高密度磁性隨機存取記憶體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文高密度磁性隨機存取記憶體的核准國家是中華民國, 證書號碼是198431, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是洪建中, 高明哲, 潘宗銘.

序號	852
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	高密度磁性隨機存取記憶體
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	198431
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明高密度磁性隨機存取記憶體，係於一種磁性隨機存取記憶體（Magnetic Random Access Memory）中，以電阻特性不相同之磁性多層膜將磁性記憶單元彼此並聯或串聯，並使用一電晶體與磁性記憶單元相接，同時作為讀出資料的控制元件，不需複雜的讀出流程及時序，以達本發明將磁性隨機存取記憶體元件高密度包裝之目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

852

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

高密度磁性隨機存取記憶體

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

198431

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明高密度磁性隨機存取記憶體，係於一種磁性隨機存取記憶體（Magnetic Random Access Memory）中，以電阻特性不相同之磁性多層膜將磁性記憶單元彼此並聯或串聯，並使用一電晶體與磁性記憶單元相接，同時作為讀出資料的控制元件，不需複雜的讀出流程及時序，以達本發明將磁性隨機存取記憶體元件高密度包裝之目的。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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奇益企業有限公司二廠

所在工業區名稱: 其他工業區 | (實際廠場)地址: 高雄市湖內區忠興里中正路二段五六○巷五八號 | 營利事業統一編號: 86932220 | 管制編號: E3002669

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

奇益企業有限公司二廠

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高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6757189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 @ 技術司專利資料集
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4293828 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,潘宗銘 , @ 技術司專利資料集

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磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223259 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03152660.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲潘宗銘陳永祥 @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6791887 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6862228 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中、高明哲、潘宗銘、陳永祥 @ 技術司專利資料集

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

相變化記憶體元件及其製造方法

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相變化記憶體元件及其製造方法

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導流管式流體化床廢水處理反應槽及應用該廢水處理反應槽的兩段式好氧/無氧生物活性載體流體化床廢水處理系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210003 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 林奇剛, 蔡宗岳, 曾淑鳳, 劉俊清, 陳榮耀
可調式氣密裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190394 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃家銘, 蔡啟明, 黃嘉宏
生物處理裝置及其淨化廢水或自來水原水的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01140206.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽
浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206418 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽
浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,682,653 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽
使用無紡布過濾的膜生物反應器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01144422.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信
使用不織物過濾膜之膜離物反應器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,808,628 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信
電透析膜離生物反應槽及含硝酸鹽原水或廢水的脫氮方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01139846.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 吳漢松
使用膜離生物反應器的廢水/水處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207296 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 張敏超
從水中移除砷的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189832 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 李茂松, 張王冠, 黃志彬, 顏士閔
多功能壓力量測裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210150 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平, 湯新達
套管式平均動壓測量裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03249004.6 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平, 唐思維
套管式平均動壓量測管	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 242689 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平, 唐思維
雙管式平均動壓測量裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03249005.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平
雙管式平均動壓量測管	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M245405 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃建平

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