平台。
聯絡人員陳駿吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
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所須軟硬體設備Matlab、GNU radio、電腦
需具備之專業人才熟悉Cross-layer演算法設計、資料庫管理、網頁撰寫、Matlab程式開發、GNU radio程式開發之人
序號: 5456
產出年度: 101
技術名稱-中文: 以操作區間為主的最小頻寬資源分配法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 我們所提出的資源分配法是先滿足最小操作區間的AP,再逐一滿足其他操作區間較大的AP,因此可以在同樣的資源下,容納更多AP,達到更高效率的資源利用。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 支援的頻率範圍為30 ~ 1500 MHz,頻寬為536 MHz,可處理的電視通道數量為136個,AP的頻率延展為15 MHz,子載波個數為1024。
技術成熟度: 概念
可應用範圍: 本計畫所發展的資源分配演算法可適用於各種TVWS的系統,可用於802.11af、802.15.4m、及802.22等標準(現有的TVWS標準)的資源分配。
潛力預估: 為國內WiFi及系統廠提供一個演算法驗證的平台。
聯絡人員: 陳駿吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: Matlab、GNU radio、電腦
需具備之專業人才: 熟悉Cross-layer演算法設計、資料庫管理、網頁撰寫、Matlab程式開發、GNU radio程式開發之人

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號5746
產出年度101
技術名稱-中文LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/
所須軟硬體設備無線通訊晶片開發設備。
需具備之專業人才熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。
序號: 5746
產出年度: 101
技術名稱-中文: LTE行動通訊PHY baseband技術
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 依據3GPP LTE R9規範,採用OFDMA/FDMA技術,完成實體層設計。 符合3GPP LTE R9規範,完成PHY baseband技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 符合3GPP LTE R9標準規範, 頻寬: 10 MHz and 5 MHz Uplink: SCFDMA Downlink: OFDMA
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 此技術適用於晶片設計廠、晶片設計服務廠等相關行業。
潛力預估: 3GPP LTE規範為無線通訊未來發展主軸,唯晶片設計投資龐大,有需求之廠商量有限,相關技術發展潛力為中等。
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/
所須軟硬體設備: 無線通訊晶片開發設備。
需具備之專業人才: 熟悉無線通訊晶片技術、Protocol相關技術者。

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號6210
產出年度102
技術名稱-中文雙模影像感測器
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文可照相與通訊之雙模影像感測器
技術現況敘述-英文(空)
技術規格通訊速度可達到1Mbps以上
技術成熟度雛型
可應用範圍手機,平版之可見光接收機
潛力預估可見光通訊產業
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備影像感測器製程設備
需具備之專業人才IC設計,通訊系統設計
序號: 6210
產出年度: 102
技術名稱-中文: 雙模影像感測器
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 可照相與通訊之雙模影像感測器
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 通訊速度可達到1Mbps以上
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 手機,平版之可見光接收機
潛力預估: 可見光通訊產業
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: 影像感測器製程設備
需具備之專業人才: IC設計,通訊系統設計

# 03-5914465 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號6222
產出年度102
技術名稱-中文通用編解調器及智慧行車系統應用技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在FPGA平台上設計多核心通用編解調器系統
技術現況敘述-英文(空)
技術規格在FPGA平台上達成IEEE 802.11p規格實體層驗證
技術成熟度雛型
可應用範圍通訊系統物理層基頻訊號處理
潛力預估多規格通訊市場
聯絡人員陳俊吉
電話03-5914465
傳真03-5820240
電子信箱idchen@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備通訊系統及晶片廠
需具備之專業人才通訊技術背景
序號: 6222
產出年度: 102
技術名稱-中文: 通用編解調器及智慧行車系統應用技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在FPGA平台上設計多核心通用編解調器系統
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 在FPGA平台上達成IEEE 802.11p規格實體層驗證
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 通訊系統物理層基頻訊號處理
潛力預估: 多規格通訊市場
聯絡人員: 陳俊吉
電話: 03-5914465
傳真: 03-5820240
電子信箱: idchen@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw
所須軟硬體設備: 通訊系統及晶片廠
需具備之專業人才: 通訊技術背景
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與寬頻射頻調製解調晶片同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

多功能醫學造影奈米微粒技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米生醫技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fe3O4奈米微粒滯性能: ‧r1=28.9, r2=222 ‧r2/ r1=7.68 B0=0.47T ; Dendrimer奈米微粒滯性能: 第一代: r1=23.1 and r2=22.3 (m... | 潛力預估: 根據美國生醫資訊科技中心(Center of Biomedical and Bioinformatic Technology)的最新的統計(2004年8月),目前已經核准進入臨床實驗的各類特用分子影...

高光性主體(HOST)單體

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬催化平行反應平台:產品規格為Tg>100oC、純度>99% | 潛力預估: 本技術可快速合成及分析數十種以上的高光性主體(Host)材料,可加速有機電致發光平面顯示器用材料技術之發展,未來量產後預估相關產品產值將達新台幣2億元。

螢光組合配方材料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 摻雜型螢光粉可以紫外光激發而放射出特定波長的可見光。放射波長調控範圍:400~ 700nm。 | 潛力預估: 未來預估相關應用產品產值將達新台幣10億元。

自動化多功能光學特性檢測設備組裝技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能,並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備,可應用于光電或薄膜特性檢測上,國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。

高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

多功能醫學造影奈米微粒技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米生醫技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fe3O4奈米微粒滯性能: ‧r1=28.9, r2=222 ‧r2/ r1=7.68 B0=0.47T ; Dendrimer奈米微粒滯性能: 第一代: r1=23.1 and r2=22.3 (m... | 潛力預估: 根據美國生醫資訊科技中心(Center of Biomedical and Bioinformatic Technology)的最新的統計(2004年8月),目前已經核准進入臨床實驗的各類特用分子影...

高光性主體(HOST)單體

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 金屬催化平行反應平台:產品規格為Tg>100oC、純度>99% | 潛力預估: 本技術可快速合成及分析數十種以上的高光性主體(Host)材料,可加速有機電致發光平面顯示器用材料技術之發展,未來量產後預估相關產品產值將達新台幣2億元。

螢光組合配方材料

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 摻雜型螢光粉可以紫外光激發而放射出特定波長的可見光。放射波長調控範圍:400~ 700nm。 | 潛力預估: 未來預估相關應用產品產值將達新台幣10億元。

自動化多功能光學特性檢測設備組裝技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 組裝後之系統具備量測膜厚、反射率、穿透率、吸收度、螢光光譜、色度、光學係數等功能,並兼具可連續多點量測之自動化功能。主要元件有光源兩組、單光儀、CCD 陣列式光譜儀、自動化 X-Y 移動平台、數據處... | 潛力預估: 利用本技術所組裝之自動化多功能光學特性檢測設備,可應用于光電或薄膜特性檢測上,國內相關檢測設備之年產值預估可達 3000-5000 萬元以上。

高純吸附劑合成技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 孔徑: 5~25nm‧ 孔洞體積: 1.5~0.4cm3/g‧ 表面積: >100m2/g‧ 改質氧化鋁: 可由FT-IR檢測出特徵吸收峰 | 潛力預估: 奈米孔隙粉體因其奈米級的孔徑特性,而應用於精密分析或分離程序上。已完成建立高純度精密純化吸附劑之改質實驗技術與檢測技術,可提昇產品的附加價值,使奈米孔徑粉體朝多樣化功能發展預計高純化學品相關技術將可創...

無電鍍銅化學藥水應用在TFT-LCD閘極

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術

螢光染料之應用

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm; 螢光量子效率 =0.55; 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術,可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte,並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權,主導Sub-terabyte級儲存規格方...

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控); 純度 > 90% (未純化產物); 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程,克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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