以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法的核准國家是美國, 證書號碼是6660625, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是李傳英, 黃尊禧.

序號	735
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	李傳英 \| 黃尊禧
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6660625
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明案中提出三種利用無電鍍的製程，製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料，此矽化鈀不需要活化步驟，即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層（20）上和附著層（30）上，再利用微影製程製作圖案其上後，接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳，鈀或銅於矽化鈀層之上，已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層（130）上，此附著層上材料可以是複晶矽，鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案，然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上，再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點，此製程是先沉積一鋁金屬層（220）及擴散障礙層（220）於基材上，此擴散障礙層（230）在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層（220）及擴散障礙層（230）之上製作出導線圖案，隨即進行無電鍍反應，使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上，最後即可於無電鍍金屬（240）層上製作銲錫隆點（250）_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

735

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

李傳英 | 黃尊禧

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6660625

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明案中提出三種利用無電鍍的製程，製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料，此矽化鈀不需要活化步驟，即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層（20）上和附著層（30）上，再利用微影製程製作圖案其上後，接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳，鈀或銅於矽化鈀層之上，已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層（130）上，此附著層上材料可以是複晶矽，鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案，然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上，再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點，此製程是先沉積一鋁金屬層（220）及擴散障礙層（220）於基材上，此擴散障礙層（230）在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層（220）及擴散障礙層（230）之上製作出導線圖案，隨即進行無電鍍反應，使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上，最後即可於無電鍍金屬（240）層上製作銲錫隆點（250）_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

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與以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法同分類的技術司專利資料集

可替換式噴流或層流面板的空氣處理裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,716,265 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長 \| 江旭政 \| 潘忠恕
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210149 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖 \| 江旭政 \| 賀遵火
空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,742,383 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖 \| 江旭政 \| 賀遵火
光觸媒捕蚊裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 225442 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 賀遵火 \| 江旭政 \| 吳旭聖
混成無刷馬達	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 216627 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃文楠 \| 陳志信 \| 陳慕平 \| 陳婉珮
使用主動式回授負載之直流/直流轉換器燒機測試方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 胡國英
切換磁阻馬達之暫態過速抑制方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 203536 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 胡國英 \| 方志行
空調裝置	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3100589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政 \| 王啟川 \| 顏銘志
空調裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 218641 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政 \| 王啟川 \| 顏銘志
熱塑性材料與功能性陶瓷粉末熱壓製作化學濾網方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202601 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 賀遵火 \| 江旭政
過程現場總線(PROFIBUS)之泛用通訊介面卡	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224274 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 陳婉珮 \| 方志行 \| 黃文楠
空氣淨化裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03209118.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 王茂榮 \| 龍海蒂
空氣清淨裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M242211 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長 \| 江旭政 \| 賀遵火
廢水回收之前處理系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188085 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張振章 \| 林士正 \| 蔡幸芬
海水或滷水中鋰離子濃縮方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 吳宗杰 \| 林俊仁 \| 許哲源 \| 江玉琳

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執行單位

產出單位

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專利期間訖

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