石墨烯導熱膠技術
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技術名稱-中文石墨烯導熱膠技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 計畫名稱是高值化碳素材料開發與應用技術計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是系統熱管理材料技術, 潛力預估是系統熱管理材料技術.

序號8390
產出年度105
技術名稱-中文石墨烯導熱膠技術
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
領域民生福祉
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文實驗室級
技術現況敘述-英文(空)
技術規格系統熱管理材料技術
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍電池被動熱管理、電子系統上的散熱元件、建築物的太陽能儲熱牆可調節室內溫度、太空設備的均溫裝置調節、衣物的保溫設備等。
潛力預估系統熱管理材料技術
聯絡人員張欽亮
電話03-4712201轉354046
傳真(03)4711024
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw/index.aspx
所須軟硬體設備行星式真空攪拌機、真空烘箱、大氣電漿處理設備
需具備之專業人才化學化工、材料、機械
同步更新日期2024-09-03

序號

8390

產出年度

105

技術名稱-中文

石墨烯導熱膠技術

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

高值化碳素材料開發與應用技術計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

實驗室級

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

系統熱管理材料技術

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

電池被動熱管理、電子系統上的散熱元件、建築物的太陽能儲熱牆可調節室內溫度、太空設備的均溫裝置調節、衣物的保溫設備等。

潛力預估

系統熱管理材料技術

聯絡人員

張欽亮

電話

03-4712201轉354046

傳真

(03)4711024

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/index.aspx

所須軟硬體設備

行星式真空攪拌機、真空烘箱、大氣電漿處理設備

需具備之專業人才

化學化工、材料、機械

同步更新日期

2024-09-03

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石墨烯透明導電膜轉印製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 實驗室級 | 潛力預估: 太陽能面板、透明導電膜、觸控螢幕等

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石墨烯熱相變散熱材料技術

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石墨烯導電膠技術

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金屬氧化物/石墨烯/奈米碳材三相複合電極材料技術

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執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 操作電解液:有機電解液,操作電壓:3.5~5V,能量密度:150Wh/Kg,功率密度:3.5kW/Kg | 潛力預估: 混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等

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非對稱超級電容技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 操作電解液:水相電解液,操作電壓:2V,能量密度:17Wh/Kg,功率密度:10kW/Kg | 潛力預估: 混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等

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執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 電極材料比電容量:120F/g,電極控制厚度:100~150um,單片電極尺寸:20*20cm2 | 潛力預估: 混合電源系統、再生能源儲能系統、高功率脈衝電源等

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微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

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低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% <2% R/I=1.4598, U<+-0.0005 PSG, SiOxNy,GSG R/I =1.4645, U<+-0.0005 BPSG R/I =1.4598, U<... | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

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光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

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低應力電鑄金屬膜製程技術

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微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

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