懸臂式測試卡及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文懸臂式測試卡及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是6651325, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是李政鴻, 李新立, 陳宜孝.

序號	794
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	懸臂式測試卡及其製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人	李政鴻 \| 李新立 \| 陳宜孝
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6651325
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	A method for forming a cantilever beam probe card on a semiconducting substrate and the probe card fabricated by such method are described. The method utilizes the depo-sition of two separate metal layers of different metals for forming a cantilever beam and a microprobe for use as a probe needle. Asacrificial, insulating material layer such as oxide or mitride is utilized in-between the metal layers and a semiconducting substrate and is subsequently removed such that the cantilever beams are released from the semi-conductiong substrate excdpt at a support portion. The present invention cantilever beam probe card formed by the method can be used to probe testing IC devices that have high pin count and fine pitch.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820414
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

794

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

懸臂式測試卡及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

李政鴻 | 李新立 | 陳宜孝

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6651325

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

A method for forming a cantilever beam probe card on a semiconducting substrate and the probe card fabricated by such method are described. The method utilizes the depo-sition of two separate metal layers of different metals for forming a cantilever beam and a microprobe for use as a probe needle. Asacrificial, insulating material layer such as oxide or mitride is utilized in-between the metal layers and a semiconducting substrate and is subsequently removed such that the cantilever beams are released from the semi-conductiong substrate excdpt at a support portion. The present invention cantilever beam probe card formed by the method can be used to probe testing IC devices that have high pin count and fine pitch.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820414

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
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室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低 @ 技術司可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集

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液晶顯示器之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206803 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 范揚宜 \| 江欣峻 \| 林英哲 \| 翁逸君 \| 何璨佑 \| 辛隆賓 \| 劉康弘 \| 吳仲文 \| 沙益安
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半導體光電晶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6759694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民 \| 許晉瑋 \| 裴靜偉 \| 袁鋒 \| 劉致為
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空氣採樣微粒子稀釋裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,742,383 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳旭聖 \| 江旭政 \| 賀遵火
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混成無刷馬達	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 216627 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃文楠 \| 陳志信 \| 陳慕平 \| 陳婉珮
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