新興三維記憶體(RRAM)元件技術
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技術名稱-中文新興三維記憶體(RRAM)元件技術的執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um, 潛力預估是本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。.

序號	8308
產出年度	105
技術名稱-中文	新興三維記憶體(RRAM)元件技術
執行單位	工研院電光系統所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	中國、美國、中國大陸
已獲得專利之國家	中國、美國、中國大陸
技術現況敘述-中文	開發可適用於堆疊式交互陣列架構的 RRAM元件(X-point RRAM, 1S1R device) ，以應用在高密度儲存式記憶體領域。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	IDM或記憶體製造廠商
潛力預估	本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703
所須軟硬體設備	Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP 等
需具備之專業人才	須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力
同步更新日期	2024-09-03

序號

8308

產出年度

105

技術名稱-中文

新興三維記憶體(RRAM)元件技術

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

中國、美國、中國大陸

已獲得專利之國家

中國、美國、中國大陸

技術現況敘述-中文

開發可適用於堆疊式交互陣列架構的 RRAM元件(X-point RRAM, 1S1R device) ，以應用在高密度儲存式記憶體領域。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

交互陣列結構開發雙向選擇器開發電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

IDM或記憶體製造廠商

潛力預估

本提案中的電阻式記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代快閃記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆為國外大廠。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_portal.aspx?SiteID=1&MmmID=620621110650707703

所須軟硬體設備

Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP 等

需具備之專業人才

須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力

同步更新日期

2024-09-03

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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馬達直驅式旋轉主軸頭	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: C/A旋轉速度:60rpm_x000D_；C/A軸定位精度:10秒_x000D_；主軸轉速:15000rpm \| 潛力預估: 目前國內並無相關專業製造廠
精密微量射出成型和自動化技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鎖模力:3～6噸；射出速度≧ 800 mm/sec；模板平行度≦20μm_x000D_；成品重量誤差≦0.1%；脫模與取出模組；堆疊模組；粉末微射出成型模組 \| 潛力預估: 本技術所指之微量射出成型技術，係指製作幾何外形以及重量皆屬微小級之產品，一般以小於10噸之射出成型機來成型。
半導體隔離應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI標準；潔淨等級Class 1或更佳；表面阻抗≦10^5 Ohms/sq；MCBF＞25,000次。 \| 潛力預估: 提供晶圓廠中光罩儲存傳送及載入機台更物美價廉的解決方案
2.0L/1.8L/1.6L汽車模組化引擎技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 型式：DOHC 直列4缸，引擎長度：536 mm，排氣量：1998c.c.，缸徑：86 mm，行程：86 mm，汽門數：每缸4閥，壓縮比：10.0，燃油：95 RON，冷卻方式：水冷，最大馬力：108... \| 潛力預估: 乾式汽缸套全鋁合金汽缸體設計發展技術、VVT系統整合應用技術、EGR系統整合應用技術、NLEV引擎設計及EMS整合應用技術
四行程125 C.C.水冷式機車引擎雛型機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量：125 C.C. \| 潛力預估: 汽門數：2閥_x000D_，馬力7.0 kw/7500 rpm
1.2L四行程汽車引擎與後輪傳動五速手排變速箱雛型機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 引擎：1200 c.c. 8汽門、水冷、直列四缸、微電腦控制多點式噴油。馬力50.6 kW/6000 rpm、扭力102 Nm/4500 rpm。變速箱：後輪傳動、五速手排單桿式換擋機構，具備擴充四... \| 潛力預估: 曲軸系及閥門系工程輔助分析、零組件專業工程資訊同步整合及配合發展,建立四行程水冷式速克達機車引擎，含CVT匹配設計發展技術,引擎管理系統調教及發展
大排氣量250C.C.機車雛型引擎開發	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量：250 CC \| 潛力預估: 變速箱：國際檔六檔_x000D_，最大馬力﹕20.0kW@10000rpm
四行程泛用小引擎雛型機	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量：26 CC \| 潛力預估: _x000D_，馬力0.53kW/7000rpm_x000D_，扭力0.86 N-m/3500rpm
小引擎微電腦引擎管理系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 小引擎微電腦管理系統，涵蓋引擎控制策略、流程與程式軟體、引擎控制器硬體_x000D_。八位元微電腦控制器，具備下列功能:1.燃油控制：啟動控制、正常控制、加速控制、減速控制、切油控制、補償控制_x00... \| 潛力預估: 開迴路燃油控制或閉迴路燃油控制及機車引擎點火控制
微脈動噴油技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 陣列微泵浦：熱泡式無閥構造，晶片尺寸5.5x7.8mm，設80個微泵浦，噴孔徑80μm，可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦：壓電板式無閥結構，噴孔板14x17mm，噴孔徑50μm，可噴射汽油_x000D... \| 潛力預估: 已可採用壓電板式微泵浦的架構，預期系統的穩定度、成本和效能將比熱泡式者為優應用噴嘴與擴散孔的流阻差異之特性,配合環繞式微流道設計與流體最佳參數調校,大幅提昇陣列微泵浦單位面積最大噴射量。利用迴流式負壓...
自行車傳/制動系統技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake；HCF動態疲勞測試；整車煞車系統測試(DIN-79100) \| 潛力預估: 運用系統化的創新專利設計流程，有效建立產品之專利技術。建立傳/制動系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎
自行車電動助力模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無刷馬達：350W_x000D_，輔助方式：比例式、純電動模式 \| 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎
375c.c.四行程稀薄燃燒引擎	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 排氣量:373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)，引擎型式:四行程，汽缸數:雙缸，閥門數:4閥/缸，排列方式:V型-90，冷卻方式:水冷，燃油系統:氣道噴射，點火系統:電晶體微電腦... \| 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計、稀油燃燒進氣氣道設計、EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制
液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm \| 潛力預估: 實驗室階段
車載資訊系統	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋_x000D_；最大消耗功率:小於3瓦_x000D_；休眠消耗電流:小於20mA@12V DC_x000D_；作業系統:Windows CE 4.2 core version... \| 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術，先進安全車輛整合技術