液晶顯示器反射表面的製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文液晶顯示器反射表面的製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是195728, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是韋忠光.

序號733
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文液晶顯示器反射表面的製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人韋忠光
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼195728
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提出一種用於液晶顯示器之有效的非鏡面反射層的製造方法,首先在一面基版上塗佈一層兩種成分的溶液。其中一種成分加熱、或受到紫外線光照射(也可透過一層光罩)之後會硬化,但另一種成分則維持液狀。結果形成了一層固態層,內中散佈著許多的液態區,有一些會破壞表面,很容易去除,留下粗糙的表面。一旦在這些表面上沈積了高反射性的金屬後,就成為有效的非鏡面反射層。在本發明中也舉例說明了這兩種成分的材料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

733

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

液晶顯示器反射表面的製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

韋忠光

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

195728

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提出一種用於液晶顯示器之有效的非鏡面反射層的製造方法,首先在一面基版上塗佈一層兩種成分的溶液。其中一種成分加熱、或受到紫外線光照射(也可透過一層光罩)之後會硬化,但另一種成分則維持液狀。結果形成了一層固態層,內中散佈著許多的液態區,有一些會破壞表面,很容易去除,留下粗糙的表面。一旦在這些表面上沈積了高反射性的金屬後,就成為有效的非鏡面反射層。在本發明中也舉例說明了這兩種成分的材料。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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與液晶顯示器反射表面的製造方法同分類的技術司專利資料集

積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張宏宜, 鄭世裕, 許清淵

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,737,282 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 陳雲田

一種具有多階反射率的可覆寫相變化型光記錄媒體結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220521 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 方敦盈, 曾美榕, 鄧明人, 蔡松雨

超高密度可錄式光資訊記錄媒體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 徐偉智, 蔡松雨, 鄧明人

有機電激發光裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207098 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 劉仲明, 王俊凱, 林顯光

積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195331 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳中屏, 陳振鑾, 施志哲, 陳致源

氣體感測器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202724 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸

薄膜氣體擴散電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190616 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李文錦, 周淑金, 葉信宏, 陳冠良, 謝坤龍, 陳銘倫

增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,707,499 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕

偵測訊號頻率的類比裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192948 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元

鎖頻濾波的接收裝置及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,763,230 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元

單相輸入調頻調積體解調器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189588 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李青峰

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192167 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,658,597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185602 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明

積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張宏宜, 鄭世裕, 許清淵

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,737,282 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 陳雲田

一種具有多階反射率的可覆寫相變化型光記錄媒體結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220521 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 方敦盈, 曾美榕, 鄧明人, 蔡松雨

超高密度可錄式光資訊記錄媒體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 徐偉智, 蔡松雨, 鄧明人

有機電激發光裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207098 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 劉仲明, 王俊凱, 林顯光

積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195331 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳中屏, 陳振鑾, 施志哲, 陳致源

氣體感測器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202724 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸

薄膜氣體擴散電極及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190616 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李文錦, 周淑金, 葉信宏, 陳冠良, 謝坤龍, 陳銘倫

增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,707,499 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕

偵測訊號頻率的類比裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192948 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元

鎖頻濾波的接收裝置及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,763,230 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭丁元

單相輸入調頻調積體解調器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189588 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李青峰

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192167 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,658,597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185602 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明

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